MUNDO ELECTRÓNICO
Alcanzan nuevos niveles de eficiencia y fiabilidad
MICROCHIP PRESENTA DISPOSITIVOS DE POTENCIA DE CARBURO DE SILICIO (SIC) DE 3,3 KV Los diseñadores de sistemas de alimentación destinados a tracción, unidades de alimentación auxiliar, transformadores de estado sólido, accionamientos de motores industriales y soluciones de infraestructura energética requieren una tecnología de conmutación de alta tensión que aumente la eficiencia, reduzca el tamaño del sistema y mejore la fiabilidad. Automática e Instrumentación
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icrochip Technology Inc. ha anunciado la ampliación de su catálogo de SiC con la presentación de los MOSFET de SiC de 3,3 kV con la resistencia en conducción [RDS(on)] más baja y los diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC con la corriente nominal más alta del mercado, permitiendo así que los diseñadores aprovechen su robustez, fiabilidad y rendimiento. Gracias a la ampliación del catálogo de SiC de Microchip, los diseñadores cuentan con las herramientas necesarias para desarrollar soluciones más pequeñas, ligeras y eficientes destinadas a aplicaciones de transporte electrificado, energías renovables, aeroespaciales e industriales. Muchos diseños basados en silicio han alcanzado sus límites por lo que se refiere a su máxima eficiencia, reducción de costes del sistema e innovación de la aplicación. Si bien el SiC de alta tensión supone una alternativa probada para lograr estos resultados, hasta ahora la disponibilidad de dispositivos de potencia de SiC de 3,3 kV había sido escasa. Los MOSFET y SBD de 3,3 kV se suman al completo catálogo de soluciones de SiC de la compañía, formado por dispositivos sin encapsular, discretos, módulos y drivers de puertas digitales de 700V, 1200V y 1700V. Entre los dispositivos de potencia de SiC de 3,3 kV se encuentran MOSFET con una RDS (on) de 25 mOhm, la más baja del mercado, y SBD con una corriente nominal de 90 A, la más alta del mercado. Tanto los MOSFET como los
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Los MOSFET y diodos de barrera Schottky de SiC de 3,3 kV ofrecen nuevas opciones a los diseñadores para electrónica de potencia de alta tensión en transporte, energía y sistemas industriales.
SBD se suministran con o sin encapsulado. Estos nuevos niveles de rendimiento permiten a los diseñadores simplificar su diseño, crear sistemas de mayor potencia y utilizar menos componentes en paralelo con el fin de obtener soluciones de potencia más pequeñas, ligeras y eficientes. “Nos centramos en desarrollos que ofrecen a nuestros clientes la posibilidad de introducir innovaciones en sus sistemas a gran velocidad y de mejorar la ventaja competitiva de sus productos finales con más rapidez”, señaló Leon Gross, vicepresidente de la unidad de negocio de productos discretos de Microchip. “Nuestra nueva familia de productos de potencia de SiC de 3,3 kV permite que los clientes adopten la tecnología SiC de alta tensión con facilidad, velocidad y confianza, beneficiándose así de las numerosas ventajas de
esta apasionante tecnología respecto a los diseños basados en silicio”. Microchip ha anunciado la producción de centenares de dispositivos y soluciones de potencia de SiC a lo largo de los tres próximos años, garantizando así que los diseñadores puedan encontrar la combinación adecuada de tensión, corriente y encapsulado para los requisitos de su aplicación. Todos los MOSFET y SBD de SiC de Microchip se han diseñado teniendo en cuenta la confianza del cliente y ofrecen los niveles de robustez y fiabilidad más altos del mercado. En los dispositivos de la compañía se aplican unas prácticas de obsolescencia determinadas por los clientes, garantizando de este modo que los dispositivos se sigan fabricando siempre que los clientes los necesiten y Microchip pueda producirlos.
ABRIL 2022 / N.º 537
AUTOMÁTICA E INSTRUMENTACIÓN
