4.3 มอสเฟต (MOSFET) มอสเฟต (MOSFET: Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) เป็นทรานซิสเตอร์ ประเภทหนึ่งที่ใช้อิทธิพลสนามไฟฟ้าในการควบคุมสัญญาณไฟฟ้า หรือที่เรียกว่า ทรานซิสเตอร์สนามไฟฟ้า (FET: Field Effect Transistor) และเป็นอุปกรณ์ที่มีสามขา คือ ขาเกต (G: Gate) ขาเดรน (D: Drain) และ ขาซอร์ส (S: Source) มอสเฟตทําหน้าที่เป็นสวิตช์เปิด-ปิดในวงจรอิเล็กทรอนิกส์ ควบคุมการไหลของกระแสระหว่างขา D และ S โดยใช้ขา G เป็นขาควบคุม (Control Terminal) เพื่อสร้างสนามไฟฟ้าในชั้นออกไซด์ของเกต (Gate Oxide) และสร้างช่องนํากระแส (Channel) ระหว่างบริเวณเดรนและซอร์สในสารกึ่งตัวนํา ซึ่งอยู่ใต้ออกไซด์ ของเกต ทําให้ความต้านทานระหว่างขา D และ S เปลี่ยนแปลงได้ โดยเปลี่ยนจากความต้านทานสูงมากเป็น ความต้านทานต่ํามาก (นําไฟฟ้าได้ดี) ทรานซิสเตอร์แบบมอสเฟตจะใช้แรงดันที่ขาเกตกําหนดสถานะ (โหมด) ในการทํางาน แต่ทรานซิสเตอร์รอยต่อคู่ จะใช้กระแสไหลที่ขาเบสกําหนดสถานะ (โหมด) ในการทํางาน มอสเฟต แบ่งออกเป็นสองประเภทหลักคือ N-Channel และ P-Channel มอสเฟต นิยมนํามาใช้เป็น สวิตช์ทางไฟฟ้าในวงจรดิจิทัล สัญลักษณ์ทางไฟฟ้าสําหรับมอสเฟตชนิดเอ็น (N-Channel MOSFET หรือ nMOSFET) และมอสเฟตชนิดพี (P-Channel MOSFET หรือ pMOSFET) มีลักษณะตามรูปที่ 4.16 และให้ สังเกตความแตกต่างระหว่างสัญลักษณ์สําหรับทรานซิสเตอร์แบบ nMOSFET (ลูกศรชี้เข้าจากขา S) และ pMOSFET (ลูกศรชี้ออกไปยังขา S)
รูปที่ 4.16: สัญลักษณ์ทางไฟฟ้าของทรานซิสเตอร์แบบ nMOSFET และ pMOSFET
159