Práctica Transistor BJT Introducción Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si éste es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican como están ubicadas las terminales de emisor, colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicación es correcta y que el dispositivo este en buen estado. En el caso, en que no se cuente con la información suficiente, mediante algunas mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
Objetivos • • • • •
Identificar las terminales del transistor bipolar. Comprobar el efecto transistor. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unión base-emisor y de la unión colector-base de un transistor bipolar de silicio de tecnología planar. Obtener las curvas características de entrada del transistor bipolar en configuración de emisor común. Observar su variación con el voltaje de colector-emisor. Hacer conclusiones y reportar los datos, gráficas y mediciones llevadas a cabo durante la realización de esta práctica.
Teoría 1.- Entregue las hojas de especificación de los transistores. 2.- Entregue un pequeño resumen del comportamiento del Transistor (Símbolos, construcción interna, diagrama típico de uniones, modelo matemático, comportamiento gráfico de entrada y salida, principales parámetros y su definición, circuitos equivalentes, parámetro "h", polarización típica y bibliografía. Equipo Para realizar la presente práctica es necesario: • Un transistor de germanio npn AC127 o equivalente • Cuatro transistores de silicio npn BC547 o equivalente • Resistores 1K(4), 100K a 0.5w (1) • Un osciloscopio • Generador de funciones Desarrollo
1.- Identificar las terminales del transistor bipolar. a) Usar el multímetro en su función de óhmetro y aplicar la prueba conocida como "prueba del amplificador" e identificar las terminales del transistor. Use un multímetro analógico en su función de óhmetro. Mida el efecto rectificante entre las uniones emisor-base y colector-base (para el caso de un transistor NPN, cuando se coloca el positivo de la fuente interna del óhmetro en la base (P) y el negativo en cualquiera de las otras dos terminales deberá medirse baja resistencia, al invertir esta polaridad, la resistencia medida deberá ser alta (use la misma escala del multímetro para la realización de estas pruebas). Entre las terminales de colector-emisor se observará alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las terminales del óhmetro. Con estas mediciones