فناوري
1390 تابستان1388 57پاييز شماره 18
14
6
.15شستن ماده مقاوم
7
9
قلم زني ()Etching
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm ماده حس��اس تغييريافته شسته ميشود و طرح الگوي ماسك استفاده شده باقي ميماند( .مستطيل تيره در اينجا).
فناوري
.16قلم زني
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm ماده مقاوم (باقيمانده) سطح عايق فوق مقاوم زيرينش را از پاك شدن محافظت ميكند .باقي عايق بدون حفاظ توسط مواد شيميايي شسته ميشود(قلم زده ميشود چون در نهايت سوراخهايي باقي ميماند).
.17پاك كردن ماده مقاوم (باقيمانده)
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm پس از حذف ماده عايق اضافه و برداشته شدن اليه مقاوم طرح باال برجاي ميماند.
.23آزمايش ترتيبي ويفر
.18ترانزيستور آماده
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm اين ترانزيستور آماده كامل شدن است .سه سوراخ روي ماده جداكننده (رنگ قرمز) ايجاد ميش��ود(با قل��م زني) .اين س��وراخها با مس يا ماده رس��اناي ديگري كه اتصال با س��اير ترانزيس��تورها را برقرار ميكند پر ميشوند.
8
.19آبكاري الكتريكي (الكتروليز)
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm ويفرها در اين مرحله در مايع سولفات مس قرار ميگيرند .يونهاي مس توس��ط عملي كه الكتروليز خوانده ميش��ود توسط عملي كه الكتروليز خوانده ميشود روي سطح ترانزيستورها نشانده ميشوند. يونه��اي مس از پايانه مثبت (آن��د) به پايانه منفي (كاتد) كه سطح ويفر باشد مهاجرت ميكنند.
.20پس از الكتروليز
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ) اينها دايهاي منفردي هستند كه در مرحله قبل برش خورده اند .دايهاي نمايش داده شده در اينجا داي ب��راي پردازنده اينتل ( Core i5داي كوچك) و داي پردازنده گرافيك ( HDداي بزرگتر) هستند. .27پوشش گذاري (بسته بندي)
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ)
11
.24برش ويفر
مقياس :سطح ويفر ( 12 ~ 300mmاينچ) ويفر به قطعاتي (موسوم به داي )Dieبرش داده ميشود. به عن��وان مثال براي پردازنده اينتل Core i5اين قطعه شامل يك تراشه پردازنده و يك تراشه گرافيك است .ويفر تصوير باال تنها شامل پردازنده مركزي( )CPUاست.
.25رها كردن دايهاي معيوب
مقياس :سطح ويفر ( 12 ~ 300mmاينچ) دايهايي كه به آزمايش پاس��خ صحيح داده اند به مرحله بعد فرستاده ميشوند( .بسته بندي)
بسته بندي
.26دايهاي منفرد
مقياس :سطح ترانزيستور ()~50-200 nm پس از الكتروليز يونهاي مس به صورت اليه نازكي از مس رويه ويفر را ميپوشانند.
15
تست ترتيبي /برش تراشه
مقياس :سطح قطعه ( 0.5 ~ 10mmاينچ) كسري از يك ويفر آماده در آزمايش قابليتهاي اوليه قرار داده ميشود .در اين مرحله الگوي آزمايش روي هر تك تراشه اجرا ميشود و پاسخ تراشه مشخص و با پاسخ صحيح مقايسه ميشود.
10
آبكاري (رسوب) فلز
1388 تابستان 1390 شماره 1857پاييز شماره
الي��ه زيري��ن ،دايه��ا و الي��ه خن��ك كنن��ده (منتش��ركننده ح��رارت) بايد با هم جمع ش��وند تا مجموعا يك پردازنده كامل را شكل دهند .اليه سبز زيرين واسط فيزيكي و الكتريكي اتصال پردازنده با ساير بخش��هاي سيستم كامپيوتر را فراهم ميكند. الي��ه نقره اي خن��ك كننده رويه هم يك واس��ط حرارتي است كه سيستم خنك كننده روي آن قرار ميگي��رد .اين كار پردازن��ده را در طول كار خنك نگه ميدارد.
.28پردازنده
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ) پردازنده تكميل شده است(در اين مثال پردازنده اينتل .) Core i5ريزپردازنده ،پيچيده ترين محصول كارخان��ه اي اس��ت كه در جهان توليد ميش��ود .در حقيقت توليد ريزپردازنده شامل صدها مرحله است ك��ه مهمتري��ن آن كه در تصاوير ف��وق نمايش داده شده است ،توليد در پاكيزه ترين محيط جهان است (.)Microprocessor Fab
آزمايش كيفيت
اليههاي فلزي .29آزمايش كيفيت ()Class Tessting
.21پرداخت
.22اليههاي فلزي
مقياس :س��طح ترانزيس��تور (ش��ش ترانزيستور
.30دسته بندي
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ) بس��ته به نتاي��ج تس��ت كالس ،پردازندههاي با مشخصات يكسان در سينيهاي انتقال (Transport )Trayيكساني قرار داده ميشوند. .31بسته تك فروشي
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ) پردازندههاي ساخته ش��ده و آزمايش شده (در اين تصوير پردازنده اينتل )Core i5بسته به مورد
منبع :سايت www.Intel.com
مقياس :سطح ترانزيستور ()~ 50-200 nm م��واد اضاف��ي در اي��ن مرحله پرداخت ش��ده و برداشته ميشوند.
تركيبي ~ )nm500 اليههاي چندگانه فلزي براي ايجاد ارتباط داخلي بين ترانزيستورهاي مختلف ايجاد ميشود(همانند س��يم) .چگونگي اي��ن ارتباط دهي (سيمكش��ي) توس��ط تيم طراحي و معماري پردازنده مربوطه كه قابليتهاي آن را طراحي كرده اند مشخص ميشود. (به عنوان مثال .)Core i5هرچند تراشههاي رايانه
به نظر بسيار تخت ميرسند ،اما آنها در واقع ممكن اس��ت بيش از 30اليه براي تشكيل دادن مدارات مجتمع داشته باشند .اگر شما به يك تصوير بزرگ ش��ده از يك تراشه نگاه كنيد ،ش��بكه پيچيده اي از خط��وط مداري را ميبينيد كه همانند سيس��تم بزرگراهه��اي پيش��رفته چند طبقه آين��ده به نظر ميرسند.
مقياس :سطح بسته ( 1 ~ 20mmاينچ) در طول اين تس��ت نهاي��ي ،پردازندهها در مورد مشخصات كليدي شان مورد آزمايش قرار ميگيرند (در طول اين آزمايش��ات اتالف ان��رژي و باالترين فركانس كاري آنها مشخص ميشود). *توضيح :هس��ته ش��مش ساخته ش��ده و مركز ويفرهاي استفاده شده داراي كمترين ناخالصي بوده و در فركانسهاي باالتري كار ميكند .به ميزاني كه ناخالصي بيشتر باشد ،اتالف توان حرارتي باالتر بوده و فركانس كاري امن پردازنده كمتر است .اين دليل تفاوت فركانس كاري پردازندههاي مختلف و امكان
اوركالك كردن آنها است.
سفارش در سينيهاي انتقال به كارخانههاي ساخت كامپيوتر( )Trayيا در جعبههايي مطابق ش��كل به فروشگاههاي خرده فروشي فرستاده ميشوند. *توضي��ح :براي همي��ن مرحله بس��ته بندي و اضافه شدن فن و قيمت جعبه و متعلقات است كه پردازندههاي Trayدر بازار ارزان تر هستند ولي شما ديگر از فن اصلي (اريجينال) ش��ركت و اطمينان از كيفيت كاالي خريداري شده مطمئن نخواهيد بود چون در سالهاي گذشته پيش آمده كه سودجويان با تعويض روكش پردازنده سرعت باالتري روي آن حك كرده و كالهبرداري كردهاند . كد مطلبJ57009 :