javaneh andisheh #57

Page 8

‫فناوري‬

‫‪1390‬‬ ‫تابستان‪1388‬‬ ‫‪ 57‬پاييز‬ ‫شماره ‪18‬‬

‫‪14‬‬

‫‪6‬‬

‫‪.15‬شستن ماده مقاوم‬

‫‪7‬‬

‫‪9‬‬

‫قلم زني (‪)Etching‬‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫ماده حس��اس تغييريافته شسته مي‌شود و طرح‬ ‫الگوي ماسك استفاده شده باقي مي‌ماند‪( .‬مستطيل‬ ‫تيره در اينجا)‪.‬‬

‫فناوري‬

‫‪ .16‬قلم زني‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫ماده مقاوم (باقيمانده) سطح عايق فوق مقاوم زيرينش‬ ‫را از پاك شدن محافظت مي‌كند‪ .‬باقي عايق بدون حفاظ‬ ‫توسط مواد شيميايي شسته مي‌شود(قلم زده مي‌شود‬ ‫چون در نهايت سوراخهايي باقي مي‌ماند)‪.‬‬

‫‪ .17‬پاك كردن ماده مقاوم (باقيمانده)‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫پس از حذف ماده عايق اضافه و برداشته شدن اليه‬ ‫مقاوم طرح باال برجاي مي‌ماند‪.‬‬

‫‪ .23‬آزمايش ترتيبي ويفر‬

‫‪.18‬ترانزيستور آماده‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫اين ترانزيستور آماده كامل شدن است‪ .‬سه سوراخ‬ ‫روي ماده جداكننده (رنگ قرمز) ايجاد مي‌ش��ود(با‬ ‫قل��م زني) ‪ .‬اين س��وراخ‌ها با مس يا ماده رس��اناي‬ ‫ديگري كه اتصال با س��اير ترانزيس��تورها را برقرار‬ ‫مي‌كند پر مي‌شوند‪.‬‬

‫‪8‬‬

‫‪.19‬آبكاري الكتريكي (الكتروليز)‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫ويفرها در اين مرحله در مايع سولفات مس قرار‬ ‫مي‌گيرند‪ .‬يونهاي مس توس��ط عملي كه الكتروليز‬ ‫خوانده مي‌ش��ود توسط عملي كه الكتروليز خوانده‬ ‫مي‌شود روي سطح ترانزيستورها نشانده مي‌شوند‪.‬‬ ‫يونه��اي مس از پايانه مثبت (آن��د) به پايانه منفي‬ ‫(كاتد) كه سطح ويفر باشد مهاجرت مي‌كنند‪.‬‬

‫‪ .20‬پس از الكتروليز‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬ ‫اينها داي‌هاي منفردي هستند كه در مرحله قبل‬ ‫برش خورده اند ‪ .‬داي‌هاي نمايش داده شده در اينجا‬ ‫داي ب��راي پردازنده اينتل ‪( Core i5‬داي كوچك) و‬ ‫داي پردازنده گرافيك ‪( HD‬داي بزرگتر) هستند‪.‬‬ ‫‪.27‬پوشش گذاري (بسته بندي)‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬

‫‪11‬‬

‫‪ .24‬برش ويفر‬

‫مقياس‪ :‬سطح ويفر (‪ 12 ~ 300mm‬اينچ)‬ ‫ويفر به قطعاتي (موسوم به داي ‪ )Die‬برش داده مي‌شود‪.‬‬ ‫به عن��وان مثال براي پردازنده اينتل ‪ Core i5‬اين قطعه‬ ‫شامل يك تراشه پردازنده و يك تراشه گرافيك است‪ .‬ويفر‬ ‫تصوير باال تنها شامل پردازنده مركزي(‪ )CPU‬است‪.‬‬

‫‪ .25‬رها كردن داي‌هاي معيوب‬

‫مقياس‪ :‬سطح ويفر (‪ 12 ~ 300mm‬اينچ)‬ ‫داي‌هايي كه به آزمايش پاس��خ صحيح داده اند به‬ ‫مرحله بعد فرستاده مي‌شوند‪( .‬بسته بندي)‬

‫بسته بندي‬

‫‪ .26‬داي‌هاي منفرد‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~50-200 nm‬‬ ‫پس از الكتروليز يونهاي مس به صورت اليه نازكي‬ ‫از مس رويه ويفر را مي‌پوشانند‪.‬‬

‫‪15‬‬

‫تست ترتيبي ‪ /‬برش تراشه‬

‫مقياس‪ :‬سطح قطعه (‪ 0.5 ~ 10mm‬اينچ)‬ ‫كسري از يك ويفر آماده در آزمايش قابليتهاي اوليه‬ ‫قرار داده مي‌شود‪ .‬در اين مرحله الگوي آزمايش روي‬ ‫هر تك تراشه اجرا مي‌شود و پاسخ تراشه مشخص و‬ ‫با پاسخ صحيح مقايسه مي‌شود‪.‬‬

‫‪10‬‬

‫آبكاري (رسوب) فلز‬

‫‪1388‬‬ ‫تابستان ‪1390‬‬ ‫شماره‪ 1857‬پاييز‬ ‫شماره‬

‫الي��ه زيري��ن‪ ،‬داي‌ه��ا و الي��ه خن��ك كنن��ده‬ ‫(منتش��ركننده ح��رارت) بايد با هم جمع ش��وند تا‬ ‫مجموعا يك پردازنده كامل را شكل دهند‪ .‬اليه سبز‬ ‫زيرين واسط فيزيكي و الكتريكي اتصال پردازنده با‬ ‫ساير بخش��هاي سيستم كامپيوتر را فراهم مي‌كند‪.‬‬ ‫الي��ه نقره اي خن��ك كننده رويه هم يك واس��ط‬ ‫حرارتي است كه سيستم خنك كننده روي آن قرار‬ ‫مي‌گي��رد ‪ .‬اين كار پردازن��ده را در طول كار خنك‬ ‫نگه مي‌دارد‪.‬‬

‫‪ .28‬پردازنده‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬ ‫پردازنده تكميل شده است(در اين مثال پردازنده‬ ‫اينتل ‪ .) Core i5‬ريزپردازنده‪ ،‬پيچيده ترين محصول‬ ‫كارخان��ه اي اس��ت كه در جهان توليد مي‌ش��ود‪ .‬در‬ ‫حقيقت توليد ريزپردازنده شامل صدها مرحله است‬ ‫ك��ه مهمتري��ن آن كه در تصاوير ف��وق نمايش داده‬ ‫شده است‪ ،‬توليد در پاكيزه ترين محيط جهان است‬ ‫(‪.)Microprocessor Fab‬‬

‫آزمايش كيفيت‬

‫اليه‌هاي فلزي‬ ‫‪.29‬آزمايش كيفيت (‪)Class Tessting‬‬

‫‪ .21‬پرداخت‬

‫‪.22‬اليه‌هاي فلزي‬

‫مقياس‪ :‬س��طح ترانزيس��تور (ش��ش ترانزيستور‬

‫‪ .30‬دسته بندي‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬ ‫بس��ته به نتاي��ج تس��ت كالس‪ ،‬پردازنده‌هاي با‬ ‫مشخصات يكسان در سيني‌هاي انتقال (‪Transport‬‬ ‫‪ )Tray‬يكساني قرار داده مي‌شوند‪.‬‬ ‫‪ .31‬بسته تك فروشي‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬ ‫پردازنده‌هاي ساخته ش��ده و آزمايش شده (در‬ ‫اين تصوير پردازنده اينتل ‪ )Core i5‬بسته به مورد‬

‫منبع‪ :‬سايت ‪www.Intel.com‬‬

‫مقياس‪ :‬سطح ترانزيستور (‪)~ 50-200 nm‬‬ ‫م��واد اضاف��ي در اي��ن مرحله پرداخت ش��ده و‬ ‫برداشته مي‌شوند‪.‬‬

‫تركيبي ~ ‪)nm500‬‬ ‫اليه‌هاي چندگانه فلزي براي ايجاد ارتباط داخلي‬ ‫بين ترانزيستورهاي مختلف ايجاد مي‌شود(همانند‬ ‫س��يم)‪ .‬چگونگي اي��ن ارتباط دهي (سيمكش��ي)‬ ‫توس��ط تيم طراحي و معماري پردازنده مربوطه كه‬ ‫قابليت‌هاي آن را طراحي كرده اند مشخص مي‌شود‪.‬‬ ‫(به عنوان مثال ‪ .)Core i5‬هرچند تراشه‌هاي رايانه‬

‫به نظر بسيار تخت مي‌رسند‪ ،‬اما آنها در واقع ممكن‬ ‫اس��ت بيش از ‪ 30‬اليه براي تشكيل دادن مدارات‬ ‫مجتمع داشته باشند‪ .‬اگر شما به يك تصوير بزرگ‬ ‫ش��ده از يك تراشه نگاه كنيد‪ ،‬ش��بكه پيچيده اي‬ ‫از خط��وط مداري را مي‌بينيد كه همانند سيس��تم‬ ‫بزرگراه‌ه��اي پيش��رفته چند طبقه آين��ده به نظر‬ ‫مي‌رسند‪.‬‬

‫مقياس‪ :‬سطح بسته (‪ 1 ~ 20mm‬اينچ)‬ ‫در طول اين تس��ت نهاي��ي‪ ،‬پردازنده‌ها در مورد‬ ‫مشخصات كليدي شان مورد آزمايش قرار مي‌گيرند‬ ‫(در طول اين آزمايش��ات اتالف ان��رژي و باالترين‬ ‫فركانس كاري آنها مشخص مي‌شود)‪.‬‬ ‫*توضيح‪ :‬هس��ته ش��مش ساخته ش��ده و مركز‬ ‫ويفرهاي استفاده شده داراي كمترين ناخالصي بوده‬ ‫و در فركانس‌هاي باالتري كار مي‌كند‪ .‬به ميزاني كه‬ ‫ناخالصي بيشتر باشد‪ ،‬اتالف توان حرارتي باالتر بوده‬ ‫و فركانس كاري امن پردازنده كمتر است‪ .‬اين دليل‬ ‫تفاوت فركانس كاري پردازنده‌هاي مختلف و امكان‬

‫اوركالك كردن آنها است‪.‬‬

‫سفارش در سيني‌هاي انتقال به كارخانه‌هاي ساخت‬ ‫كامپيوتر(‪ )Tray‬يا در جعبه‌هايي مطابق ش��كل به‬ ‫فروشگاههاي خرده فروشي فرستاده مي‌شوند‪.‬‬ ‫*توضي��ح‪ :‬براي همي��ن مرحله بس��ته بندي و‬ ‫اضافه شدن فن و قيمت جعبه و متعلقات است كه‬ ‫پردازنده‌هاي ‪Tray‬در بازار ارزان تر هستند ولي شما‬ ‫ديگر از فن اصلي (اريجينال) ش��ركت و اطمينان از‬ ‫كيفيت كاالي خريداري شده مطمئن نخواهيد بود‬ ‫چون در سالهاي گذشته پيش آمده كه سودجويان‬ ‫با تعويض روكش پردازنده سرعت باالتري روي آن‬ ‫حك كرده و كالهبرداري كرده‌اند‪ .‬‬ ‫كد مطلب‪J57009 :‬‬


Issuu converts static files into: digital portfolios, online yearbooks, online catalogs, digital photo albums and more. Sign up and create your flipbook.