Page 1

АКАДЕМІЯ НАУК ВИЩОЇ ШКОЛИ УКРАЇНИ СЕРІЯ «ВИЗНАЧНІ УЧЕНІ»

Віталій Іларіонович СТРІХА 1931 – 1999

Київ 2011 Видавництво «К.І.С.»


Редакційна колегія М.В.Стріха, академік, д.ф.м.н. (голова); І.В.Бейко, академік, д.т.н., проф.; В.Т.Грінченко, академік НАН України, д.ф.м.н., проф.; М.І.Дробноход, академік, д.г.м.н., проф.: В.В.Ільченко, академік, д.ф.м.н., проф.; В.Г.Литовченко, член-кореспондент НАН України, д.ф.м.н., проф..

Книжку присвячено пам’яті визначного українського ученого-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої школи України В.І.Стріхи (1931–1999). Вона містить матеріали про різні аспекти життя В.І.Стріхи, бібліографію його наукових праць, спогади про ученого, його науково-популярні й публіцистичні статті останніх років життя. Видання розраховано на всіх, хто цікавиться історією української науки і вищої школи.

Друкується за постановою Президії АН вищої школи України від 28 березня 2011 року.

ISBN 978-966-2141-74-0


Стріха СТРІХА Віталій Іларіонович Віталій Іларіонович (30.05.1931 – 08.02.1999) (30.05.1931 - 08.02.1999) доктор фізико-математичних наук, професор, доктор фізико-математичних наук, професор, лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки, лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки, перший президент Академії наук вищої школи України перший президент Академії наук вищої школи України 4


ЗМІСТ Основні події і дати життя В.І.Стріхи................................................................ 5 Бібліографія основних друкованих праць В.І.Стріхи..................................... 13 Кандидати наук, які захистили дисертації під науковим керівництвом В.І.Стріхи, та теми їхніх робіт......................................................... 41 Навчальні курси, які розробив і читав В.І.Стріха........................................... 43 Водні походи, які організував і в яких брав участь В.І.Стріха...................... 44

Статті В.І. Стріхи

Відновлювані джерела енергії як основа економічної незалежності України.......................................................................................................... 48 Шляхами поступу.............................................................................................. 53 Три радянські міфи української науки............................................................. 55 Національна еліта – справжня чи «чорна»? (проблеми виховання еліти незалежної України............................................................................ 61 Напівпровідникові сенсори – перспективний напрям напівпровідникової електроніки..................................................................................... 67

Cтатті та спогади про В.І. Стріху

М.В.Стріха. Віталій Іларіонович Стріха: портрет на тлі історичної доби......................... 75 В.Г.Литовченко Спогад про Віталія Іларіоновича Стріху, видатного українського фізика, мого колегу і друга.......................................................................... 88 М.Г.Находкін Мій друг Віталій Стріха.................................................................................... 91 В.Т.Грінченко Віталій Стріха: штрихи до портрету................................................................ 94 М.І.Дробноход Академік Віталій Іларіонович Стріха – знакова постать в історії української науки......................................................................................... 96 А.Л.Бойко Віталій Іларіонович Стріха — інтелігент і видатний науковець................... 99 Ю.І.Чутов Невиголошений виступ на Перших Академічних читаннях пам’яті В.І.Стріхи 7 лютого 2004 року.................................................................. 101 Р.П.Зорівчак Раз добром нагріте серце…: запізніла подяка............................................... 105 Ф.О.Тишко Пам’яті академіка В.І.Стріхи.......................................................................... 107 Н.М.Гула З книги «Вірші» (2001).................................................................................... 108


Основні події і дати життя В.І. Стріхи 30 травня 1931 р. У родині Наталі Бурчик та Іларіона Стріхи в Києві народився син Віталій. Його дитинство минає на Лук’янівці в старому будинку по вул.Дикій,  5  (знесений у  1980-ті  рр., на теперішній вул.В.Дончука №5 має інший будинок) без комунальних вигод і з колонкою у подвір’ї. 1938 р., вересень. Пішов до першого класу середньої школи №1 м.Києва. 1939 р. Наталя Бурчик та Іларіон Стріха розлучилися. 1941 р., вересeнь. Київ захоплюють німці. Віталій Стріха, не встигши почати навчання в  4-му класі, разом з мамою-геологом Наталею Бурчик, бабусею-вчителькою Ганною Бузницькою-Бурчик і дідусем-бухгалтером Андрієм Бурчиком опиняється на окупованій території. Стає свідком вибухів на Хрешатику. Неподалік від Дикої по вулиці Артема йдуть колони приречених до Бабиного Яру. 1941–1943 (?). Навчання у відкритій Київською міською управою школі, де вчителювала бабуся. 1942 р., 27 грудня. Від виразки шлунку помирає дідусь Андрій (похований на Лук’янівському кладовищі). 1943 р., початок. Через голод і терор у Києві родина перебирається до села Немиринці Ружинського р-ну Житомирської обл. 1944 р. Визволення. Повернення до Києва. Наталя Бурчик працює асистентом кафедри мінералогії Київського ун-ту, Ганна Бурчик — учителькою початкових класів школи №55. Відновлення навчання у 4-му класі середньої школи №55 м.Києва. 1950 р. Закінчує с.ш. №55 з золотою медаллю і вступає на фізичний ф-т Київського державного університету ім.Т.Г.Шевченка. Серед однокурсників — Володимир Литовченко (пізніше — член-кореспондент НАН України, президент Українського фізичного товариства). 1952 р, липень. Отримує другий спортивний розряд з легкої атлетики (спортивна ходьба). 1953  р. Переведений на новостворений радіофізичний ф-т КДУ ім.Т.Г.Шевченка. 1955  р, липень. Закінчує університет за спеціальністю «фізика напівпровідників», отримує кваліфікацію «фізик-дослідник». 1955 р, 1 вересня. Зарахований на посаду інженера радіофізичного факультету КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Працює під науковим керівництвом академіка В.Є.Лашкарьова. 1956 р., 14 січня. Отримав третю категорію з шахів. 20 січня. Переведений на посаду старшого інженера радіофізичного факультету. 1 серпня. Переведений на посаду молодшого наукового співробітника радіофізичного факультету. 1957 р. Поява друком перших наукових робіт (у співавторстві з В.Є.Лаш­ карьовим, В.Г.Литовченком та ін.).

–5–


Серпень. Перша серйозна туристична подорож через Кавказький хребет. 21.08.57 насилає картку до мами з озера Ріца: «Ура! Я уже в Ріці. Через 7 перевалів, 15 днів у палатці, у лісі, на каменях, серед льоду і снігу. Тепер все позаду. Цілую, Вітя». 1958 р. Знайомство з 22-річною студенткою 5 курсу Київського медичного інституту Надією Гулою, дочкою професора Марії Коломійченко і академіка, на той час віце-президента АН УРСР Максима Гулого. 12 червня отримав третій спортивний розряд з туризму. Липень. Участь спільно з Надією Гулою в літньому човновому поході по річці Білій на Уралі. 20 вересня. Надія Гула і Віталій Стріха взяли шлюб. Віталій Стріха переїздить жити до родини дружини на вулицю Леніна, 42, кв.24. У цій квартирі він житиме до кінця життя. 1959 р. Складає кандидатські іспити: «діалектичний та історичний матеріалізм» (задовільно), «англійська мова» (добре), «квантова механіка» (добре). 1960 р. 13–30 червня. Туристична подорож молодого подружжя по Дунаю від Відня і до гирла — їхня перша закордонна подорож. 1961 р., 1 травня. Переведений на посаду старшого наукового співробітника заснованої В.Є.Лашкарьовим лабораторії напівпровідникових діодів радіофізичного факультету. 24 червня. У Надії Гулої і Віталія Стріхи народився син Максим. 1962 р., 21 січня. Складає кандидатський іспит з фізики напівпровідників (відмінно). 30 червня. На об’єднаній раді Інститутів фізики, металофізики і напівпровідників АН УРСР захистив дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук «Дослідження фізичних процесів у точкових діодах і їхні зв’язки з властивостями напівпровідника» (обсяг першої, «відкритої» частини дисертації становить 161 стор. плюс 17 сторінок літератури). 1963. 30  липня  —  6  серпня. Пройшов разом з дружиною пішохідний маршрут №42 по Воєнно-осетинській дорозі (160 км). Присвоєно значок «Турист СРСР». Кінець року. Подала до захисту кандидатську дисертацію «Дослідження деяких властивостей чистої поверхні германію і кремнію» Юй Лі-шень, перша аспірантка Віталія Стріхи (пізніше — професор Пекінського університету). Початок формування наукової школи В.І.Стріхи. 1965 р., 1 квітня. Призначений завідувачем лабораторії фізики і техніки напівпровідників радіофізичного ф-ту КДУ ім.Т.Г.Шевченка (очолював її до останніх днів життя). 1966 р., липень-серпень. Очолює байдаркову групу під час походу по річці Вуокса та озерах Кольського перешийку (до групи також входять Віктор Грінченко, пізніше академік НАН України, Віталій Савченко, пізніше професор КДУ,  Надія Гула, пізніше член-кореспондент НАН  та

–6–


НАМН України). До 1996 р. щорічно проводив літню відпустку в байдарковому поході. 1968 р.. Виходить монографія В.І.Ляшенка, В.Г.Литовченка, І.І.Степка, В.І.Стріхи, Л.В.Ляшенко. «Электронные явления на поверхности полупроводников» (Під загальною редакцією профессора В.І.Ляшенка; Київ: «Наукова думка», 1968. — 400 с.). В.І.Стріхою одноосібно написано розділ Х монографії: «Вплив поверхневих станів на електричні властивості контакту метал-напівпровідник» (С.302–349). 1969 р., 6 березня. На засіданні вченої ради КДУ ім.Т.Г.Шевченка захищає докторську дисертацію «Дослідження фізичних процесів у контакті метал-напівпровідник» (офіційні опоненти: член-кореспондент АН  УРСР  К.Б.Толпиго, д.т.н.В.О.Прєснов, д.ф.м.н. О.Г.Міселюк). Обсяг першої, «відкритої» частини дисертації становить 420 стор. Затверджений ВАК СРСР доктором фізико-математичних наук 18 вересня 1970 р. 1970  р.,  21  грудня. Постановою ЦК  КП  України і Ради Міністрів УРСР №634 присуджено Державну премію Української РСР в галузі науки і техніки (в складі колективу авторів монографії «Електронні явища на поверхні напівпровідників»). 1972 р, квітень: вступ до КПРС, що було передумовою дальшої наукової кар’єри. 4 жовтня — 1 листопада. Поїздка до Польщі — друга в житті закордонна поїздка і перше наукове відрядження. Читає лекції з контактних явищ у напівпровідниках студентам Ягеллонського університету (Краків). Перша участь у виборах на вакансію члена-кореспондента АН УРСР: результат невтішний. Надалі безуспішно балотувався до АН УРСР ще 7 разів (востаннє в січні 1988 р.). 1973 р., 9 березня. Затверджений ВАК СРСР професором за спеціальністю «фізика напівпровідників і діелектриків». 9 листопада. Обраний за конкурсом професором кафедри фізики напівпровідників радіофізичного ф-ту. 1974  р. Виходять друком дві монографії: В.И.Стриха. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник (Киев: «Наукова думка», 1974. — 265 с) та В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, И.А.Радзиевкий. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (Москва: «Советское радио», 1974. — 248 с.), у яких систематизовано результати робіт з фізики контакту метал-напівпровідник, що здобули на той час загальне визнання і мали широке практичне впровадження при виробництві НВЧ пристроїв. Серпень. Велика автомобільна подорож Західною Україною й Білоруссю разом з матір’ю, дружиною, сином і родиною В.Г.Литовченка. 1975 р., 7 лютого. Помирає Ганна Терентіївна Бурчик — бабуся В.І.Стріхи. 28 червня — обраний за конкурсом на посаду завідувача кафедри фізики напівпровідників (очолював кафедру до 1996 р.). Грудень  — читання лекцій з контактних явищ у напівпровідниках у Братиславському університеті (тоді — ЧССР).

–7–


1979 р, грудень. Читання лекцій з контактних явищ у напівпровідниках у Дебреценському університеті (Угорщина). 1970-ті  — поч.1980-х  рр. Активна робота в Товаристві «Знання» УРСР,  зокрема на посаді голови Науково-методичної ради з пропаганди фізики і математики Київської міської організації. Водночас станом на 1.10.1981 р. є членом комісії з приладобудування при Київському міськкомі КПУ,  членом ради директорів НПО  «Електроніка», членом бюро Ради з фізики напівпровідників АН  УРСР,  членом Секції з гетероструктур АН  СРСР,  членом Секції з фізики і хімії напівпровідників Мінвузу СРСР, членом Секції з фізики та головою Секції з фізики напівпровідників МВССО УРСР, членом спеціалізованих рад із захисту в КДУ та в Ін-ті напівпровідників АН УРСР, членом Ученої ради КДУ, членом програмового комітету Всесоюзної конференції з фізики напівпровідників (Баку, 1982). За підрахунком В.І.Стріхи, ці та інші громадські доручення (засідання, підготовка до них та дорога) забирають близько 100 годин на місяць, тобто понад 60% робочого часу! 1981,  13  квітня. Раптово від інфаркту помирає мати, Наталя Андріївна Бурчик. 4  червня. У зв’язку з  50-річчям нагороджений Почесною грамотою МВССО УРСР. 1980-ті рр. Розгортання робіт з фотовольтаїки (разом з С.С.Кільчицькою та ін.). Вихід (попри спротив цензури) першої україномовної брошури, присвяченої проблемам фотовольтаїки (В.І.Стріха. Сонячна енергетика і проблеми її розвитку. Київ: Товариство «Знання» УРСР, 1983). Перші виступи проти безальтернативності атомної енергетики (В.І.Стріха. СЕС чи АЕС? // Прапор. — 1988. — №1. — С.148–153). 1984 р., 27 серпня. З ініціативи ректора академіка М.У.Білого призначений на посаду проректора з навчальної роботи КДУ ім.Т.Г.Шевченка. 1985  р.,  17  червня. Ректором В.В.Скопенком переведений на посаду проректора з наукової роботи. Листопад. Перше в житті відрядження до країни, що не входить до «соціалістичного табору» — Фінляндії. 1986  р.,  6  серпня. У Львові помирає батько, кандидат технічних наук Іларіон Опанасович Стріха, який у повоєнний час був одним із провідних в Україні фахівців з механічної обробки деревини. Похований на Брюховицькому кладовищі. 1986–1993 рр. Керівник одного з основних наукових напрямків діяльності Київського ун-ту: «Електроніка твердого тіла, напівпровідників і структур на їх основі. Фізика поверхні та контактні явища у напівпровідниках». 1986–1990 рр. Голова Координаційної ради спільної наукової програми АН УРСР та МВССО УРСР «Фізичні властивості нових напівпровідникових матеріалів та створення на їх основі пристроїв та систем». Голова Секції «Фізичні явища в гетеро структурах» Наукової ради АН УРСР з проблеми «Фізика напівпровідників».

–8–


1987 р. Зацікавлення новою тематикою — біосенсорами. Підготовка разом з А.А.Шульгою першого в Україні огляду, присвяченого біосенсорам (вийшов у «Віснику АН УРСР», №2, 1988). 1988,  15  січня. В.І.Стріха востаннє бере участь у виборах до АН  УРСР.  З  34  членів відділення фізики і астрономії, які твердо обіцяли проголосувати «за», реально підтримали 25. «Обманули — 9» — нотує того дня В.І.Стріха. «Прохідний бал» становив 33 голоси. 27 серпня. Народилася онука Ярослава. 1980-ті, кінець. Наростання конфлікту, пов’язаного з різними світоглядними принципами демократичного і толерантного В.І.Стріхи і авторитарного В.В.Скопенка. На засіданні бюро парткому КДУ 19 травня 1989 р. роботу НДЧ університету з ініціативи ректора піддано шельмуванню. Того ж дня В.І.Стріха на знак протесту написав заяву про звільнення з посади проректора. Однак ректор цього разу спустив її «на гальмах». 1990 р., початок. Готує звернення до Голови Комітету з науки, освіти, культури та виховання Верховної Ради СРСР Ю.Рижова та Голови Держкомосвіти СРСР Г.Ягодіна, присвячене проблемам університетської науки. 2 квітня. Звільнений з посади проректора і залишений на посаді завідувача кафедри фізики напівпровідників радіофізичного факультету. 1991 р., лютий. Припиняє членство в КПРС. 11  квітня. Дружину, Надію Гулу, обирають член-кореспондентом НАН України за спеціальністю «медична біохімія». Початок активних наукових контактів з «Еколь централь» (м.Ліон, Франція) в рамках робіт з сенсорної тематики. Своєрідний науковий «міст» Ліон-Київ дозволяє кафедрі пережити колапс початку  1990-х. «Сенсорні» роботи В.І.Стріхи цього часу мають високий індекс цитування. Роботу A.M.Nyamsi Hendji, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet, P. Clechet, A.A.  Shlu’ga, V.I.Strikha, L.I.  Netchiporuk, A.P.  Soldatkin, W.B.  Wlodarski. Sensitive detection of pesticides using a differential ISFET-based system with immobilized cholinesterases  (Analytica Chimica Acta.  —  1993.  — v.281, n.1. — P.3–11) процитовано за даними ISI 63 рази. 1992–1996  рр. Науковий керівник Державної науково-технічної комплексної програми  5.21.04  «Нетрадиційні джерела енергії, включаючи сонячні, вітрові та електрохімічні». 1992  р. Бере активну участь у процесах реформування та демократизації української науки. Разом з професорами КДУ  ім.Т.Г.Шевченка М.І.Дробноходом та Ю.І.Чутовим формує ініціативну групу зі створення АН вищої школи України. 27 грудня на Установчих зборах обраний академіком (по відділенню фізики і астрономії) і першим президентом АН ВШ України. 1992–1999 рр. як президент приділяє великі зусилля організаційній розбудові АН вищої школи України, неодноразово звертається до органів влади і посадових осіб у справі підтримки й реформування української науки і вищої освіти, виступає в ЗМІ. 1994 р., 1 вересня. Отримує звання «Соросівського професора».

–9–


1995 р.. Присуджено Нагороду Ярослава Мудрого АН ВШ України в галузі науки і техніки за роботи із сенсорної тематики. 16  грудня. Обрано президентом АН  вищої школи України на другий трирічний термін. 26 грудня. Діагностовано злоякісну пухлину передміхурової залози — аденокарциному. Останні роки життя В.І.Стріха мужньо і методично бореться з хворобою. 1996 р., 2 лютого. Через небажання ректора В.В.Скопенка продовжувати контракт залишає посаду завідувача кафедри і працює професором кафедри фізики напівпровідників радіофізичного ф-ту. Лютий. Бере активну участь у підготовці Всеукраїнської наради з питань науки. Друкує програмову статтю «Три радянські міфи української науки» («Дзеркало тижня», 16 березня). 1996 р., липень. Бере участь у 23 Міжнародній конференції з фізики напівпровідників у Берліні. Серпень. Востаннє проводить літню відпустку у байдарковому поході по Десні від Чернігова і до Києва (200 км). 1997  р.,  20–24  вересня. Бере участь у Міжнародній конференції «Eurosensors-XI» у Варшаві. 31  жовтня. Докторську дисертацію «Оптичні та рекомбінаційні переходи в напівпровідниках з дефектами, деформаціями та неоднорідностями складу» захищає син Максим. 11–13  грудня. АН  вищої школи України за підтримки Міжнародного фонду «Відродження» проводить представницьку конференцію «Наука та освіта в Україні», учасниками якої стають понад 300 провідних українських науковців. 1998  р.,  1  червня  —  3  липня. Останнє наукове відрядження в рамках співпраці з «Еколь Централь» (Ліон, Франція). 3–7 липня. Дорогою до Києва бере участь у Міжнародній конференції з сонячної енергетики у Відні. 29 липня — 13 серпня. Відпочиває разом з дружиною, сином та онучкою на озері Світязь. Листопад. Купує разом з дружиною Надією Гулою стару селянську хату в селі Хоцьки на Переяславщині — рідному селі батьків, Наталки Бурчик і Ларіона Стріхи. 19 грудня. Загальні збори АН ВШ України. В.І.Стріху обрано президентом АН вищої школи України на третій трирічний термін. 1998–1999  рр,  25  грудня  —  17  січня. Лікується в санаторії «КончаЗаспа» під Києвом. 1999 р., 8 січня пише формально жартівливу «Конча-Заспівську відповідь дружині на зауваження про те, що нічого в житті не зроблено»: «Що ж зроблено: 1. Згуртована туристська група, з якою пройдено більше  40  походів (біля 10 тисяч кілометрів).

– 10 –


2. Створена унікальна кафедра (11 докторів наук,  4  державні премії, звання «зразкової» і т.ін.). 3. Створена наукова школа з контактних явищ (5 докторів, 30 кандидатів, 12 монографій, 5 всесоюзних конференцій і т.п.). 4. Прочитані курси лекцій для більше 10000 студентів (більше 20000 лекцій). 5. Задумана й організована Академія наук вищої школи України (418 академіків, 2800 докторів, 13000 кандидатів). 6. Організована лінія Україна-Франція (наукова робота, підготовка спеціалістів і т.ін.). 7. Організовані нові наукові напрямки (біосенсори, пористий кремній як матеріал для сенсорики). 8. Родив сина, здатного помножити цей список. Підпис.» 1 лютого. На засіданні Вченої ради КНУ ім.Т.Г.Шевченка повинне було розглядатися питання про присудження В.І.Стрісі почесного звання «Почесний професор Київського університету». Однак без пояснення причин ректор В.В.Скопенко переніс розгляд питання на майбутнє. Паралельно він зажадав від АН вищої школи України звільнити надану їй раніше кімнату на четвертому поверсі «червоного корпусу» КНУ. Ніч з 6 на 7 лютого. У В.І.Стріхи стався широкий інфаркт, його було госпіталізовано до клінічної лікарні «Феофанія» з песимістичним прогнозом. 8  лютого. Ранок. Внаслідок інтенсивної терапії стан В.І.Стріхи покращав. Він працював над рукописом статті V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E.  Souteyrand, J.-R.  Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon — silicon structurе (вийшла в Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964), на звороті останньої сторінки рукопису залишив записку для дружини: «Надю, у мене все в порядку. Навіть вдалось частково розсмоктати інфаркт. (…) Вася [В.В.Ільченко] хай проведе завтра семінар. Статтю віддайте Вікулову [В.Вікулов  — учень В.І.Стріхи, один з авторів статті]. Беріть «День». Абонемент на столі [В.І.Стріха передплачував газету «День» через книгарню «Академкнига»]. Вітя». Однак надвечір стан В.І.Стріхи погіршав і о 22.15 він помер. 10 лютого. Відспівування В.І.Стріхи відбулося в ритуальній залі лікарні «Феофанія», відспівував настоятель Свято-Михайлівської церкви отець Андрій Власенко (УПЦ  Київського патріархату). Громадське прощання відбулося на радіофізичному факультеті та в фойє «червоного корпусу» університету. Надійшли телеграми співчуття від учених різних країн, представників влади. Промовляли колеги, друзі й учні. О 14 год. В.І.Стріху було поховано на Байковому кладовищі поруч із його мамою і бабусею. 2004 р, 7 лютого. АН вищої школи України проведено Академічні читання пам’яті В.І.Стрихи, які відтоді щорічно відбуваються на початку лютого.

– 11 –


17 квітня. Загальні збори АН вищої школи України ухвалили відзначити В.І.Стріху Нагородою Святого Володимира за багатолітню роботу в ім’я розвитку науки і вищої освіти в Україні (посмертно). 2008 р. Роботу В.І.Стріхи «Випрямляючі властивості контакту металнапівпровідник», вперше надруковану у «Віснику КДУ ім.Т.Шевченка», серія «Фізика», за 1967 рік (саме на основі викладених у ній результатів було обґрунтовано можливість створення надвисокочастотних приладів на основі діоду Шотткі), вміщено в спецвипуску «Українського фізичного журналу», виданому до  90-річчя НАН  України, серед  35  найвидатніших праць українських фізиків за всі роки (разом зі статтями Л.Ландау, Л.Шубнікова, М.Боголюбова, С.Пекаря, К.Толпига, В.Лашкарьова, Н.Моргуліса та інших класиків вітчизняної науки).

– 12 –


Бібліографія основних друкованих праць В.І.Стріхи Книжки та брошури 1. В.И.Ляшенко, В.Г.Литовченко, И.И.Степко, В.И.Стриха, Л.В.Ляшенко. Электронные явления на поверхности полупроводников // Киев: «Наукова думка», 1968. — 400 с. 2. В.И.Стриха. Теоретические основы работы контакта металлполупроводник // Киев: «Наукова думка», 1974. — 265 с. 3. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, И.А.Радзиевкий. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки // Москва: «Советское радио», 1974. — 248 с. 4. В.І.Стріха, Є.В.Бузаньова, І.О.Радзієвський. Контакт металнапівпровідник у приладах радіоелектроніки // Київ: Товариство «Знання» УРСР, 1976. — 48 с. 5. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Достижения, перспективы исследования и применения приборов с барьером Шоттки // Киев: Общество «Знание» УССР, 1978. — 48 с. 6. В.И.Стриха, А.П.Ветров. Применение ЭВМ  в физическом эксперименте // Киев: Издательство КГУ, 1979. — 88 с. 7. В.И.Стриха. Контактные явления в полупроводниках // Киев: «Выща школа», 1982. — 224 с. 8. В.І.Стріха. Сонячна енергетика і проблеми її розвитку // Київ: Товариство «Знання» УРСР, 1983. — 16 с. 9. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Физические основы надежности контактов металл-полупроводник в интегральной электронике // Москва: «Радио и связь», 1987. — 256 с. 10. Ю.В.Воробьев, В.Н.Добровольский, В.И.Стриха. Методы исследования полупроводников // Киев: «Выща школа», 1988. — 232 с. 11. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Солнечные элементы на основе контакта металл-полупроводник // Санкт-Петербург: «Энергоатомиздат»,  1992. — 136 с. 12. Г.П.Пека. В.І.Стріха. Поверхневі та контактні явища у напівпровідниках // Київ: «Либідь», 1992. — 240 с.

Наукові статті

1957 1. Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко, В.І.Стріха, Р.М.Бон-даренко. Довгочасові інерційні явища на точковому германієвому контакті // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за  1956  рік.  —  1957.  — С.494–495. 2. В.Є.Лашкарьов, Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко, Р.М.Бондаренко, В.І.Стріха. Залежність часу життя сторонніх носіїв струму від концен-

– 13 –


трації домішки сурми в германії // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1956 рік. — 1957. — С.495–496. 3. В.Е.Лашкарев, В.Г.Литовченко, Н.М.Омельяновская, Р.Н.Бон-даренко, В.И.Стриха. Зависимость времени жизни сторонних носителей тока от концентрации примеси сурьмы в германии // Журнал технической физики. — 1957. — т.27, в.11. — С.2437–2439. 1958 4. Р.М.Бондаренко, В.І.Стріха, В.Г.Литовченко, Н.М.Омельяновська. Зв’язок струмової чутливості приймальних кристалічних детекторів з параметром α статичної вольтамперної характеристики // КДУ  ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за  1957  рік.  —  1958.  — С.309–310. 5. В.Г.Литовченко, В.І.Стріха. Вплив поверхневих рівнів прилипання на фотопровідність колектора // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1957 рік. — 1958. — С.316–317. 6. В.І.Стріха. Вивчення випростуючих властивостей контакту магній-сурма // КДУ  ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1957 рік. — 1958. — С.318–319. 7. В.Г.Литовченко, В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко. Ефект встановлення фото-е.р.с. точкового контакту на германії // Вісник КДУ. Серія фізики та хімії. — 1958. — Вип.1. — С.123–128. 8. В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко, Н.М.Омельяновська, В.Г.Литовченко. Вплив питомого опору і об’ємного часу життя носіїв струму матеріалу на струмову чутливість детекторів сантиметрового діапазону // Вісник КДУ. Серія фізики та хімії. — 1958. — Вип.1. — С.143–144. 9. Р.Н.Бондаренко, В.И.Стриха, Б.Л.Соколов. Экранирование щели измерительной линии дециметрового диапазона // Приборы и техника эксперимента. — 1958. — №2. — С.109–110. 1959 10. Р.М.Бондаренко, Є.Д.Майборода, В.І.Стріха. Залежність параметрів приймальних детекторів від потужності сигналу надвисокої частоти // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1958 рік. — 1959. — С.243–243. 11. Р.М.Бондаренко, Є.Д.Майборода, І.Г.Самбур, В.І.Стріха. До  методики дослідження схеми підключення нелінійного елементу детектора на надвисокій частоті // КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1958 рік. — 1959. — С.243. 12. Р.Н.Бондаренко, Е.Д.Майборода, В.И.Стриха. Измерение полных входных сопротивлений некоторых детекторов по методу шестиполюсника // Труды Госкомитета Совмина СССР  по радиоэлектронике. — 1959. — в.10. — С.37–44.

– 14 –


13. В.И.Стриха, Г.П.Зубрин. К вопросу о связи физических свойств с потерями преобразования смесительных диодов // Труды Госкомитета Совмина СССР по радиоэлектронике. — 1959. — в.10. — С.50–54. 14. В.Є.Лашкарьов, Р.М.Бондаренко, В.М.Добровольський, Г.П.Зубрін, В.Г.Литовченко, В.І.Стріха. Властивості германію з домішкою берилію // Український фізичний журнал. — 1959. — т.4, №3. — С.372– 375. 15. В.Е.Лашкарев, Р.Н.Бондаренко, В.Н.Добровольский, Г.П.Зубрин, В.Г.Литовченко, В.И.Стриха. Электрические и рекомбинационные свойства германия с примесью бериллия // В кн.: «Физика твердого тела. Сборник ІІ». Москва, 1959. — С.40–56. 1960 16. І.П.Редько, В.І.Стріха. Залежність швидкості поверхневої рекомбінації від концентрації носіїв струму та обробки поверхні для германію n- та p-типу // КДУ  ім.Т.Г.Шевченка. Науковий щорічник за 1959 рік. — 1960. — С.225–226. 1962 17. В.И.Стриха. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации германия от концентрации основных носителей заряда // В кн.: «Поверхностные свойства полупроводников». Москва: Изд. АН СССР. — 1962. — С.174–179. 1963 18. В.И.Стриха. К вопросу о применении диэлектрических прокладок при исследовании поверхностных свойств полупроводников // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1963. — №1. — С.96–98. 1964 19. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Об  измерении тонких пленок окиси на поверхности германия и кремния // Приборы и техника эксперимента. — 1964. — №3. — С.177–180. 20. В.И.Стриха. Расчет вольтамперной характеристики прижимного контакта металл-полупроводник с учетом пленки окисла // Радиотехника и электроника. — 1964. — т.9, №4. — С.681–687. 21. В.І.Стріха, Юй Лі-шень. Вивчення випрямляючих властивостей контакта метал  — сколота поверхня кремнію у надвисокому вакуумі // Український фізичний журнал. — 1964. — т.9, №9. — С.983–990. 22. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Зависимость скорости поверхностной рекомбинации кремния от концентрации основных носителей заряда // В кн.: «Поверхностные и контактные явления в полупроводниках». Томск, 1964. — С.34–39. 23. В.И.Стриха. К вопросу о расчете прямой ветви статической вольтамперной характеристики точечного контакта // В кн.: «Поверхностные

– 15 –


и контактные явления в полупроводниках». Томск, 1964.  — С.296– 306. 24. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева. Исследование зависимости высоты потенциального барьера в точечном контакте от контактной разности потенциалов // В кн.: «Поверхностные и контактные явления в полупроводниках». Томск, 1964. — С.335–344. 25. В.И.Стриха, Юй  Ли-шень. Влияние поверхностной пленки на выпрямительные свойства прижимного контакта металлполупроводник // Радиотехника и электроника. — 1964. — т.9, №11. — С.2192–2193. 1966 26. В.И.Стриха, К вопросу о расчете параметра α вольтамперной характеристики металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1966. — т.11, №11. — С.2092–2095. 27. В.И.Стриха. Исследование вольтамперных характеристик прижимного контакта металл — р-кремний (параметр α) // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1966. — вып.1. — С.132–142. 28. В.И.Стриха. Расчет вольтамперной характеристики точечного контакта металл-полупроводник с учетом зазора и двух типов носителей // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.  —  1966.  — вып.1. — С.143–151. 29. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Сверхвысокочастотные свойства полупроводниковых диодов с прижимным контактом I // В кн.: «Вопросы радиофизики и спектроскопии. Выпуск 2». — Москва: «Советское радио», 1966. — С.271–279. 30. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Сверхвысокочастотные свойства полупроводниковых диодов с прижимным контактом II  // В кн.: «Вопросы радиофизики и спектроскопии. Выпуск 2». — Москва: «Советское радио», 1966. — С.280–288. 31. І.О.Радзієвський, В.І.Стріха. До питання про природу «вигоряння» напівпровідникових надвисокочастотних діодів // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1966. — С.83–67. 1967 32. В.И.Стриха. Влияние поверхностных состояний на прямую ветвь вольтамперной характеристики контакта металл-полупроводник // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.30–38. 33. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О нахождении вольтамперной характеристики полупроводникового диода с малой площадью контакта // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.39– 42.

– 16 –


34. В.И.Стриха. Эквивалентная схема контакта металл-полупроводник при учете поверхностных состояний // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1967. — вып.2. — С.108–121. 35. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Исследование распределения контактного потенциала и толщины пленки окисла на поверхности германия и кремния // В кн: «Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников», 1967. — С.57–60. 36. В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характеристика контакта металл-полупроводник малой площади в предположениях диффузионной теории // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1967. — №7. — С.7–15. 37. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Скорость поверхностной рекомбинации на контакте полупроводника с металлом // Физика и техника полупроводников. — 1967. — т.1, в.7. — С.993–1000. 38. В.И.Стриха. Об оценке эффективности полупроводниковых диодов на СВЧ в случае обеднения у выпрямляющего контакта // Радиотехника и электроника. — 1967. — т.12, в.9. — С.1694–1697. 39. В.І.Стріха, І.О.Радзієвський. Перерозподіл домішки алюмінію поблизу поверхні кремнію при високотемпературному окисленні // Український фізичний журнал. — 1967. — т.12, №8. — С.1256–1258. 40. В.І.Стріха. Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1967. — №9. — С.110–116. 1968 41. В.И.Стриха, И.А.Радзиевский. Влияние обеднения на границе полупроводника с металлом на свойства сверхвысокочастоных диодов // Известия вузов СССР — радиоэлектроника. — 1968. — т.11, №4. — С.340–349. 42. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. О «медленных» состояниях на поверхности германия // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1968. — №11. — С.122–124. 43. В.І.Стріха, С.С.Кільчицька. Рекомбінація на контакті металнапівпровідник // Вісник КДУ.  Серія фізики.  —  1968.  — №  10.  — С.134–140. 1969 44. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О вольт-амперных характеристиках контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1969. — вып.3. -С.53–59. 45. Е.В.Бузанева, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Влияние абсорбции некоторых металлов на выпрямляющие свойства контакта W-pSi // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1969. — вып.3. — С.59–67. 46. Г.Е.Чайка, В.И.Стриха. Влияние электрон-электронного взаимодействия на вольтамперную характеристику и эквивалентную

– 17 –


47. 48.

49. 50.

схему контакта металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1969. — т.14, в.1. — С.178–180. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с туннельно непрозрачным зазором // Вісник КДУ. Серія фізики. — 1969. — №11. — С.107–111. В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Вольтамперная характеристика и эквивалентная схема контакта металл-полупроводник при учете токового нарушения функции распределения // Физика и техника полупроводников. — 1969. — т.3, в.4. — С.601–604. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Экспрессный метод измерения параметров полупроводниковых приборов // В кн.: «Автоматизация измерений полупроводниковых приборов». Рига, 1969. — С.105–110. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Автоматическое измерение и расчет входного сопротивления СВЧ-диодов с помощью электронной цифровой вычислительной машины // В кн.: «Автоматизация измерений полупроводниковых приборов». Рига, 1969. — С.111–118.

1970 51. В.И.Стриха. О дробовых шумах в диодах с барьером Шоттки // Физика и техника полупроводников. — 1970. — т.4, в.10. — С.1991–1993. 52. В.И.Стриха. Об  определении коэффициента прозрачности зазора в выпрямляющем контакте металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1970. — т.15, №11. — С.2428–2429. 1971 53. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. О влиянии свойств промывающих растворов на толщину окисной пленки на поверхности германия и кремния // Журнал физической химии. — 1971. — т.45, в.7. — С.1861. 54. В.И.Стриха. О заполнении локального уровня в контакте металлполупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1971. — №12. — С.35–42. 1972 55. В.И.Стриха, Д.И.Шека. К теории вольтамперной характеристики контакта металла с тонкой полупроводниковой пленкой // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.7. — С.105–110. 56. В.И.Стриха. Об  определении полной системы физических параметров диодов с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.7. — С.93–101. 57. С.С.Кильчицька, В.І.Стріха. Рекомбінація на контакті металнапівпровідник за участю поверхневої зони // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шев­ ченка. Серія фізики. — 1972. — №13. — С.95–99. 58. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. О физических основах изготовления смесительных СВЧ диодов с барьером Шоттки с минимальными потерями преобразования в случае линейного распределения примесей

– 18 –


59. 60.

61.

62.

в обедненной области // Электронная техника. Серия 2.  —  1972.  — №6. — С.34–40. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. О медленной релаксации заряда на поверхности германия // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1972. — №8. — С.153–156. И.А.Радзиевский, В.И.Стриха. Преобразование частоты на реальной вольтамперной характеристике контакта металл-полупроводник // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.8. — С.73–80. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум диодов с барьером Шоттки при наличии поверхностных электронных состояний в контакте // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.9. — С.38–44. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум диодов с барьером Шоттки при нарушении функции распределения носителей тока // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1972. — вып.10. — С.88– 90.

1973 63. В.І.Стріха, Д.І.Шека. При вплив сил зображення і тунельного ефекту на вольт-амперну характеристику контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, № 4. — С.592–597. 64. Я.Р.Сороневич, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характеристика реального диода с барьером Шоттки с учетом туннелирования через область пространственного заряда // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1973. — вып.11. — С.51–56. 65. М.Є.Кицай, В.І.Стріха. Про вплив сил зображення і тунельного ефекту на дробовий шум діодів з бар’єром Шотткі // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, № 6. — С.1021–1023. 66. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О влиянии поверхностного уровня на дифференциальный наклон полулогарифмической вольт-амперной характеристики диодов Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1973. — вып.12. — С.92–97. 67. В.И.Стриха, М.Е.Кицай. Дробовый шум реального диода с барьером Шоттки при туннелировании через область пространственного заряда // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.  —  1973.  — вып.12. — С.89–92. 68. S.S.Kilchitskaya, V.I.Strikha. Slow Relaxation of Charge on Germanium Surface // Surface Science. — 1973. — v. 38, n. 1. — P. 149–156. 69. Є.В.Бузаньова, Г.Д.Попова, В.І.Стріха. Про вплив абсорбції металів на випрямляючі властивості контактів і границю розділу метал  — р-кремній // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1973. — №14. — С.97–104.

– 19 –


70. Е.В.Бузанева, В.А.Денисок, В.И.Стриха. О применении контактов металл-полупроводник для исследования дефектов диэлектрических слоев на полупроводниках // Микроэлектроника. —  1973.  — т.2, в.3. — С.239–243. 71. В.И.Стриха. О вольтамперной характеристике контакта металлполупроводник с учетом диэлектрического зазора и локального уровня // Acta Physica Polonica A. — 1973. — v.44, n.6. — P.741–746. 72. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, Е.В.Бузанева. Об определении энергетического спектра поверхностных электронных состояний в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1973. — № 11. — С.41–46. 73. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольт-амперная характеристика контакта металл-полупроводник с туннельно непрозрачным диэлектрическим зазором // Вестник КГУ  им.Т.Г.Шевченко. Физика. — 1973. — С.107–113. 74. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О влиянии толщины диэлектрического слоя на спектр поверхностных электронных состояний в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. — 1973. — т.18, №9. — С.1988–1989. 75. Г.П.Пека, В.І.Стріха, Г.К.Тимофієва. Рекомбінаційне випромінювання в контакті GaAs — метал // Український фізичний журнал. — 1973. — т.18, №12. — С.2058–2061. 76. В.И.Стриха, В.Н.Фионик, А.П.Здебский. Свойства включения второй фазы в сильно легированном алюминием кремнии и их влияние на производство диодов // Электронная техника. Серия 2. — 1973. — №10. — С.13–19. 1974 77. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О роли поверхностных состояний в переносе тока через барьер Шоттки на кремнии // Радиотехника и электроника. — 1974. — т.19, №7. — С.1473–1478. 78. В.И.Паничевская, В.И.Стриха, В.А.Новицкий. Влияние легирования поверхности кремния металлами (из Н20) на спектр поверхностных состояний и перенос тока в контакте металл-полупроводник с барьером Шоттки // Физика и техника полупроводников.  —  1974.  — т.8, в.8. — С.1538–1543. 79. В.И.Паничевская, В.И.Стриха, В.А.Новицкий. Влияние легирования поверхности кремния металлами (из НР)  на спектр поверхностных состояний и перенос тока в контакте металлполупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1974. — вып.18. — С.30–34. 80. В.І.Стріха, Є.В.Бузаньова. Повний опір контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі // Вісник КДУ  ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1974. — вип.15. — С.54–61.

– 20 –


81. А.Д.Абраменков, Я.М.Фогель, В.И.Стриха, В.М.Ткаченко, Г.Ф.Потебня, Л.А.Забашта. О химическом составе поверхностного слоя кремния, находящегося в вакууме // Физика твердого тела. — 1974. — т.16, в.8. — С.2395–2396. 82. М.Е.Кицай, В.И.Стриха. О дробовом шуме Mo-Si-диодов с барьером Шоттки // Физика и техника полупроводников. — 1974. — т.8, в.9. — С.1783–1785. 83. А.Н.Король, В.И.Стриха. О влиянии неоднородности на ВАХ реального контакта металл-полупроводник // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1974. — вып.18. — С.39–42. 84. Г.П.Пека, В.И.Стриха, Г.К.Володина, Н.К.Хмелюк. Примесное рекомбинационное излучение при поверхностном легировании // Physica Status Solidi A. — 1974. — v. 26, n. 2. — P. 547–552. 85. В.И.Стриха, И.А.Радзиевский, П.Е.Бердниченко. Коэффициент перекрытия реального диода с барьером Шоттки на эпитаксиальном арсениде галлия // В кн.: «Арсенид галлия. Выпуск 5». Томск: Издательство Томского ун-та, 1974. — С. 86. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Энергетический спектр поверхностных электронных состояний в контакте арсенид галлия  — металл // В кн.: «Арсенид галлия. Выпуск 5». Томск: Издательство Томского унта, 1974. — С.158–161. 87. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Действие освещения на контакт металл-полупроводник с барьером Шоттки // Сборник ВИМИРИПОРТ. — 1974. — №8. — С. 1975 88. В.І.Стріха, Г.Д.Попова, Є.В.Бузаньова. Електрофізичні властивості омічних контактів метал  — тонкий діелектрик  — напівпровідник // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1975. — в.16. — С.93– 97. 89. A.П.Ветров, В.И.Стриха. Установка для автоматического измерения и обработки вольт-амперных характерискик полупроводниковых диодов с использованием ЭВМ  // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.19. — С.72–75. 90. В.И.Стриха, Г.Д.Попова, Е.В.Бузанева. Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник. I. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.19. — С.82–86. 91. В.И.Стриха, Г.Д.Попова, Е.В.Бузанева. Физические основы изготовления омических контактов металл-полупроводник. II. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1975. — вып.20. — С.20–35. 92. A.N.Korol, M.Ye.Kitsai, V.I.Strikha, D.I.Sheka. Effect of deep impurity levels on Shottky barrier diode characteristics // Solid State Electronics. — 1975. — v.18, n.5A. — P.375–379. 93. Ю.А.Доброжанский, С.С.Кильчицкая, В.А.Преснов, В.И.Стриха. О механизме прохождения фототока в поверхностно-барьерных диодах

– 21 –


94. 95.

96.

97.

98. 99.

металл-кремний // Физика и техника полупроводников. — 1975. — т.9, в.11. — С.1348–1350. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. О температурной зависимости дифференциального сопротивления диодов с барьером Шоттки // Радиотехника и электроника. — 1975. — т.20, в.7. — С.1559–1560. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая, Н.П.Пшеничников. Исследование спектра поверхностных электронных состояний и механизма прохождения тока в прижимных контактах металл-германий // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С. В.И.Стриха, Б.С.Муравский. Исследование уровней возникновения неустойчивостей тока в диодах с барьером Шоттки // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С. В.И.Стриха, Е.Н.Лобарев, Е.В.Бузанева. Влияние облучения электронами на свойства диодов Ni-n-Ge с барьером Шоттки // В кн.: «Физические основы контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С. В.И.Стриха, Д.И.Шека. О природе отрицательной емкости в диодах с барьером Шоттки // В кн.: «Физические основы контакта металлполупроводник с барьером Шоттки». Киев: «Знання», 1975. — С. А.П.Ветров, В.И.Стриха. Экспериментальный метод определения высоты потенциального барьера полупроводниковых диодов // Диэлектрики и полупроводники. — 1975. — вып.8. — С.61–65.

1976 100. В.І.Стріха, Т.С.Сіденко. Вольт-амперні характеристики діодів з бар’єром Шотткі для струмів через поверхневі рівні // Вісник КДУ ім.Т.Г.Шевченка. Серія фізики. — 1976. — в.17. — С.83–88. 101. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, С.А.Груша, Г.В.Кузнецов. Некоторые вопросы создания низкотемпературных смесительных СВЧ  диодов с барьером Шоттки // Электронная техника. Серия  1. Электроника СВЧ. — 1976. — №3. — С.12–20. 102. Т.Д.Попова, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Температурная зависимость сопротивления омических контактов металл  — n-арсенид галлия // Электронная техника. Серия  2. Полупроводниковые приборы. — 1976. — в.6. — С.77- 82. 103. М.Е.Кицай, А.Н.Король, В.И.Стриха. Влияние глубоких уровней на избыточный шум диодов с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1976. — вып.22. — С.43–48. 104. В.И.Стриха. По  поводу статьи В.Н.Фионика, В.Г.Шермаревича «Новый метод определения высоты потенциального барьера в выпрямляющем контакте металл-полупроводник» (ФТП, 9, 974, 1975) // Физика и техника полупроводников. — 1976. — т.10, в.3. — С.611.

– 22 –


1977 105. В.И.Паничевская, Е.В.Бузанева, А.В.Осипов, В.И.Стриха. Спектр поверхностных состояний и механизм переноса тока в напыленных контактах металл-кремний с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1977. — вып.26. — С.9–16. 106. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека, В.И.Паничевская. Вольтамперная характеристика контакта металл-полупроводник с туннельно непрозрачным диэлектрическим зазором // Радиотехника и электроника. — 1977. — т.22, № 5. — С.1038–1042. 107. В.А.Чаплюк, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Сравнение некоторых механизмов прохождения носителей заряда через тонкий диэлектрик в МД1Д2П-структурах // Вестник КГУ  им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1977. — вып.18. — С.96–101. 108. Т.С.Сиденко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Вольтамперная характеристика контакта металл-полупроводник с туннелньо непрозрачным диэлектрическим зазором // Вестник КГУ  им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1977. — вып.18. — С.107–113. 109. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Фотоэлектрические свойства контактов металл-кремний // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1977. — вып.26. — С.16–21. 1978 110. В.И.Стриха. Физические основы работы и применения контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1978. — вып.27. — С.3–15. 111. В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Спектр поверхностных электронных состояний в контактах металл-кремний с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.  —  1978.  — вып.27.  — С.27–33. 112. Е.В.Бузанева, Е.Н.Лобарев, В.И.Стриха. Физические процессы в структурах металл — тонкий диэлектрик — полупроводник с барьером Шоттки и возможные применения их в устройствах микроэлектроники // Полупроводниковая техника и микроэлектроника.  —  1978.  — вып.27. — С.50–59. 113. С.С.Кильчицкая, Т.С.Кильчицкая, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Влияние поверхностного легирования на электрофизические свойства контактов металл-германий // Вестник КГУ  им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1977. — вып.19. — С.67–71. 114. А.Н.Король, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Учет неравновесности в задачах об определении параметров глубоких примесных уровней из характеристик контакта металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 1978. — т.12, в.8. — С.1658. 115. П.Е.Бердниченко, В.И.Стриха, Ю.А.Тхорик, Ю.М.Шварц. Поверхностные электронные состояния в гетеропереходах Ge — GaAs // Фи-

– 23 –


зика и техника полупроводников. —  1978.  — т.12, в.  11.  — С.2266– 2268. 1979 116. В.В.Ильченко, Е.В.Бузанева, В.И.Стриха. Электронные свойства границы раздела силицид палладия  — n-кремний // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.100–103. 117. В.Б.Берников, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Электронные состояния границы раздела и механизм переноса заряда в контактах силицид титана — n-кремний // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.39–43. 118. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, А.П.Ветров, Г.Д.Попова, А.Г.Шкавро, Т.П.Трайнис. Определение параметров р+-слоя в контактах Al  — р+слой — n-Si // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.193–197. 119. В.И.Стриха, Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, Г.Д.Попова. Теоретическое и экспериментальное исследование контактов металл  — тонкий диэлектрик  — низкоомный арсенид галлия // В кн: «Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки». Киев: «Наукова думка», 1979. — С.197–203. 120. И.А.Коломиец, Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спин-зависимый перенос тока в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.3. — С.427–434. 121. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Таммовские состояния у поверхности высокой симметрии кубического полупроводника АIIIBV // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.6. — С.1068–1071. 122. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Расчет поверхностных состояний в системе металл  — диэлектрик  — полупроводник методом функции Грина // Физика и техника полупроводников. — 1979. — т.13, в.6. — С.1065–1067. 123. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, С.А.Королько, В.И.Стриха. Электронные свойства и механизм переноса заряда через границу раздела силицид титана — n-кремний // Украинский физический журнал. — 1979. — т.24, №12. — С.1893–1895. 124. В.И.Стриха, С.С.Кильчицкая. Спектр поверхностных электронных состояний в контактах металл-кремний // Украинский физический журнал. — 1979. — т.24, №12. — С.. 125. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Частотные характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1979. — вып.31. — С.48–55. 126. В.И.Стриха. Поверхностные электронные состояния в контакте металл-полупроводник // В кн.: «Материалы IV Всесоюзной школы-

– 24 –


семинара по физике поверхности полупроводников». Ленинград: Издательство ЛГУ, 1979. — С.162–182. 127. В.И.Стриха, Т.С.Сиденко. Перенос заряда в структурах металл  — переходной слой  — полупроводник с участием локализованных состояний в объеме переходного слоя // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1979. — в.30. — С.97–102. 1980 128. В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. ВАХ  диодов Шоттки при учете генерации-рекомбинации в области пространственного заряда для диодной теории // Радиотехника и электроника. — 1980. — т.25, №4. — С.847–855. 129. А.Н.Король, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Туннельный резонансный ток в контакте металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 1980. — т.14, в.6. — С.1180–1185. 130. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Поверхностные моды плазмонов в контакте металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 1980. — т.14, в.9. — С.1772–1777. 131. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация в пластически деформированном кремнии // Физика и техника полупроводников. — 1980. — т.14, в.11. — С.2242–2246. 132. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Внедрение ионов переходных металлов группы железа в кремний и разрушение кремния // Журнал технической физики. — 1980. — т.50, в.1. — С.173–175. 133. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Явления осаждения слоя переходного металла на кремниевом аноде // Электрохимия. — 1980. — т.16, в.12. — С.1882–1883. 134. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, П.П.Шевчук. Адсорбция на поверхности кремния из растворов вольфраматов натрия и калия // Журнал физической химии. — 1980. — т.54, в.3. — С.715–718. 135. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Энергетический спектр аморфных состояний в структурах титан — аморфный слой — кремний // Электронная техника. Серия 3. Микороэлектроника. — 1980. — в.4 (88). — С.19–23. 136. Н.П.Юрченко, Г.И.Баталин, В.И.Стриха. Исследование поверхности раздела алюминий-кремний в диодах с барьером Шоттки // Украинский физический журнал. — 1980. — т.25, № 8. — С. 1383–1384. 137. Н.П.Юрченко, Г.И.Баталин, В.И.Стриха. Перераспределение Sі  в структурах Sі-Al-(111)Si при низких температурах отжига // Неорганические материалы. — 1980. — т.16, в.8. — С.913–915. 1981 138. А.М.Воскобойников, Д.И.Шека, В.И.Стриха. Резонансные состояния, локализованные у границы раздела контакта металл-полупроводник // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.1. — С.210.

– 25 –


139. В.И.Стриха, Г.В.Кузнецов. Перспективы применения диодов Шоттки в СВЧ диапазоне // В кн.: «Институт радиофизики и электроники АН УССР», 1981. — С.3–20. 140. В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. ВАХ  контакта металлполупроводник с учетом генерации-рекомбинации в области пространственного заряда в предположении диффузионной теории // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1981. — вып.32. — С.95–104. 141. Е.А.Альперович, М.Я.Бочарников, Э.Е.Вольфсон, В.И.Паничевская, Г.Ф.Рождественский, В.И.Стриха. Об  оптимизации высоты барьера в выпрямительных диодах Шоттки // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. — 1981. — вып.33. — С.52–57 142. Е.В.Бузанева, Ю.П.Костиков, В.И.Стриха, В.И.Стрыканов. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия легированной поверхности кремния // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.2. — С.269–274. 143. Ф.И.Борисов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Некоторые спин-зависимые эффекты, связанные с прохождением тока в диодах с длинной базой // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.10. — С.1978– 1982. 144. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спин-зависимая рекомбинация в полупроводниках // Физика и техника полупроводников. — 1981. — т.15, в.9. — С.172–1732. 1982 145. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. О прохождении туннельного резонансного тока в контактах металл-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1982. — т.27, №3. — С.615–617. 146. В.И.Стриха, А.П.Ветров. Лабораторные работы по курсу полупроводниковых приборов с использованием мини-ЭВМ  // Проблемы высшей школы. II.  Применение ЭВМ  при решении учебных задач. — 1982. — с.21–25. 147. И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Физическая модель и механизм переноса носителей заряда в контактах силицид вольфрама  — кремний // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1982. — №11. — С.27–31. 148. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Тунельно-резонансный ток в контактах металл-кремний, легированный палладием // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1982. — №3. — С.76–79. 149. Е.В.Бузанева, Г.А.Зыков, В.И.Стриха, В.М.Ткаченко, П.П.Шевчук. Катодное внедрение никеля в кремний // Электрохимия. — 1982. — т.18, в.2. — С.292–295. 150. Л.С.Мима, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация при поляризованном оптическом возбуждении // Физика и техника полупроводников. — 1982. — т.16, в.9. — С.1700–1703.

– 26 –


151. Е.В.Бузанев, В.Л.Жук, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Сравнение математической модели распределения температуры в системах металлполупроводникмс экспериментальными данными // Электронное моделирование. — 1982. — №2. — С.100–101. 152. В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимая рекомбинация в полупроводниках и полупроводниковых структурах // Оптика и спектроскопия. — 1982. — т.53, в.4. — С.750–752. 153. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки при учете токов через поверхностные состояния // Гелиотехника. — 1982. — №1. — С.8–13. 1983 154. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.В.Еременко, Ю.И.Прокопчук, В.И.Стриха. Действие α-облучения на свойства границы раздела алюминий-кремний // Украинский физический журнал.  —  1983  — т.28, №2. — С.259–263. 155. В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Перестройка электронной структуры границы раздела силицид металла-кремний при низкотемпературном отжиге // Украинский физический журнал. — 1983 — т.28, №2. — С.248–252. 156. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха, А.И.Мехед. Влияние толщины промежуточных окисных слоев в контакте металлполупроводник на свойства солнечных элементов с барьером Шоттки // Гелиотехника. — 1983. — №3. — С.17–19. 157. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл-полупроводник // Украинский физический журнал. — 1983 — т.28, №4. — С.575–581. 158. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.Г.Левандовский, Г.Д.Попова, В.И.Стриха. Физическая модель структур металл  — р+-n-кремний с радиационными дефектами в кремнии // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1983. — в.4(163). — С.15–28. 159. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Локальная плотность фундаментальных состояний в структуре металл — промежуточный слой — полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1983. — №3. — С.89–93. 1984 160. В.В.Ильченко, В.И.Стриха. ВАХ контакта металл — аморфный кремний для экспоненциального распределения плотности локализованных состояний // Физика и техника полупроводников.  —  1984.  — т.18, в.5. — С.873–876. 161. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Локализованные электронные состояния в контакте металл-полупроводник // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1984. — №25. — С.112–119.

– 27 –


162. А.Р.Назарьян, О.Б.Огурцов, В.И.Стриха, В.А.Хрусталев. Физические, функциональные и технологические ограничения минимальных размеров контактов металл-полупроводник в приборах с барьером Шоттки // Электронная техника. Серия 8. — 1984. — №4. — С.18–29. 163. Е.В.Бузанева, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха, А.А.Шумило. Определение высоты потенциального барьера области пространственного заряда в полупроводнике с инверсионным изгибом зон для структур металл  — тонкий диэлектрик  — полупроводник // Поверхность. — 1984. — №1. — С.84–88. 164. А.А.Андреев, И.В.Бублик, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, А.В.Саченко, В.И.Стриха, Н.А.Феоктистов. Исследование фотоэлектрических характеристик диодов Шоттки на основе аморфного кремния // Поверхность. — 1984. — №8. — С.64–68. 165. Е.В.Бузанева, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Электронные свойства границы раздела силицида хрома и молибдена в контактах с кремнием // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1984. — №8. — С.105–106. 166. Ф.И.Борисов, В.И.Стриха, О.В.Третяк, А.А.Шматов. Спинзависимая генерация неравновесных носителей заряда // Физика и техника полупроводников. — 1984. — т.18, в.9. — С.1552–1555. 167. Е.В.Бузанева, Е.В.Еременко, Ю.Г.Мунтян, А.И.Прокофьев, З.С.Саган, В.И.Стриха, Д.С.Таранец, П.П.Шевчек, Е.Шпира. Изменение свойств тонкого слоя Al на поверхности p-Si и границы Al приповерхностный слой p-Si при имплантации В+ в Al // Поверхность. — 1984. — №10. — С.131–139. 168. Е.В.Бузанева, Т.А.Вдовенкова, В.В.Еременко, В.И.Стриха, Т.П.Трай­ нис, П.А.Шумило. Влияние легирования поверхности n-Si(111) гадолинием на твердофазное взаимодействие Al  c Si  и распределение примесей в структурах Al — n-Si // Поверхность. — 1984. — №12. — С.85–91. 169. О.С.Зинец, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Влияние промежуточного слоя на характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки // Гелиотехника. — 1984. — №6. — С.15–19. 1985 170. В.И.Ильченко, В.И.Стриха. Влияние сил изображения на вольтамперную характеристику контакта металл — α-Si // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1985. — №2. — С.88–92. 171. В.И.Стриха, В.В.Ильченко, Е.В.Бузанева. Механизм переноса тока в контактах силицид платины  — кремний // Радиотехника и электроника. — 1985. — т.30, в.5. — С.998–1001. 172. Е.В.Бузанева, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха. Инжекция в структуру металл — тонкий р+ слой — n-полупроводник // Радиотехника и электроника. — 1985. — т.30, в.5. — С.1403–1408.

– 28 –


173. В.Г.Кобка, Р.П.Комиренко. Ю.П.Медведев. В.И.Стриха. О.В.Третяк. Спин-зависимая электропроводность нелегированного поликристаллического кремния // Украинский физический журнал. —  1985.  — т.30, №2. — С.252–256. 174. Е.В.Бузанева, В.И.Стриха, Г.Е.Чайка. Об образовании поверхностного заряда на границе раздела металл-полупроводник // Украинский физически й журнал. — 1985. — т.30, №4. — С.575–581. 175. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, Г.А.Зыков, Л.И.Безрук, Е.Л.Зубарькова, Ж.А.Альперович. Особенности деградации контакта металлполупроводник с барьером Шоттки большой площади // Электронная техника. Серия  2. Полупроводниковые приборы.  —  1985.  — в.1(174). — С.16–21. 176. Е.В.Бузанева, А.П.Ветров, В.Г.Левандовский, Г.Д.Попова, А.Г.Шкавро. Моделирование электрофизических характеристик структур металл-р+-слой-n-полупроводник с неоднородным по толщине р+-слоем // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1985. — в.4(177). — С.31–36. 177. Е.А.Альперович, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Оптимизация эффективности работы выпрямительных диодов с барьером Шоттки // Электронная техника. Серия  2. Полупроводниковые приборы. — 1985. — в.6(179). — С.. 178. Н.И.Бондарь, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Тепловое старение структур алюминий-кремний с барьером Шоттки // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. — 1985. — в.3. — С. 179. Е.В.Бузанева, А.Д.Вдовиченко, В.И.Стриха, Т.П.Трайнис, А.Г.Шкавро. Исследование физических причин ненадежности контактов Al-Si диодов с барьером Шоттки в интегральных схемах // Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. — 1985. — в.2. — С.64–69. 180. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Локальная плотность фундаментальных состояний в структуре металл — промежуточный слой — полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1985. — №3. — С.89–93. 181. Ф.И.Борисов, Ю.В.Воробьев, В.И.Стриха, О.В.Третьяк, А.А.Шматов. Исследование спин-зависимой рекомбинации в пленках кремния на сапфире // Физика и техника полупроводников. — 1985. — т.19, в.5. — С.859–863. 182. А.К.Бабак, С.С.Кильчицкая, А.И.Стриха, В.А.Афанасьев А.В.Иевский, Н.Г.Лозовая. Исследование лавинного фототока диодов с барьером Шоттки на краю собственного поглощения // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1985. — №12. — С.83–86. 1986 183. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Спектральные характеристики контакта металл — α-Si:H — металл // Поверхность. — 1986. — №5. — С148–150.

– 29 –


184. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Температурные изменения электронных состояний границы раздела металл-кремний // Микроэлектроника. — 1986. — т.15, в.3. — С.275–277. 185. Ю.В.Воробьев, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте металл — гидрогенизованный аморфный кремний // Физика и техника полупроводников. — 1986. — т.20, в.4. — С.661–664. 186. Ю.Г.Аскеров, А.А.Гурбанов, В.И.Стриха, А.Г.Шкавро. Изменение ВАХ  в диодах Шоттки при локальном механическом нарушении границы металл-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №2. — С.88–90. 187. В.И.Стриха, Д.И.Шека. ВАХ контакта металл-полупроводник в условиях токового нарушения функции распределения // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №4. — С.32–38. 188. Е.В.Бузанева, Е.В.Винник, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Физикохимические свойства окисленной поверхности поликристаллического n-CdTe // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №10. — С.15–20. 189. В.И.Стриха, В.В.Ильченко. Учет туннелирования через область пространственного заряда в контакте металл — аморфный кремний // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1986. — №11. — С.3– 7. 190. Е.В.Бузанева, Т.А.Рогова, В.И.Стриха. Модификация состава окисла на поверхности n-Si(111) и α-Si:H с адсорбированным углеродом при электронном облучении // Поверхность. — 1986. — №1. — С.83–86. 191. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Спектральные характеристики контакта металл — α-Si:H — металл // Поверхность. — 1986. — №5. — С.148–150. 192. Д.И.Шека, А.М.Воскобойников, В.И.Стриха. Формирование потенциального барьера и межэлектронное взаимодействие в квазидвумерном газе поверхностных электронов в структуре металл — полупроводник // Поверхность. — 1986. — №8. — С.74–80. 193. Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Анализ детального хода вольт-амперной характеристики контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1986. — №27. — С.50–60. 194. Р.П.Комиренко, С.С.Кильчицкая, А.В.Саченко, В.И.Стриха, А.А.Ан­ дреев. Характеристики солнечных элементов с барьером Шоттки на основе аморфного гидрогенизованного кремния // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1986. — №27. — С.60–63. 195. Е.А.Альперович, В.И.Паничевская, В.И.Стриха. Свойства контактов алюминий  — кремний, изготовленных по субмикронной технологии // Электронная техника. Серия  2. Полупроводниковые приборы. — 1986. — №4. — С.21–23.

– 30 –


196. С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Свойства солнечных элементов с барьером Шоттки (обзор) // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1986. — вып.10. — С.3–10. 197. В.И.Стриха, О.В.Третяк. Явления спин-зависимого переноса и рекомбинации в кремнии и основанных на нем устройствах // Известия АН СССР. Серия физическая. — 1986. — т.50, в.2. — С.247–250. 198. В.І.Стріха, В.В.Ільченко. Стрибковий механізм перенесення струму в контакті метал — α-Si:H // Доповіді АН УРСР. Серія А — фізикоматематичні та технічні науки. — 1986. — №10. — С.50–53. 199. И.А.Коломиец, Р.П.Комиренко, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Спинзависимый перенос носителей заряда в контакте Al-Si  // Поверхность. — 1986. — №3. — С.69–73. 1987 200. Е.В.Бузанева, Г.В.Кузнецов, А.Ю.Прокофьев, З.С.Саган, В.И.Стриха, А.А.Шумило. Эффект уменьшения сопротивления пленки алюминия субмикронной толщины на кремнии при имплантации ионов бора // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1987. — №7. — С.103–105. 201. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, В.П.Толстой. ИК-спектры многократного пропускания сверхтонких слоев оксида кремния на кремнии // Поверхность. — 1987. — №4. — С.99–104. 202. В.И.Стриха. Об оценке эффективности полупроводниковых диодов на СВЧ в случае обеднения у выпрямляющего контакта // Радиотехника и электроника. — 1987. — т.32, в.5. — С.918–921. 203. И.В.Медведев, И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, В.И.Стриха. Исследование особенностей электрофизических свойств контактов силицид CoSi // В кн. «Физико-технологические методы в вычислительной технике. Сборник научных трудов». — Киев: ИК АН УССР, 1987. — С.31– 36. 204. В.В.Ильченко, В.Г.Левандовский, В.И.Стиха. Теоретический анализ генерационно-рекомбинационных токов в контакте металл  — α-Si  // Украинский физический журнал. — 1987. — т.32, №2. — С.290–295. 205. V.V.Ilchenko, V.I.Strikha. Current transport mechanisms for the metalamorphous silicon contact // Journal of Non-Crystalline Solids. — 1987. — v.90, n.1–3. — P.335–338. 206. В.И.Стриха, О.В.Третяк, А.А.Шматов, Г.М.Мозок. К вопросу об измерении релаксации емкости в спектроскопии глубоких уровней // Физика и техника полупроводников. — 1987. — т.21, в.4. — С.653–656. 207. Н.Г.Кувшинский, И.И.Ляшко, Н.Г.Находкин, В.И.Стриха, В.М.Комко. Явления наростания интенсивности фотогенерации в аморфном полимерном полупроводнике // Доклады АН  СССР.  —  1987.  — т.294, в.5. — С.1093–1097.

– 31 –


1988 208. В.І.Стріха, О.А.Шульга. Біосенсори на основі напівпровідникових структур // Вісник АН УРСР. — 1988. — №2. — С.21–33. 209. Ю.В.Воробьев, С.С.Кильчицкая, Р.П.Комиренко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Продольная фотопроводимость структур металл  — аморфный кремний  — металл // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1988 — №9 — С.57–61. 210. В.И.Стриха, В.В.Ильченко М.М.Мездрогина, А.А.Андреев. Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии // Физика и техника полупроводников. — 1988. — т.22, в.3. — С.461–464. 211. И.В.Белоусов, В.П.Деркач, В.В.Ильченко, И.В.Медведев, В.И.Стриха. Исследование электрофизических свойств пленок дисилицидов кобальта и контактов на их основе // Микроэлектроника. — 1988. — т.17, в.4. — С.339–342. 212. Н.Г.Кувшинский, В.М.Комко, И.И.Ляшко, Н.Г.Находкин, В.И.Стриха. Явление двухступенчатой фотогенерация носителей тока в эксипленках // Украинский физический журнал. — 1988. — т.33, №7. — С.1026– 1028. 213. Н.Г.Кувшинский, В.И.Стриха. Электронная структура энергетических зон транспорта носителей в полимерных полупроводниках // Химическая физика. — 1988. — т.7, в.9. — С.1245–1247. 214. М.Г.Бузынный, В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха. Особенности элетрофизических характеристик контактов силицид платины  — кремний при импульсных перегрузках // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1988 — №9 — С.70–73. 215. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Влияние изменения промежуточного слоя на электрофизические свойства контакта металл-полупроводник // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1988 — №9 — С.86–90. 216. С.С.Кильчицкая, Т.С.Кильчицкая, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, В.П.Толстой. Применение ИК спектроскопии отражения-поглощения для исследования диэлектрических слоев в гетероструктурах In2S3SiOx-Si // Журнал прикладной спектроскопии. — 1988. — т.48, в.3. — С.446–449. 217. В.Л.Винецкий, М.А.Манойло, А.С.Матвийчук, В.И.Стриха. Стимулированная ионизацией перестройка дефектов в кремнии // Письма в журнал технической физики. — 1988. — т.14, в.22. — С.2017–2021. 218. Н.Г.Кувшинский, В.М.Комко, И.И.Ляшко, В.И.Стриха. Явления двухступенчатой фотогенерации носителей тока в эксипленках // Доклады АН СССР. — 1988. — т.302, в.4. — С.839–841.

– 32 –


1989 219. A.V.Elskaya, V.I.Strikha. Enzyme and immune biosensors on the basis of field-effect transistors — theory and practice // Studia biophysica. — 1989. — v.132, n.1–2. — P.83–92. 220. А.К.Бабак, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Перенос фотогенерированных носителей тока в контакте металл-полупроводник в условиях накопления поверхностного заряда // Оптоэлектроника и полупропроводниковая техника. — 1989. — №15. — С.26–31. 221. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, К.И.Якимов, С.В.Пацковский, Е.Л.Зубарькова. Влияние дефектов кремния в барьере Шоттки на протекающий ток // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1989. — в.2(199). — С. 222. В.В.Еременко, Г.В.Кузнецов, С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, М.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Влияние условий формирования контактов титан-кремний на параметры солнечных элементов на их основе // Гелиотехника. — 1989. — №4. — С.20–25. 223. А.П.Ветров, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха. Дифференцирующие методы контроля параметров диодных структур с барьером Шоттки // Микроэлектроника. — 1989. — т.18, в.1. — С.88–89. 224. В.А.Авраменко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, Д.И.Шека. N-образная вольт-амперная характеристика диодной структуры с переменной топологией области обеднения // Микроэлектроника.  —  1989.  — т.18, в.5. — С.470–472. 225. А.В.Ельская, В.И.Поломарчук, А.К.Сандровский, А.П.Солдаткин, Н.Ф.Стародуб, В.И.Стриха, О.С.Фролов, Л.Н.Хусточка, А.А.Шульга. Биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов для определения глюкозы // Электрохимия. — 1989. — т.25, в.5. — С.674– 679. 226. Г.В.Кузнецов, В.Г.Левандовский, В.И.Стриха,. Моделирование контакта металл  — высокотемпературный сверхпроводник в условиях планарно-неоднородного прохождения туннельного тока // В кн.: «Проблемы высокотемпературной проводимости. Сборник научных трудов». — Киев: «Наукова думка», 1989. — С.59–62. 227. Ю.А.Аверкин, Н.К.Кардамонов, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха, А.В.Харламов. Исследование спектров ИК-поглощения тонких пленок оксида и нитрида кремния в р-поляризованном свете // Украинский физический журнал. — 1989. — т.34, №12. — С.1817–1821. 228. В.С.Львов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Межцентровые переходы носителей в частично разупорядоченном кремнии — расчет // Физика твердого тела. — 1989. — т.31, в.11. — 197–205. 229. В.С.Львов, В.И.Стриха, О.В.Третяк. Межцентровые переходы носителей в частично разупорядоченном кремнии — эксперимент и обсуждение результатов // Физика твердого тела. — 1989. — т.31, в.11. — 206– 213.

– 33 –


230. Н.А.Давиденко, Н.Г.Кувшинский, В.И.Стриха. Электронная структура и зоны энергии переноса носителей в тонких пленках полупроводников на основе карбазола // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1989. — №7. — С.47–51. 231. Б.С.Муравский, В.И.Стриха. Особенности токопереноса в структурах металл  — туннельно-прозрачный окисел  — полупроводник // В кн.: «Физика и применение контакта металл-полупроводник. Сборник научных трудов». Краснодар: Кубанский государственный унт, 1989. — С.4–8. 232. А.М.Воскобойников, В.И.Стриха, В.В.Смоляр. Поверхностные электронные состояния, участвующие в туннельно-резонансном токопрохождении в контакте металл-полупроводник // В кн.: «Физика и применение контакта металл-полупроводник. Сборник научных трудов». Краснодар: Кубанский государственный ун-т, 1989. — С.12–15. 1990 233. А.М.Воскобойников, В.В.Смоляр, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке // Физика и техника полупроводников. — 1990. — т.24, в.3. — С.413–417. 234. А.М.Воскобойников, В.В.Смоляр, В.И.Стриха. Туннельнорезонансное токопрохождение с участием поверхностных уровней в М-ТД-П структурах // Вестник КГУ  им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1990. — №1. — С.32–34. 235. В.В.Ильченко, В.И.Стриха, С.О.Тарасенко. Влияние тонких слоев титана на электронные свойства границы раздела силицид молибденакремний // Вестник КГУ им.Т.Г.Шевченко. Серия физики. — 1990. — №1. — С.37–42. 236. В.А.Скрышевский, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха. Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельнопрозрачного диэлектрика // Физика и техника полупроводников.  — 1990. — т.24, в.10. — С.1886–1888. 237. В.А.Авраменко, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Масштабная неинвариантность экранирования двумерных электрических полей в эпитаксиальных полупроводниковых структурах // Микроэлектроника. — 1990. — т.19, в.4. — С.408–411. 238. А.А.Шульга, В.И.Стриха. Современное состояние разработок биосенсоров на основе полупроводниковых структур // В кн.: «Биотехника — новое направление компьютеризации», Москва: «Наука»,  1990.  — С.63–91. 239. В.И.Стриха, В.И.Паничевская, А.П.Ветров, С.В.Пацковский, Е.Л.Зу­ барькова. Свойства структурных дефектов барьера Шоттки и их роль в процессах токопереноса // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. — 1990. — в.2(204). — С.

– 34 –


240. А.П.Солдаткин, А.К.Сандровский, А.А.Шульга, В.И.Стриха. Глюкозный биосенсор на основе рН-чувствительных полевых транзисторов. Влияние состава раствора на отклик сенсора // Журнал аналитической химии. — 1990. — т.45, в.7. — С. 1018–1021. 241. В.А.Авраменко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, Д.И.Шека. Структура области обеднения и вольт-амперные характеристики контакта металлполупроводник с омическими включениями // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1990. — №4 — С.21–25. 242. В.Л.Винецкий, М.А.Манойло, А.С.Матвийчук, В.И.Стриха, Г.А.Холодарь. Перестройка дефектов в кремнии под действием электронов подпороговых энергий // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1990. — №6. — С.32–37. 243. А.Н.Король, Д.И.Шека, В.И.Стриха. О возможности получения отрицательного дифференциального сопротивления в диодах Шоттки // Известия высших учебных заведений. Физика.  —  1990.  — №10.  — С.120–121. 244. С.С.Кильчицкая, С.В.Литвиненко, А.К.Сандровский, В.И.Стриха, Ю.С.Крас­нов. Зависимость фоточувствительности солнечных элементов со структурой металл — туннельный диэлектрик — полупроводник от свойства границ раздела // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1990. — №11. — С.30–35. 1991 245. N.G.Kuvshinski, I.I.Liashko, N.G.Nakodkin, V.I.Strikha. Phenomenon of photogeneration efficiency rising in amorphous polymeric semiconductors in the absorption region of charge-transfer // Journal of information recording materials. — 1991. — v.19, n.3. — P.221–226. 246. E.V.Buzaneva, A.P.Vetrov, G.D.Popova, V.I.Strikha. Atomic and electronic structure formation at the metal-Cd1-xMnxTe interface // Superlattices and microstructures. — 1991. — v.10, n.4. — P.479–483. 247. Ю.В.Воробьев, В.Н.Захарченко, С.С.Кильчицкая, В.И.Стриха. Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок аморфного кремния Si  // Физика и техника полупроводников. — 1991. — т.25, в.2. — С.334–336. 248. Р.П.Комиренко, С.В.Литвиненко, В.А.Скрышевский, В.И.Стриха. Фотоэлектрические характеристики каскадных структур a-Si:H/c-Si  // Физика и техника полупроводников. — 1991. — т.25, в.11. — С.2030– 2037. 249. В.А.Скрышевский, С.В.Литвиненко, В.И.Стриха. Свойства электронночувствительных датчиков с барьером Шоттки // Известия высших учебных заведений. Физика. — 1991 — №4. — С.76–81. 250. И.В.Белоусов, В.В.Ильченко, И.В.Медведев, В.И.Стриха, С.О.Та­ расенко. Электрофизические свойства контактов силицид кобальтакремний и влияние на них особенностей твердофазного взаимодей-

– 35 –


ствия на границе раздела металл-полупроводник // Микроэлектроника. — 1991. — т.20, в.1. — С.16–20. 1992 251. E.V. Buzaneva, G.D. Popova, V.I.Strikha, A. Rodzik, E. Czarnecka-Such. Modelling and experimental studies of the metal (Pd, Sn)-CdTe structures with Ohmic behavior // Superlattices and Microstructures.  —  1992.  — v.11, n.1. — P.1–9. 252. A.A.Shulga, A.C.Sandrovsky, V.I.Strikha, A.P.Soldatkin, N.F.Starodub, A.V.Elskaya. Overall characterization of ISFET-based glucose biosensor // Sensors and Actuators B — Chemical. — 1992. — v.10, n.1. — P.41–46. 253  V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha, H.Gleskova. The Au-SiOx-a-Si:H structures with very thin anodic oxide layers // Czechoslovak Journal of Physics. — 1992. — v.42, n.3. — P.331–338. 254  А.Г.Акимов, А.П.Ветров, В.В.Ильченко, В.С.Неволин, В.И.Стриха, А.Н.Ходан. Электрофизические свойства контакта YBaCuO пленки Ga-n-Si // Сверхпроводимость. — 1992. — т.5, в.4. — С.744–747. 255  А.Г.Акимов, В.В.Ильченко, Г.В.Кузнецов, В.И.Стриха, В.И.Паничевская, А.Н.Ходан, С.О.Тарасенко. Влияние тонких слоев титана на электрофизические свойства контактов силицид молибдена — кремний // Микроэлектроника. — 1992. — т.21, в.1. — С.91–94. 256  V.I.Strikha, A.A.Shulga, S.V.Patskovsky, S.V.Dziadevich, A.V.Elskaya, A.P.Soldatkin, O.A.Bubriak. Thin-film Conductometric Biosensor for Glucose and Urea Derermination // In: «Proceedings of Second World Congress on Biosensors. Geneva, Switzerland, 1992, 20–22 May». — Oxford: Elsevier, 1992. — P.81–88. 1993 257. A.A.  Shul’ga, V.I.Strikha, A.P.  Soldatkin, A.V.  El’skaya, H.  Maupas, C. Martelet, P. Clechet. Removing the influence of buffer concentration on the response of enzyme field effect transistors by using additional membranes  // Analytica Chimica Acta. — 1993. — v.278, n.2. — P.233–236. 258. A.M.Nyamsi Hendji, N.  Jaffrezic-Renault, C.  Martelet, P.  Clechet, A.A. Shlu’ga, V.I.Strikha, L.I. Netchiporuk, A.P. Soldatkin, W.B. Wlodarski. Sensitive detection of pesticides using a differential ISFET-based system with immobilized cholinesterases // Analytica Chimica Acta. — 1993. — v.281, n.1. — P.3–11. 259. A.A.Shulga, S.V.Dzyadevich, A.P.Soldatkin, V.I.Strikha, S.V.Patskovsky, N.F.Starodub, A.V.Elskaya. Thin-film conductometric enzyme for the determination of glucose and urea in blood // Russian Electrochemistry. — 1993. — v.29, n.8. — P.1219–1224. 260. А.П.Ветров, В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха, Г.А.Холодарь, Г.Д.Хрыжановский. О возможности изменения свойств контактов

– 36 –


силицид молибдена — кремний при импульсных воздействиях // Радиотехника и электроника. — 1993. — т.38, в.4. — С.760–764. 261. A.P.Soldatkin, O.A.Bubryak, N.F.Starodub, V.I.Strikha. Urease biosensor on field-effect transistor basis design-features and operating parameters in model solutions // Russian Electrochemistry. — 1993. — v.29, n.3. — P.408–414. 262. H.Gleskova, V.V.Ilchenko, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha. CO2-laser annealing of Al/α-Si:H // Czechoslovak Journal of Physics. — 1993. — v.43, n.2. — P.169–178. 263. A.A.  Shul’ga, S.V.  Dzyadevich, A.P.  Soldatkin, S.V.  Patskovsky, V.I.  Strikha. Conductometric biosensor for glucose and urea determination based on microfabricated thin-film interdigitated array electrodes // Biologi Italiani. — 1993. — v.23, n.6. — P.40–45. 264. С.В.Дзядевич, Я.И.Корпан, А.П.Солдаткин, А.А.Шульга, А.В.Ельская, В.И.Стриха. Использование кондуктометрических микробиосенсоров для изучения кинетических параметров ферментов // Украинский биохимический журнал. — 1993. — т.65, в.5. — С.47–53. 1994 265. A.A. Shul’ga, A.P. Soldatkin, A.V. El’skaya, S.V. Dzyadevich, S.V. Patskovsky, V.I.Strikha. Thin-film conductometric biosensors for glucose and urea determination   // Biosensors and Bioelectronics.  —  1994.  — v.9, n.3. — P.217–223. 266. I. V. Belousov, V. V. Il’chenko, G. V. Kuznetsov, V. I. Strikha. Effects of interaction in YBaCuO —- GaAs  structures with chemical active silicide buffer layer /// Physica C: Superconductivity. — 1994. — v.235–240, part 1. — P.607–608. 267. Ю.В.Бойко, С.С.Кильчицька, Т.С.Кильчицька, В.І.Стріха, О.В.Третяк. Про роль поверхневих станів у перенесенні фотоструму в структурах метал — тунельний діелектрик — напівпровідник // Український фізичний журнал. — 1994. — т.39, №5–6. — С.723–726. 268. V.A.Skryshevsky, P.Kus, V.I.Strikha, T.S.Vdovenkova, K.Karlovsky. The photosensitivity of a YBaCuO-Si  structure at room temperature // Superconductor science & technology. — 1994. — v.7, n.9. — P.651–654. 269. С.В.Дзядевич, А.П.Солдаткин, А.А.Шульга, В.И.Стриха, А.В.Ельская. Кондуктометрический биосенсор для определения фосфоорганических пестицидов // Журнал аналитической химии.  —  1994.  — т.49, в.8. — С.789–792. 270. С.В.Дзядевич, А.А.Шульга, С.В.Пацковский, В.Н.Архипова, А.П.Сол­ даткин, В.И.Стриха. Тонкопленочный кондуктометрический датчик для ферментных биосенсоров // Электрохимия. — 1994. — т.30, в.8. — С.982–987. 271. С.В.Дзядевич, А.П.Солдаткин, В.К.Россохатый, Н.Ф.Шрам, А.А.Шуль­ га, В.И.Стриха. Антропометрический ферментный биосенсор с электрохимически синтезированной мембраной глюкозооксидаза-

– 37 –


полианилин // Украинский биохимический журнал —  1994.  — т.66, в.3. — С.54–60. 272. E.  Buzaneva, T.  Vdovenkova, S.  Litvinenko, V.  Makhnjuk, V.  Strikha, V. Skryshevsky, P. Shevchuk, V. Nemoshkalenko, A. Senkevich, A. Shpak. XPS  and AES  study of reactive Ti-Si  interface // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena. — 1994. — v.8. — P.707–711. 1995 273. T.A.Vdovenkova, A.  P.Vetrov, S.S.Kilchitskaya, T.S.Kilchitskaya, G.D.Popova, V.I.Strikha. Annealing effect on the characteristics of MTIS  solar cells // Solid-State Electronics.  —  1995.  — v.38, n.11.  — P.1929–1932. 274. V.S.Nevolin, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha. P.  Kus, K.  Karlovský. I–V curves of GdBaCuO/n-Si  contact: Revealing of the structural phase transition in the GdBaCuO film at 210–220 K // Czechoslovak Journal of Physics. — 1995. — v.45, n.10. — P.871–877. 275. I.V.Belousov, A.I.Ruban, V.V.Ilchenko, G.V.Kuznetsov, V.I.Strikha. Superconducting YBaCuO thin-films on silicon with barium silicate buffer layers // IEEE transactions on applied superconductivity. — 1995. — v.5, n.2. — P.1510–1512. 1996 276. Vjacheslav Volotovsky, Alexey P. Soldatkin, Alexander A. Shul’ga, Victor K. Rossokhaty, Vitaliy I. Strikha, Anna V. El’skaya. Glucose-sensitive ionsensitive field-effect transistor-based biosensor with additional positively charged membrane. Dynamic range extension and reduction of buffer concentration influence on the sensor response  // Analytica Chimica Acta. — 1996. — v.322, n.1–2. — P.77–81. 277. V.A.  Skryshevsky, A.  Laugier, V.I.  Strikha, V.A.  Vikulov. Evaluation of quantum efficiency of porous silicon photoluminescence // Materials Science and Engineering B. — 1996. — v.40, n.1. — P.54–57. 278. В.В.Ильченко, П.Г.Лисняк, В.И.Стриха. Влияние гамма-излучения на электрофизические свойства контактов силицид металла — кремний // Радиотехника и электроника. — 1996. — т.41, в.7. — С.886–889. 279. V.I.Strikha Size Effects in Properties of Metal-Semiconductor Structures with Shottky Barriers // In: «Frontiers in Nanoscale Science of Micron/Submicron Devices. Edited by A.P.Jauho and E.V.Buzaneva. NATO  ASI  Series. Series E:  Applied Sciences. Vol.328». Dordrecht / Boston / London: Kluwer Academic Publishers, 1996. — P.355–374. 1997 280. T.Vdovenkova, V.Strikha, V.Vikulov. Auger electron spectroscopy study of the electronic structure of porous silicon–metal interfaces // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena.  —  1997.  — v.83, n.2– 3. — P.159–163.

– 38 –


281. В.М.Поліщук, В.І.Стріха, Є.Сутра, Д.Ніколя, Ж.Р.Мартен. Дослідження чутливості на водень нового напівпровідникового сенсора, заснованого на вимірі фотопотенціалу // Український фізичний журнал. — 1997. — т.42, №2. — С.216–220. 282. О.Й.Бомк, Я.В.Булавацька, В.В.Ільченко, Г.В.Кузнецов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Чутливість до аміаку контактів нікель-n-кремній та титан n-кремній // Вісник КНУ  ім.Т.Г.Шевченка. Фізико-математичні науки. — 1997. — в.3. — С.250–258. 283. I.Konovalov, V.Strikha, O.Breitenstein. Activation Energy of Locl Currents in Solar Cells Measured by Thermal Methods // Progress in Photovoltaics: Research and Applications. — 1998. — v.6. — P.151–161. 1998 284. V. Lysenko, V. Gliba, V. Strikha, A. Dittmar, G. Delhomme, Ph. Roussel, D.  Barbier, N.  Jaffrezic-Renault, C.  Martelet. Nanoscale nature and low thermal conductivity of porous silicon layers // Applied Surface Science. — 1998. — v.123–124. — P.458–461. 285. V.  Lysenko, Ph. Roussel, G.  Delhomme, V.  Rossokhaty, V.Strikha, A. Dittmar, D. Barbier, N. Jaffrezic-Renault, C. Martelet. Oxidized porous silicon: a new approach in support thermal isolation of thermopile-based biosensors //  Sensors and Actuators A: Physical. — 1998. — v.67, n.1– 3. — P.205–210 286. V.Polishchuk, E.Souteyrand, J.R.Martin, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky. A study of hydrogen detection with palladium modified porous silicon  // Analytica Chimica Acta. — 1998. — v.375, n3. — P.205–210. 287. О.Й.Бомк, В.В.Ільченко, Л.Г.Ільченко, Г.В.Кузнєцов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Механізм газової чутливості до аміаку структур нікель — n-кремній // Український фізичний журнал. — 1998. — т.43, №1. — С.125–128. 1999 288. S.V.Litvinenko, S.S.Kilchitskaya, V.A.Skryshevsky, V.I.Strikha, A.Laugier. Application of Dynamical Optical Reflection Thermography (DORT) for detecting of dark current inhomogeneity in semiconductor devices // Applied Surface Science. — 1999. — v.137, n.1–4. — P.45–49. 289. T.  Vdovenkova, V.  Strikha, A.  Tsyganova. Application of the final state Auger parameter imperfect screening model for the Si L23VV spectrum of porous silicon // Applied Surface Science. — 1999. — v.144–145. — P.69– 72. 290. T. Vdovenkova, V. Strikha, F. Cardon, R. L. Van Meirhaeghe, G. Vanalme. BEEM studies of the PtSi/Si(100) interface electronic structure // Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena.  —  1999.  — v.105, n.1. — P.15–19. 291. О.Й.Бомк, В.В.Ільченко, Л.Г.Ільченко, Г.В.Кузнєцов, О.М.Пінчук, В.І.Стріха. Про природу чутливості до амміаку газових сенсорів на

– 39 –


основі струкрур надтонка титанова плівка — кремній // Український фізичний журнал. — 1999. — т.44, №6. — С.759–763. 2000 292. S. Litvinenko, L. Ilchenko, A. Kaminski, S. Kolenov, A. Laugier, E. Smirnov, V. Strikha, V. Skryshevsky. Investigation of the solar cell emitter quality by LBIC-like image techniques // Materials Science and Engineering B. — 2000. — v.71, n.1–3. — P.238–243. 293. V.Strikha, V.  Skryshevsky, V.  Polishchuk, E.  Souteyrand, J.R.  Martin. A Study of Moisture Effects on Ti/Porous Silicon/Silicon Schottky Barrier // Journal of Porous Materials. — 2000. — v. 7, n.1–3. — P.111–114. 294. V. Lysenko, Ph. Roussel, B. Remaki, G. Delhomme, A. Dittmar, V.Strikha. Study of Nano-Porous Silicon with Low Thermal Conductivity as Thermal Insulating Material // Journal of Porous Materials. — 2000. — v.7, n.1– 3. — P. 177–182. 295. V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E.  Souteyrand, J.-R.  Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon  — silicon structure // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964. 296. O.  I.  Bomk, V.V.Il’chenko, L.G.Il’chenko, G.V.Kuznetsov, V.I.Strikha, A.M.Pinchuk, V. M.Pinchuk, About the gas sensitivity of contacts metal — silicon with the superthin nickel and titanium films to the ammonia environment // Sensors and Actuators B. Chemical. — 2000. — v.62, n.2.P.131–135. 2008 297. V.I.Strikha. Rectifying Properties of a Metal-Semiconductor Contact // Ukrainian Journal of Physics.  —  2008.  — v.53, Special Issue,  90th Anniversary NAS Ukraine. — P.151–155

Науково-популярні та публіцистичні статті, інтерв’ю

1. І.Ляшко, В.Стріха. Об’єднуючи зусилля (про взаємодію науковців ВНЗ та АН УРСР) // Під прапором ленінізму. — 1980. — №6. — С.41– 43. 2. В.І.Стріха. СЕС чи АЕС? // Прапор. — 1988. — №1. — С.148–153. 3. Ганна Єльська, Віталій Стріха. Біосенсор: миттєвий діагноз // Наука і культура. Україна. Щорічник. — 1989. — Вип.23. — С.174–178. 4. Віталій Стріха. Чи  є альтернатива новому Чорнобилю? // Рада. — 1992. — 11 вересня. — С.2. 5. Віталій Стріха, Орест Влох Інтелектуальна «зона». Якою бути концепції розвитку науки в Україні // Голос України. — 1993. — 11 червня. — С.14–15.

– 40 –


6. Віталій Стріха. Наука — не розкіш, а засіб для розвитку держави // Освіта. — 1994. — 27 квітня — 3 травня. — С.7. 7. «Не «довгий карбованець», а умови для роботи потрібні сьогодні нашим науковцям…» (З президентом АН  ВШ  України В.Стріхою розмовляв Р.Тхорук) // Освіта. — 1995. — 4–10 травня. — С.4. 8. В.И.Стриха. Три советских мифа украинской науки // Зеркало недели. — 1996. — №11(76). — 16–22 марта. 9. В.І.Стріха. Звітна доповідь Президії на Загальних зборах АН  вищої школи України // Український вчений. — 1997. — №1–2. — С.2–3. 10. В.І.Стріха. Незалежна Україна потребує справжніх еліт. Вона їх не дочекається, якщо не вдасться зупинити розвал освіти і науки // День. — 1997. — 20 березня. — С.6. 11. В.І.Стріха. Звітна доповідь Президії річним Загальним зборам АН вищої школи України // Український вчений. — 1997. — №7–8. — С.2–4. 12. В.І.Стріха. «Чому б не об’єднати зусиль?» // Освіта. — 1997. — 17– 24 грудня 1997 р. — С.1.

Кандидати наук, які захистили дисертації під науковим керівництвом В.І.Стріхи, та теми їхніх дисертаційних робіт 1963 Юй Лі-шень (Китай). Дослідження деяких властивостей чистої поверхні германію та кремнію. 1969 Кільчицька Світлана Сергіївна. Дослідження деяких властивостей оксидних плівок і їхнього впливу на електронні процеси на поверхні напівпровідників. 1970 Радзієвський Ігор Олександрович. Дослідження фізичних процесів у напівпровідникових притискових НВЧ діодах з бартером Шотткі. 1974 Бузаньова Євгенія Вікторівна. Фізична модель контактів метал-кремній для НВЧ діодів Шотткі. 1975 Панічевська Вілена Іванівна. Дослідження поверхневих електронних станів і механізмів перенесення струму в контактах метал-кремній з бар’єром Шотткі.

– 41 –


Кіцай Михайло Євгенович. Шуми в діодах з бар’єром Шотткі. 1979 Король Анатолій Миколайович. Вплив глибоких домішкових рівнів на електрофізичні характеристики контакту метал-напівпровідник. 1980 Сіденко Тетяна Сергіївна. Дослідження механізмів струмоперенесення в структурах метал-напівпровідник з тунельно непрозорими проміжними шарами. 1983 Воскобойніков Олександр Михайлович. Теорія поверхневих електронних станів меж поділу контакту метал-напівпровідник. Кузнєцов Геннадій Васильович. Дослідження фізичних основ роботи контакту метал-напівпровідник при низьких температурах. 1984 Ільченко Василь Васильович. Дослідження фізичних властивостей контактів силіцид металу — кремній. 1985 Шкавро Анатолій Григорович. Дослідження фізичних основ надійності контактів алюміній-кремній з бар’єром Шотткі. Міма Лідія Сергіївна. Спін-залежна рекомбінація в пластично деформованому кремнії (співкерівник — О.В.Третяк). Левандовський Віталій Георгійович. Теорія підпорогового дефектоутворення в неоднорідних областях напівпровідників (співкерівник  — Г.Є.Чайка). Жук Володимир Леонідович. Математична модель системи металнапівпровідник при високих напругах. 1986 Коміренко Раїса Павлівна. Генерація і перенесення заряду в бар’єрних структурах на основі невпорядкованого кремнію. 1987 Ільченко Володимир Васильович. Дослідження механізмів перенесення струму в контактах з бар’єром Шотткі на основі аморфного кремнію. 1988 Литвиненко Сергій Васильович. Дослідження фізичних процесів у сонячних елементах на основі структури титан-кремній. Манойло Маргарита Олександрівна. Вплив низькоенергетичних збуджень на кремній і структури на його основі (співкерівник — Г.А.Холодар).

– 42 –


1989 Вєтров Олексій Петрович. Фізичне обґрунтування методик дослідження і створення вимірювальних пристроїв з ЕОМ для структур метал — перехідний шар — напівпровідник. Вдовєнкова Тетяна Анатоліївна. Електронна структура і фізико-хімічні властивості реальної поверхні кремнію з осадженим гадолінієм. Воробець Георгій Іванович. Модифікація властивостей шарів і характеристик структур Al-Si, PlxSiy-Si з імпульсним лазерним випромінюванням 1991 Авраменко Василь Олександрович. Розмірно-геометричні ефекти електростатичного екранування в напівпровідникових структурах з бар’єром Шотткі (співкерівник — Д.І.Шека). 1992 Бабак Олександр Костянтинович. Дослідження фотоелектричних властивостей структур з бар’єром Шотткі в широкому діапазоні частот. 1993 Лісняк Павло Григорович. Фізичні процеси в контактах силіцид металу — кремній при зовнішніх діях (співкерівник — Вас.В.Ільченко). 1995 Дзядевич Сергій Вікторович. Розробка ферментних та клітинних кондуктометричних біосенсорів для визначення деяких субстратів та інгібіторів ферментів (співкерівник О.П.Солдаткін).

Навчальні курси, які розробив і читав В.І.Стріха 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8.

Контактні явища у напівпровідниках. Основи наукових досліджень. Методи дослідження напівпровідників. Напівпровідникові прилади. Напівпровідникові сенсори. Відновлювані джерела енергії. Актуальні проблеми радіофізики та електроніки. Напівпровідникова електроніка.

– 43 –


Водні походи, які організував і в яких брав участь В.І.Стріха Похід 1958  року по р.Білій здійснювався на дерев’яних човнах, куплених у місцевих мешканців, усі пізніші  — на розбірних байдарках з металево-дерев’яним каркасом і брезентовою оболонкою. Починаючи з 1966 р. формувалася стала туристська група, якою В.І.Стріха керував як «вождь туристського народу» — зі своїми традиціями й ритуалами, а також з виразною атмосферою фрондерства (чимало ритуалів групи, аж до титулу «вождя» у самого В.І.Стріхи, були відвертою пародією на норми тодішнього офіційного життя). Склад групи (11–15 осіб у 1970-ті рр., 8–10 на початку 1990-х) зазнавав постійних змін, але її основу складали В.І.Стріха, його дружина Н.М.Гула та син М.В.Стріха (з 1970 р.), брати В.Т.Грінченко та М.Т.Грінченко, їхні дружини Т.О.Грінченко та В.Ф.Ушкалова, їхні діти, В.І.Савченко та його дружина К.Ф.Савченко (до 1976 р.), Я.І.Сокіл та його дружина Є.А.Сокіл (з  1973  р.), О.А.Пучко та його дружина Н.М.Пучко (у  1990-ті роки), дружина сина Н.П.Старченко (з  1986  р.). Починаючи з 1992 р. в походи брали онучку Ярославу. Згідно з прийнятою в СРСР  класифікацією, водні туристичні маршрути поділялися на п’ять категорій складності: І (без значних перешкод), ІІ (ускладнений), ІІІ (складний), IV (небезпечний), V (особливо небезпечний). Категорійність могла змінюватися залежно від плавзасобів (той самий маршрут міг мати ІІІ категорію для байдарок і ІІ — для надувних катамаранів). Крім того, існували розраховані на 2–3 денні переходи короткі «маршрути вихідного дня», які не дотягували до вимог І категорії (в них вирушали не під час відпустки, а найчастіше на травневі свята). 1958 Липень. Річка Біла (Південний Урал) від Тирляна до Мелеуза (400 км., ІІ категорія). 1966 Липень. Річка Вуокса й озера Карельського перешийка (250 км., ІІ категорія). 1967 Липень. Річка Охта (Центральна Карелія) від Хвойного до Кемі (250 км., ІІІ категорія). 1968 Травень. Річка Рось від Корсуня-Шевченківського до Дніпра (80  км, маршрут вихідного дня).

– 44 –


Липень. Шуришкарський сор — річки Хольце-Юган, Сезим-Юган, Танью, Варчатовіс, Войкар (Полярний Урал, 300 км, з них 70 км проти течії, ІІІ категорія). 1969 Липень. Річка Сейм від Путивля до Десни (180 км, І категорія). 1970 Травень. Річка Тетерів від Коростишева до станції Тетерів (100  км, маршрут вихідного дня). Липень. Мис Покойніки на Байкалі  —  8  км пішки через перевал — 250 км по річці Лена до селища Качуг (IV категорія). 1971 Липень-серпень. Річка Птіч (від станції Дараганово, Білорусь) — річка Прип’ять до Мозиря (350 км, І категорія). 1972 Травень. Річка Дніпро (від Корчуватого до Переяслава, 100 км, маршрут вихідного дня). Липень-серпень. Річка Біла (Південний Урал) від Білорецька до Мелеуза (400 км., ІІ категорія). 1973 Липень. Ігналінські озера, річки Жеймяна і Няріс (Східна Литва, 300 км, І категорія). 1974 Травень. Десна (від Остра до с.Пірнове, 80 км, маршрут вихідного дня). Липень-серпень. Річка Молога від Бежецька до Весьєгонська (Північ і Центр Європейської Росії, 450 км, І категорія). 1975 Травень. Річки Сейм і Десна (від станції Сейм до селища Макошине, 80 км, маршрут вихідного дня). Червень. Брацлавські озера — озеро Річі (Білорусь — Латвія, 200 км, ІІ категорія). Липень-серпень. Річки Ус (від Буйби) та Єнісєй (до будівництва СаяноШушенської ГЕС, тепер маршрут опинився на дні водосховища; IV категорія). 1976 Липень. Озеро Нароч, річки Нароч та Вілія (Няріс) до Вільнюса (Білорусь, Литва; 300 км, І категорія).

– 45 –


1977 Липень-серпень. Річка Юрюзань від міста Усть-Катав до річки Уфа (Південний Урал, 300 км, ІІ категорія). 1978 Серпень. Озеро Селігер (Північний Захід Європейської Росії, 170 км, І категорія). 1979 Липень-серпень. Річки Асуніца, Сарьянка, Даугава, Брацлавські озера (Латвія, Білорусь, 250 км, ІІ категорія). 1980 Липень-серпень. Сямозеро  — річка Сяпся  — Вагатозеро  — Шотозеро — річка Шуя — Укшозеро — Кончозеро — Пертозеро (Південна Карелія, 400 км, ІІІ категорія). 1981 Липень. Річки Уборть, Прип’ять від Олевська до Мозиря (250 км, І категорія). 1982 Липень. Озеро Мядель — річки Мяделка та Бірвета — озера Дрісвяти та Річі (Білорусь, Латвія, 250 км, з них 50 проти течії, ІІ категорія). 1983 Липень. Річка Оять від Курби до Чашковичів (Приладожжя,  230  км, ІІ категорія). 1984 Липень. Річка Вєлікая (Псковщина, 350 км, ІІ категорія). 1985 Липень. Річка Швянтойі (Центральна Литва, 250 км, І категорія). 1986 Липень. Річка Вєтлуга (від Шабаліно до Вєтлугі, 300 км, І категорія). 1987 Липень-серпень. Річка Ловать (Псковщина, Новгородщина, від верхів’їв до Великих Лук, 350 км, ІІ категорія). 1988 Липень-серпень. Озеро Кереть, річка Кереть (Полярна Карелія, 250 км, ІІ категорія).

– 46 –


1989 Липень. Річки Овсянка, Західна Двіна до Вітебська (Білорусь, 200 км, І категорія). 1990 Липень. Річка Оболь, Лепельські озера, Західна Двіна (Білорусь, 200 км, І категорія). 1991 Липень. Річка Тверця (Тверська обл. Росії, 200 км, І. категорія). 1992 Липень. Річка Сула від Ромен до Лубен (250 км, І категорія) 1993 Липень. Річка Псел від Сум до Лебедина (170 км, І категорія). Серпень. Дніпро від Гідропарку до Нової Українки (50 км, маршрут вихідного дня). 1994 Липень. Річки Сейм і Десна від Батурина до Чернігова (200 км, І категорія). Серпень. Десна від Літок до Московського мосту в Києві (40  км, маршрут вихідного дня, пройдено однією байдаркою разом з дружиною Н.М.Гулою). 1995 Липень. Річка Псел (вище від Гадяча і до траси Полтава-Київ, 180 км, І категорія). 1996 Серпень. Річка Десна від Чернігова і до Києва (200 км, І категорія). 1998 Червень. Дніпро від Південного мосту до Нової Українки (40 км, маршрут вихідного дня).

– 47 –


Статті В.І.Стріхи ВІДНОВЛЮВАНІ ДЖЕРЕЛА ЕНЕРГІЇ ЯК ОСНОВА ЕКОНОМІЧНОЇ  НЕЗАЛЕЖНОСТІ УКРАЇНИ Життєвою необхідністю для кожної розвинутої країни є забезпечення достатньою кількістю енергії. Традиційна енергетика розвинутих країн світу сьогодні базується на таких джерелах, як вугілля, газ, нафта та збагачений уран. Наприклад, у США за рахунок цих джерел отримують більше 90% всієї енергії, в Україні — 97%. Для забезпечення енергією України на рівні потреб 1992 року потрібно мати не менше, ніж 300 млн тон умовного палива. Власні енергетичні можливості України дозволяють видобувати близько 100 млн тон енергетичного вугілля (65 млн тон у.п.), 5 млн тон нафти (3,4 млн тон у.п.) та 22 млрд кубометрів газу (25,5 млн тон у.п.). Отже, разом маємо лише 94 млн тон у.п.. Решту нафти, газу та ядерне паливо ми повинні купувати. У світових цінах для закупівлі потрібного нам палива при ціні нафти 120 доларів за тону (1992 р. спожито близько 50 млн тон), газу 80 доларів за 1000 кубометрів (спожито 120 млрд кубометрів) та 10 млн доларів на річну заправку одного ядерного блоку ми повинні заплатити за все 15 млрд доларів річно. (Зауважу — ці розрахунки даються для потреб і цін 1992 р. і не враховують дальшого зменшення споживання енергії та динаміки цін на енергоносії). На сьогодні монопольним постачальником енергоносіїв для України є Росія. З огляду на постійне скорочення нашого ВВП Україна не має інакшої можливості розплачуватися за енергоносії, аніж віддаючи свої національні багатства (або ж залазячи в боргову яму). Йдеться про те, щоб передати Росії в сплату боргу за нафту й газ українську частину Чорноморського флоту, віддати Росії-таки в довгострокову оренду газо- та нафтопроводи, які проходять територією України. Але ж це — прямий шлях до втрати своєї незалежності. До того ж, це питання має й політичний аспект. Оскільки Росія є монопольним постачальником енергоносіїв, то при зміні політичної ситуації їхнє надходження може бути суттєво зменшене, або й зовсім припинене з політичних міркувань. Не рятує тут і будівництво Одеського терміналу, оскільки російський Чорноморський флот може легко блокувати його роботу. До того ж, постачання нафти на термінал залежить і від позиції Туреччини.

– 48 –


Тому Україна може стати по-справжньому незалежною тільки тоді, коли повністю й гарантовано забезпечить себе основними енергоресурсами. І тут одним з найперспективніших шляхів, на нашу думку, є використання відновлюваних джерел енергії, тобто таких джерел, які постійно існують у природі і є невичерпними. До таких джерел належать: енергія сонячного випромінювання, тепло надр Землі та енергія припливів і відпливів, яка визначається гравітаційною взаємодію між Землею і Місяцем. Від Сонця Земля загалом отримує енергію, яка перевищує сьогоднішнє виробництво енергії людством у 8000 разів. Тепло надр Землі може дати приблизно половину від тієї енергії, яку зараз споживає людство. Приблизно стільки ж можна одержати, використовуючи енергію припливів і відпливів. Сама сонячна енергія перетворюється на різні види вторинної енергії — гідроенергію, енергія вітру та хвиль, тепло морів та океанів, енергію біомаси тощо. Із трьох можливих видів відновлюваної енергії Україна, яка не має океанського узбережжя, може використовувати тільки два — енергію Сонця й тепло надр Землі. Оскільки Україна розташована в середніх широтах, між 44 та 52 паралелями, то широко вкоренилася думка, начебто використання енергії Сонця в нас є неперспективним. Проте насправді нам припадає на рік енергія сонячного випромінювання, що відповідає близько  100  млрд тон у.п. Це лише в півтора рази менше від енергії, яку одержує аналогічна за територією держава, розташована на екваторі, і в 330 разів перевищує енергетичні потреби України рівня 1992 року. Оцінимо тепер ресурси вторинних видів сонячної енергії. Гідроресурси України майже вичерпані. Проте оцінки показують, що на приблизно 20% території України (це в основному південні області й Крим) середньорічна швидкість вітру перевищує 5 м/с. Річна енергія вітрового потоку над Україною відповідає спаленню майже 70 млрд тон у.п. — лише в півтора рази менше від енергії прямого сонячного випромінювання. Але, зрозуміло, що реально можна використати лише вкрай незначну частку цієї енергії. Україну омивають відносно спокійні Чорне та Азовське моря, тому наш ресурс хвильової енергії відносно невеликий і становить лише 6,8 млн тон у.п.. Загальна ж енергія біомаси, яку можна отримати на території України, залежить від коефіцієнту корисної дії фотосинтезу. Якщо вважати цей коефіцієнт рівним 0,3%, то енергія біомаси приблизно дорівнюватиме річній потребі України в енергоносіях. Проте ця енергія може використовуватися не тільки безпосередньо, наприклад, при спалюванні біомаси, але й як вторинний продукт переробки при харчуванні тварин. Дуже перспективним для України може бути отримання біогазу з гною корів та свиней на основі анаеробного бродіння. Наприклад, використання гною 8,1 млн корів в Україні може дати близько 12 млрд кубометрів газу на рік. Це відповідає близько 15 млн тон у.п. і дозволило б забезпечити сіль-

– 49 –


ські райони України власним газом. При такому використанні гною органічне добриво не втрачається, а, навпаки, його ефективність підвищується, бо воно збагачується азотом. Загальна геотермічна енергія на площі України в шарі завтовшки 10 км складає 150 млрд тон у.п.. Це — величезна енергія. Але в зручному для використання вигляді вона сконцентрована тільки в деяких регіонах (переважно це Закарпаття й Крим). Таким чином, запаси відновлюваної енергії на території України (навіть без урахування геотермальної) в десятки разів перевищують енергетичні потреби України 1992 року. Проте проблема в тому, чи може наша держава реально використати цю енергію. Загалом можливість використання відновлюваних джерел енергії в будь-якій країні визначається такими факторами: * наявністю наукових і технічних рішень щодо перетворення відновлюваної енергії на зручну для користування; * науково-технічним потенціалом нації; * наявністю необхідних ресурсів для реалізації відповідної програми; * готовністю суспільства до суттєвих змін у методах використання енергії. Розгляньмо з цієї точки зору ситуацію в Україні. Почнімо з прямого використання сонячного випромінювання. Тут є дві можливості: пряме перетворення сонячної енергії на електричну та використання енергії Сонця для одержання тепла. В Україні є все для реалізації обох цих можливостей. Так, українські вчені розробили серію сонячних елементів на основі кремнію для прямого перетворення сонячної енергії на електричну з коефіцієнтом корисної дії до 19%. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках — традиційний напрям для української науки. Україна має потужну промислову базу для виготовлення кремнієвих сонячних батарей. Саме в нас вироблялося до 90% всього кремнію колишнього СРСР. Україна має широкі можливості для застосування сонячних колекторів у теплоенергетиці, особливо в південних областях і в Криму. З наукового погляду цю проблему вивчають колективи декількох інститутів НАН України та вищих навчальних закладів. Виробництво власних сонячних колекторів налагоджене на одному з підприємств Києва. Однією з перспективних областей застосування відновлюваної енергії є для України й вітроенергетика. В цій галузі Україна також має достатній науково-технічний та виробничий потенціал. Виробництво вітрогенераторів налагоджене на КБ «Південне». В галузі хвильової електроенергетики Україна досі мала незначний досвід. Проте певний науково-технічний потенціал накопичено й тут — переважно в науково-дослідних установах приморських областей. Енергія біомаси може бути використана для заміни бензину й палива для автомобільного транспорту та для комунальних потреб у сільській місцевості. Для заміни бензину може бути використаний етанол, який виробляється з буряків, зерна (так роблять у Бразилії). Другий шлях — заміна

– 50 –


дизельного палива на рослинну олію. Так сконструйований нещодавно в Німеччині дизельний двигун на 100 км пробігу споживає тільки 3,5 л рослинної олії. Для отримання олії, яка замінить 10–12 млн тон бензину, потрібно засіяти олійними культурами 20% орних земель України. Хоч досі досвід нашої держави щодо заміни бензину на рослинну олію малий, але з точки зору науки великих проблем тут немає. Україна має потужну харчову промисловість, яка виробляє етанол і рослинну олію. Певні проблеми можуть виникати в промисловості, яка випускає автомобільні двигуни. Проте на початковому етапі можна користуватися наявними двигунами, додаючи до бензину до 20% етанолу. В галузі використання біогазу Україна вже має певні успіхи. У Сумах навіть налагоджено виробництво промислових установок для отримання біогазу. Щодо використання геотермальної енергії, то сьогоднішній обсяг її використання не відповідає ані можливостям, ані потребам України. Одним з перспективних напрямків використання геотермальної енергії є освоєння нафтових свердловин. Наукові проблеми, які при цьому виникають, вивчаються в Інститутах електродинаміки і технічної теплофізики НАН України. Додатковою технічною проблемою є забезпечення корозійної стійкості металу, оскільки нагріті підземні води містять, як правило, агресивні хімічні компоненти. Як видно з розглянутого раніше, Україна може отримати достатню кількість енергії з відновлюваних джерел. Наша держава має достатні та різноманітні запаси цієї енергії, необхідний науково-технічний потенціал та матеріальні ресурси. Які ж причини можуть гальмувати широке використання відновлюваних джерел енергії? Перш за все, це висока вартість так званого встановленого кіловата потужності. Він визначається як вартість будівництва станції з одиничною потужністю. Вона становить 5000–6000 доларів за квт потужності для сонячних фотоелектричних станцій,  1000–1400  доларів для вітроелектростанцій, близько  150  доларів для сонячних теплових колекторів та стільки ж — для біоенергетичних установок на одну тварину. Якщо порівняти це з вартістю будівництва сучасних теплових електростанцій, яка досягає 600 доларів за квт, то видно, що сонячні фотоелектричні та вітроенергетичні станції дорожчі. Але якщо порівняти це з вартістю будівництва надійних атомних станцій, яка в США досягає 3500 доларів за квт, то різниця виглядатиме вже не такою відчутною. До того ж, такий розрахунок не включає вартості палива, яка для України становить річно 15,7 млрд доларів. З урахуванням цієї суми запровадження відновлюваних джерел енергії вже не виглядатиме економічно невмотивованим. Відзначмо також, що мільярдних капіталовкладень потребує і приведення наших АЕС до світових стандартів безпеки. Таким чином, висока вартість енергетики на основі відновлювальних джерел не є основною перепоною на шляху їхнього широкого впровадження

– 51 –


Друга суттєва проблема, яка при цьому виникає — це накопичення енергії. Справді, Сонце світить не весь час, вітер не весь час дме... І ця проблема — достатньо серйозна. На сьогодні існують декілька варіантів її вирішення. Це — і хімічні акумулятори, і отримання водню при розкладанні води, і накопичення енергії в маховиках. Третя проблема — це кадри. Для розвитку та обслуговування відновлюваних джерел енергії потрібно щонайменше декілька тисяч фахівців з вищою та середньою спеціальною освітою. Їх треба готувати якомога швидше. І Україна має достатню кількість вищих навчальних закладів, щоб вирішити це питання. Четверта проблема — опір традиційної енергетики. Програма впровадження відновлюваних джерел енергії не може розвиватися в рамках традиційної енергетики, а повинна бути окремою альтернативною державною програмою. І насамкінець, розвиток відновлюваних джерел енергії може істотно змінити традиційний стиль життя суспільства. Це — непроста проблема, й вона потребує великої роз`яснювальної роботи серед людей. Але, якщо ці проблеми будуть вирішені, Україна стане по-справжньому незалежною економічно, а отже — й політично. До того ж, суттєво поліпшиться екологічна ситуація, бо всі відновлювані джерела енергії, пов`язані з сонячним випромінюванням, є екологічно чистими. Не менш важливо й те, що широкий розвиток відповідних технологій дозволив би Україні посісти одне з провідних місць у цій галузі й завоювати світовий ринок. Але це станеться тільки тоді, коли впровадження енергетики на основі відновлюваних джерел стане по-справжньому загальнонаціональною ідеєю, якій буде приділено першочергову увагу уряду й народу України. В.І.Стріха, академік АН вищої школи України, доктор фізико-математичних наук, професор (початок 1993 р.)

– 52 –


ШЛЯХАМИ ПОСТУПУ Надруковано в «Інформаційному віснику АН ВШ України», 1994, ч.1. Академія наук вищої школи України (АН  ВШ  України) була заснована на установчих зборах 27 листопада 1992 року і зареєстрована Міністерством юстиції 10 березня 1993 року. Основними завданнями Академії в її статуті визначені: піднесення рівня науки у вищих навчальних закладах, інтеграція науки з освiтою та виховання нової генерації наукової громадськості, що керується принципами наукової об’єктивності та демократичності. Створення АН ВШ України відповідає завданням державної національної програми «Освіта» (Україна ХХІ  століття), де визначено: «створення в системі освіти органічно пов’язаної з нею нової гнучкої структури науково-дослідної діяльності академічного типу». Що ж на сьогодні являє собою наша Академія? В організаційному плані — це двадцять одне наукове відділення з усіх основних галузей наук, які представлені в вищих навчальних закладах країни. Крім того, організовані регіональні відділення Академії в усіх областях України та в Криму. В роботі наукових та регіональних відділень беруть участь доктори та кандидати наук, які працюють у вищих навчальних закладах та визнають статут Академії. Академія, як наукова організація, об’єднує вчених п’яти міністерств, що мають вищі навчальні заклади. Це міністерства Освіти, Охорони здоров’я, Сільського господарства, Культури та Оборони. Найбільш активні та потужні вищі навчальні заклади стали колективними членами Академії. Це Національний університет ім. Тараса Шевченка, Національний технічний університет (КПІ), Національний аграрний університет та інші. В результаті проведених виборів на сьогоднішній день біля 350 найкращих вчених вищих навчальних закладів обрані академіками АН ВШ України. Відрадно, що серед обраних академіків є члени всіх державних академій. Це  свідчить про авторитет АН  ВШ  України і дозволяє об’єднати зусилля всіх академій. Про міжнародний авторитет АН ВШ України свідчить те, що сьогодні 29 вчених із зарубіжних країн є її почесними академіками. Серед них — вчені США, Франції, Італії, Австрії, Нідерландів та інших країн. На сьогоднішній день Академія зосередила свої зусилля на науковій та координаційній роботі. Так, сформовані основні наукові напрямки, в рамках яких ведеться наукова робота, організована система експертизи, створена система наукових семінарів тощо. Основним своїм завданням Академія вважає збереження науки у вищих навчальних закладах як основи високого рівня вищої освіти нації. Це пов’язане з тим, що на тлі загальної кризи науки в Україні наука у вищих навчальних закладах опинилася в особливо важкому становищі.. Так, вищі навчальні заклади втратили фінансування значно більше, ніж інститути Національної академії наук. У вищих навчальних закладах ще декілька

– 53 –


років тому до 90% від усього об’єму наукових досліджень складала госпдоговірна тематика. Зараз її внесок малий. Не  вписались вищі навчальні заклади і в конкурсну систему Держкомітету з науки і технологій, а потім Міннауки. У 1992 році, наприклад, вони отримали за конкурсами тільки 3,2% від загального об’єму фінансування науково-технічних програм. Відділеннями академії підготовлено і виконується ряд програм досліджень як в рамках самого відділення, так і програм, що виконуються разом з іншими відділеннями. Як наслідок тільки за останній рік академіки АН ВШ України видали 84 монографії, 183 колективні збірники наукових праць, 72 підручники, 189 навчальних посібників, опублікували понад 4,5 тис. наукових статей. Одержали 61 свідоцтво на винаходи. За рік маємо 2 лауреати Державної премії України, 3 академіки удостоєні почесного звання «Заслужений діяч науки і техніки України», 1 академік нагороджений орденом «Пальмова вітка» (Франція), п’ятеро — відзнаками президента України різних рівнів. Академія в 1994 р. запровадила нову систему нагород за визначні вклад в розвиток науки та вищої освіти в Україні (Нагорода Святого Володимира) та за особливі досягнення в різних галузях науки (Нагорода Ярослава Мудрого). Серед нагороджених вищою нагородою Академії  — Олесь Гончар, Іван Драч, ректор Національного університету ім. Т.Г.Шевченка В.В.Скопенко, ректор Київського медичного університету Є.Г.Гончарук, ректор Аграрного університету Д.О.Мельничук, ректор Одеського економічного університету В.П.Бородатий. Для більш повного інформування наукових та громадських кіл держави про діяльність Академії був створений «Iнформаційний вісник Академії наук вищої школи» з періодичністю виходу один раз на два місяці. Почали виходити наукові видання, створені за участю Академії  — «Українознавство», «Механіка та машинобудування», «Проблеми архітектури та містобудування», «Інфекційні хвороби» та ін. Академія виступає ініціатором багатьох наукових конференцій з різних питань. Тільки в минулому році проведено 418 наукових конференцій та симпозіумів, на яких виголошено 4500 доповідей. Вчені АН ВШ України взяли участь у 169 Міжнародних наукових конференціях та з’їздах. Президія Академії розробила ряд пропозицій про поліпшення наукової роботи у вищих навчальних закладах та її зв’язку з освітою. Ці пропозиції надіслані до Президента України, Верховної ради, Кабінету Міністрів та відповідних міністерств. Академія наук підписала угоди про співробітництво з Міносвіти та рядом інших Міністерств, що мають вищі навчальні заклади. У зв’язку з важкою економічною ситуацією в останній час Академія активно розвиває регіональні форми роботи в рамках наукових відділень. Розвиває вона і міжнародні наукові зв’язки. Подальші успіхи АН ВШ України залежать не тільки від її діяльності, але й від підтримки її діяльності з боку владних структур, зокрема її державного визнання. В цьому випадку можна буде повністю використати величезний науковий, потенціал вищої школи та зберегти в умовах економічної кризи науку та вищу освіту, без якої неможливе майбутнє держави.

– 54 –


ТРИ РАДЯНСЬКІ МІФИ  УКРАЇНСЬКОЇ НАУКИ Надруковано російською мовою в: «Зеркало недели», № 11 (76), 16 — 22 марта 1996 года. Більшість учених у пресі й на конференціях, проведених громадськими організаціями, виступило за реорганізацію української науки в рамках світового досвіду. Більшість керівників науки у пресі й на нараді, організованій державною комісією, виступило за збереження структури й існуючих цінностей. Таким чином, в українській науці сформувалися два світи, вододіл між якими лежить, за невеликими винятками, на рівні директора інституту. Щоб проаналізувати природу й наслідки цього вододілу, необхідно повернутися до часів СРСР, де були сформовані структура й цінності української науки, і розглянути їх у контексті досвіду світової науки. Як відомо, в СРСР була створена ціла система ідеологічних, економічних та інших міфів. Більшість із цих міфів сьогодні отримали адекватну оцінку. Проте найживучішими виявилися наукові міфи, якими й сьогодні годують український народ (і його керівництво). Міф перший полягає в тому, що адміністративно-командна система організації науки є ефективною. Цією системою наука СРСР  була розділена на академічну, вузівську і галузеву з своїми структурами управління. На чолі науки як її штаб була поставлена академічна наука. Аналогічні структури були створені в республіках, але з підкоренням Москві. Створення такої вертикалі переслідувало далекосяжні політичні цілі. Міф про ефективність адміністративно-командної науки і сьогодні на озброєнні у керівників науки України. Проте порівняння зі світовим досвідом показує, до яких серйозних негативних наслідків приводить цей міф. Другий міф полягає в тому, що слово «наука» стало синонімом словосполучення «наука Академії наук». Отже, тільки в Академії наук працюють справжні учені і робиться справжня наука. Цей міф є природним наслідком першого міфу про побудову науки на чолі з Академією наук. Головна наука і повинна стати єдиною. Так, існує ще університетська і галузева науки. Але створювалася громадська думка, що, оскільки професорськовикладацький склад переобтяжений викладацькою роботою, то не може реально займатися наукою. Ну, а галузева наука — це взагалі не наука, а техніка. Чи це так — можна побачити на прикладі порівняння сьогоднішнього наукового потенціалу НАН і Міносвіти України. За офіційними даними потенціал НАН складає не менше 27% сумарного наукового потенціалу держави, а Міносвіти — близько 10%. Водночас за статистичними даними в НАН є близько 17 тисяч наукових співробітників (близько 2 тисяч докто-

– 55 –


рів наук) плюс науковою роботою займається близько 2,5 тис. аспірантів і докторантів — всього близько 20 тис. осіб. У Міносвіти науковою роботою займається близько  20  тис. наукових співробітників, близько  35  тис. професорсько-викладацького складу (близько 4 тис. докторів наук), близько 12 тис. аспірантів і докторантів. Всього 67 тисяч осіб. Це — не рахуючи декількох десятків тисяч студентів старших курсів. З цих цифр ніяк не випливають офіційні дані з розподілу бюджетного фінансування. Розбіжність у понад  10  разів. Тож, може бути, справа в науковій продукції? Як показує аналіз, кількість публікацій на одного зайнятого в науці в Міносвіти приблизно така ж, як і в НАН України. Можливо, ці публікації — істотно гіршої якості? Теж ні, оскільки кількість цитувань і число узагальнюючих монографій на кількість статей в Міносвіти приблизно така ж, як і в НАН України. Так звідки ж узялися цифри, наведені вище? Для цього потрібно подивитися бюджет науки. І справді, НАН одержує 27% від цього бюджету, а Міносвіти — 10%. Але ці цифри не мають жодного відношення до наукового потенціалу. (Якщо виходити із загальної кількості учених України, що виконують дослідження — 207 тисяч, — то частка НАН не перевищуватиме 10 %). Міф третій. Академія наук є і повинна залишитися флагманом фундаментальної науки. Те, що це  — міф, можна ясно бачити на прикладі НАН України, де 70–80% інститутів — технічного профілю. Про прикладний характер академічної науки свідчать також численні експонати академії  — прилади, механізми тощо  — на виставках наукових досягнень. Причому внаслідок того, що називають «патонізацією науки» (створення інженерних центрів, вимога економічного ефекту тощо), поняття фундаментальної науки було деформоване і в середовищі самих учених. Виник такий невідомий світовій науці термін, як «фундаментальні дослідження в галузі технічних наук». Тут не зайве порівняти результативність науки країн, що сповідують різні принципи її організації. Причому слід порівнювати результати, які справді змінили наші наукові уявлення про навколишній світ. Таким мірилом є Нобелівські премії. За останні 25 років перед розпадом СРСР вчені США отримали 77 Нобелівських премій, а учені СРСР — 2. Учені ж України не отримали жодної Нобелівської премії за весь час їх існування. В той же час вчені Франції мають 19 Нобелівських премій. Так, може, українська земля не народжує талантів? Ні, це не так. 7 учених, що народилися і працювали на території України, стали лауреатами Нобелівської премії за її межами. Тепер хотілося б повернутися до аналізу обговорення питання про реорганізацію науки в рамках двох наукових світів. На конференціях, організованих науковою громадськістю, в яких брали участь учені всіх гілок науки, основну увагу приділено питанню підвищення ефективності науки шляхом підняття статусу вченого. Була сформована концепція організації науки, де головним є підвищення ролі ученого в

– 56 –


управлінні наукою і створення загальнодержавної спільноти учених однієї спеціальності незалежно від відомчої приналежності. Для роботи з реалізації цієї концепції була вибрана координаційна порада. Висновок, який можна зробити, полягає в тому, що учені стурбовані загальним станом у науці, а не тільки своїм особистим благополуччям у ній. Тепер про нараду, скликану державною комісією по реорганізації науки. Тут також було присутнє широке коло учасників, що представляють всі гілки української науки. Нарада супроводжувалася виставкою наукових досягнень. Проте режисура зібрання полягала в тому, щоб дати слово тільки керівникам науки і членам НАН України. Практично нікому з представників неакадемічної науки слова не дали, як не дали слова і академічним дисидентам. Тому тут був представлений тільки один світ — світ керівників науки (головним чином — керівників НАН України). Як наслідок, ніякого аналізу причин кризового стану науки в Україні, за винятком деяких положень з промови Л.Кучми, на цій нараді не було. Висновки більшості промовців зводилися до того, що якщо держава додасть грошей і прав НАН України, то всі проблеми науки будуть вирішені. Слід проте відзначити, що все ж таки в матеріалах комісії, а також у виступах на нараді висловлювалися конкретні пропозиції, якщо і не щодо істотного поліпшення стану науки, то щодо його часткового виправлення. Але хотілося б зробити зауваження щодо способу реалізації цих пропозицій. Так, висловлювалася добра пропозиція про організацію Наукової ради при Президенті. Але, якщо ця рада буде створена тільки з керівників НАН України або з керівників науки республіканського масштабу, від нього буде більше шкоди, ніж користі, оскільки вона закріпить соціалістичні принципи в науці, і міфи СРСР надовго стануть державними міфами України. Розглядалася добра пропозиція про створення Фонду фундаментальних досліджень. Проте, якщо цей Фонд буде передано в НАН України або до органу, в якому їй належатиме контрольний пакет акцій, то буде завдано шкоди не тільки науці, а й вищій освіті (див. міф 3). Підготовлений указ Президента про встановлення стипендій видатним ученим. Але присудження цих стипендій передбачається покласти на Комітет із державних премій України, фактично підконтрольний НАН України. Природно, що більшість «видатних учених» складуть представники НАН. В таких умовах об’єктивніше було б встановити квоту для різних відомств, пропорційну їх кадровому потенціалу вищої кваліфікації. Нарешті, про головний висновок наради: всі біди науки України — в рівні її фінансування. Не применшуючи значення питання, автор статті, проте, був переконаний, що це не так, і навіть відновивши рівень фінансування 1990 року, ми не відновимо рівня науки Української РСР. Це пов’язано з подальшими причинами. По-перше, структура нашої науки була створена під інші завдання (див. витоки міфу 1) і в нових економічних і соціальних умовах працюватиме ще гірше, ніж раніше. По-друге, істотно погіршився кадровий склад науки. Тут — і відхід кваліфікованих кадрів, і відсутність

– 57 –


поповнення молодими ученими. По-третє, істотно постаріла матеріальнотехнічна база, а приладобудування в країні практично вже немає тощо. Основне питання — про напрям реформування науки — через викладене вище обговорювався тільки світом учених. І у зв’язку з цим аналізувався світовий досвід організації науки. Як відомо, єдина, не розділена по відомствах світова наука все ж таки формується навколо університетів. Виникає питання: а чому? Перш за все тому, що наука і освіта нероздільні. Триєдине завдання науки — це освіта, науковий результат і нові технології. В багатьох країнах керівництво ними здійснюється одним міністерством: наприклад, у ФРН  — міністерством освіти, науки, досліджень і технологій. Там же, де є наукові організації, подібні до наших державних академій, вони виконують абсолютно інші функції. Так, наприклад, підвідомчі Товариству Макса Планка (аналог НАН  України) інститути у ФРН живуть в умовах постійної зовнішньої експертизи, французький аналог НАН  має  70% лабораторій, спільних з університетами... І ні в одній країні (Лівія або Північна Корея — не беруться до уваги) ніхто не володіє монополією на наукову істину. По-друге, наука, зосереджена навколо університетів,  — найдешевша наука: на одиницю витрат тут можна отримати найбільший результат. Це  визначається тим, що науково-технічний потенціал використовується двічі: в науковій роботі і в навчанні. Виробництво наукового продукту і навчання при цьому поєднані: наукова робота підтримує високий рівень професорсько-викладацького складу, розроблені технології одночасно одержують кадровий супровід. По-третє, організація університетської науки відповідає завданням ринкової економіки. Це було пов’язано з тим, що наукова робота у вишах ведеться, як правило, невеликими автономними колективами, здатними гнучко реагувати на потреби ринку. В цій роботі бере участь студентська молодь, легко сприйнятлива до нових ідей. Виникає питання: а чи підходить нам цей світовий досвід? Для відповіді проаналізуємо сьогоднішній стан університетської науки в Україні. Її принципи були закладені ще в СРСР. Проте виші через свою специфіку (багатопрофільності переважної більшості з них) уникнули того рівня адміністративно-командної єдиноначальності, який встановився в академічній (та і в галузевій) науці. Крім того, в останні 15–20 років перед розпадом СРСР  основним джерелом фінансування університетської науки стала госпдоговірна тематика, а учені вишів були поставлені в умови, коли тільки їх справжній рівень давав можливість знайти замовника. В результаті в університетській науці в більшій мірі збереглися принципи, характерні для світової практики. Тому і мали кращі виші таку ж наукову ефективність, що й академічні установи (при витратах у декілька разів менших). Це ж забезпечувало і достатньо високий рівень освіти. На жаль, за роки незалежності університетська наука України понесла не менші втрати, ніж академічна. Діяли тут як загальні причини, так і ряд додаткових чинників. Так, унаслідок помилок керівництва Міносвіти було знище-

– 58 –


но наукове середовище в рамках самого міністерства (були ліквідовані координаційні ради, базове фінансування було передане ВНЗ тощо). Введенням контрактної системи в її теперішньому вигляді були суттєво урізані права традиційного університетського самоврядування і був створений механізм розправи з «небажаними». Крім того, університетська наука практично втратила госпдоговірну тематику, яка давала до 90% всього об’єму фінансування. Результатом стала глибока криза, яка може мати катастрофічні для всієї нашої науки наслідки, бо здатна підірвати відтворювання кваліфікованих кадрів. Та все ж наша університетська наука за своїми завданнями, структурою та організацією ще може служити основою для створення системи науки, що більш-менш відповідає світовому досвіду. Чи можливо це в наших умовах, а якщо так, то хто цьому заважає? Щоб відповісти, проаналізуємо нові форми організації науки, які виникли «знизу» в умовах демократизації суспільства. Я маю на увазі громадські академії, що з’явилися і як протест проти адміністративних засад у науці, і як спроба пристосувати до наших умов апробовані досвідом розвинених країн рецепти. Такі академії мають різну структуру і різний потенціал. Деякі з них справді важко назвати співтовариствами учених. Але деякі володіють потенціалом, що не поступається державним академіям, і навіть за відсутності бюджетного фінансування встигли немало зробити для науки України. Для прикладу хотів би сказати про Академію наук вищої школи України. Вона була створена в листопаді 1992 року з метою підняти рівень університетської науки, реалізувати демократичні принципи, об’єднати науку і освіту. Сьогодні академія має  20  відділень, що охоплюють ширше коло питань, ніж НАН (є відділення морських наук і технологій, військових наук тощо). Регіональними об’єднаннями у всіх областях і в Криму АН ВШ України охоплює всю територію України, а не тільки декілька традиційних наукових центрів. В роботі академії бере участь понад 2500 докторів наук, які представляють виші п’яти міністерств.  290  кращих учених — докторів наук були вибрані академіками з використанням найдемократичнішого принципу відбору, коли в голосуванні могли брати участь всі доктори наук з відповідної спеціальності. Отримала АН ВШ України і визнання вчених інших академій (в її склад були вибрані академіки і членикореспонденти всіх державних академій), а також міжнародне реноме (вчені США, Італії, Австрії, Польщі та інших країн є її почесними членами). І в той же час АН  ВШ  України зазнає постійної протидії з боку адміністративно-командної системи, особливо в особі керівництва державних академій. Звучать слова, що такої академії немає, що її слід заборонити як організацію академічного типу. І убілених сивиною метрів нітрохи не бентежить, що така заборона не відповідала б принципам правової держави, оскільки поняття «академія» з’явилося ще в Стародавній Греції і не є чиїм-небудь товарним знаком, а звання «академіка» не є державною посадою, а лише визнанням наукових заслуг з боку найбільш об’єктивних суддів — власних колег-учених. Але, на жаль, дуже твердо були засвоєні багато ким принципи організації соціалістичної науки СРСР...

– 59 –


То яка ж лінія візьме верх в українській науці? Як випливає з недавньої всеукраїнської наради, всі шанси на успіх має лінія адміністраторів від науки, що безумовно приведе до поглиблення кризи в нашій науці, а в близькій перспективі — і до її загибелі. Позиція декількох сотень наукових бюрократів сьогодні виявляється сильнішою, ніж позиція багатьох десятків тисяч людей, що займаються науковими дослідженнями. Жива ще «соціалістична наука» зі всіма її міфами. Але деякий оптимізм вселяють слова з виступу Л.Кучми на Всеукраїнській нараді учених про те, що питання ще не закрито остаточно. Віталій СТРІХА,  доктор фізико-математичних наук

– 60 –


НАЦІОНАЛЬНА ЕЛІТА — СПРАВЖНЯ ЧИ «ЧОРНА»? (ПРОБЛЕМИ ВИХОВАННЯ  ЕЛІТИ НЕЗАЛЕЖНОЇ УКРАЇНИ) (Надруковано в скороченому вигляді: В.І.Стріха. Незалежна Україна потребує справжніх еліт. Вона їх не дочекається, якщо не вдасться зупинити розвал освіти і науки // День. — 1997. — 20 березня. — С.6.) Рівень політичної, адміністративної, науково-технічної та мистецької еліти в сучасних умовах визначає рівень нації та її місце в світовому співтоваристві. Особливо чітко це можна побачити на прикладі Франції, яку за кількістю населення, площею, природними багатствами та іншими показниками часто порівнюють з Україною. Саме еліта цієї країни з всесвітньо відомими іменами політиків Наполеона, де Голля, Міттерана, діячів науки та техніки Вольтера, Дідро, Ампера, братів Люм’єрів, Ейфеля, Кюрі, митців та письменників Гюго, Бальзака, Родена, Пікассо та багатьох інших зробили Францію всіма визнаною великою державою. Україна ж протягом багатьох віків входила в склад інших держав, і тому формування її еліти відбувалося в умовах залежності від центральної влади. Зокрема, сучасна еліта України формувалась як частина еліти Радянського Союзу в умовах тоталітарного режиму. Керівництво суспільством з боку Комуністичної партії визначало можливості та рівень цієї еліти. Сама верхівка Комуністичної партії формувалась не на основі високого рівня освіченості чи професіоналізму, а на основі відданості комуністичній ідеї. Ідейна зашореність цієї верхівки зробила політичну еліту Радянського Союзу вузькомислячою, а це привело до трагічних наслідків при формуванні інших шарів еліти. Заради об’єктивності слід визнати, що в Радянському Союзі було виховано чимало видатних представників адміністративної та науковотехнічної еліти, що дозволило побудувати могутню промисловість та створити потужний військово-промисловий комплекс. Менше поталанило творчій та мистецькій еліті, де партійне керівництво влаштовувало періодичні чистки, а то й вдавалося до прямого знищення письменників і митців, які, на думку керівництва СРСР, відхилялись від основної ідеї побудови комунізму. Крім того, формування еліти нації, як кращої частини інтелігенції, в Радянському Союзі завжди відбувалося в умовах, коли інтелігенція, за визначенням, була тільки прошарком між пануючим робітничим класом та селянством, союз між якими був ідеологічною основою радянського суспільства. Українська РСР, як одна з республік, була в провінційному становищі щодо умов формування еліти. В результаті відбувалась асиміляція кращих

– 61 –


представників української еліти центром і зарахування їх до російської еліти, а ті представники української еліти, які тільки підозрювалися в так званому буржуазному націоналізмі, переслідувалися, або й просто знищувалися. Справді, скільки людей, народжених українською землею, стали гордістю тільки російської науки та культури. І тут можна почати ще з імен Прокоповича, Бортнянського, Короленка, Гоголя, Чайковського і закінчити Корольовим, Александровим, Козловським, Бондарчуком, Віктюком.... Але пішов уже шостий рік нашої незалежності і час проаналізувати, який же стан з формуванням справді української еліти незалежної країни. Спочатку про політичну еліту. Базою для формування цієї еліти в основному стали партійні та комсомольські функціонери другого та третього ешелону, які прийняли ідею незалежності, або скористалися з неї. При її формуванні, особливо на першому етапі, значний вплив мали й ті, хто були дисидентами чи інакодумцями за часів колишнього Радянського Союзу. Але потім усе більшу, а зараз основну роль стали відігравати адміністративні частини еліти, що контролюють фінансові й матеріальні ресурси держави. Таке формування політичної еліти супроводжувалось трьома дуже важливими чинниками: політичним та економічним тиском Росії, тиском Заходу в напрямку проведення економічних реформ та політичною пасивністю основної маси населення. В результаті різновекторної дії всіх цих чинників в Україні так і не була сформована політична еліта належного рівня. Виняток, може, становлять 3–5 осіб, яких можна було б назвати лідерами нового типу, але й на них лежить певний відбиток традицій провінціалізму. Підтвердженням практичної відсутності справжньої політичної еліти є те, що кількість неправильних політичних рішень до сьогоднішнього дня (може за винятком сфери зовнішньої політики), значно перевищує кількість правильних. Це, зокрема, підтверджується безперервним погіршенням економічного стану країни та розвалом освіти, науки, культури, медицини. До того ж, більшість політичних рішень, що визначали економічні перетворення в Україні, були простим повторенням відповідних кроків Росії, включаючи всі її вже очевидні на той час помилки. Хто ж сумнівається в справедливості зроблених висновків про низький рівень та провінціалізм нашої політичної еліти, той може проаналізувати хоча б один день роботи нашої Верховної Ради. Зрушення на краще тут, на думку автора, можна чекати лише при формуванні рівноцінних за вагою політичних сил, боротьба між якими буде справою всього електорату України. Це може відбутися лише шляхом появи двох-трьох потужних партій та зміни радянського менталітету народу з його переконаністю, що все йде зверху, а знизу нічого зробити не можна. Перші кроки на цьому шляху показують, що такий процес забере не менше 10–15 років. До того часу, на жаль, українська політична еліта не буде мати рівня, що відповідає не тільки світовим стандартам, а й потребам розбудови незалежності України.

– 62 –


Тепер про адміністративну еліту, яка об’єднує представників виконавчої влади та керівників економіки, включаючи приватний бізнес. За роки незалежності в Україні сформувався потужний (надто потужний) шар державних службовців різного рівня. В умовах існуючої політичної та економічної ситуації це привело до того, що Україна, за оцінками західних експертів, стала однією із найбільш корумпованих країн світу. Корумпований весь державний апарат, включаючи й структури, обов’язком яких є боротьба з корупцією (міліція, прокуратура та інші). Водночас рівень виконавчих структур, які не контролюються демократичним шляхом, залишається низьким. Тепер про керівників економіки. В Радянському Союзі був сформований шар керівників промисловості та сільського господарства, які в умовах планової та контрольованої партійними органами економіки забезпечували досить високий її рівень. При переході до ринкової економіки керівники, звичні до певних правил гри, фактично обумовили розвал економіки в нових умовах, не створюючи замість цього практично нічого нового. Не можна ж вважати корисним для країни створення навколо державних структур мережі приватних «супутників», які в основному спеціалізувалися на перетворенні значної частини продукції державних підприємств на приватні гроші, основна частина яких і осідала в кишенях керівників державних підприємств. При цьому виробництво неухильно падало. В цьому сенсі стара еліта перетворилася на власного антипода, якого можна було б назвати «чорною елітою». Часто кримінальний характер носить і її участь в приватизаційному процесі, де вона, користуючись своїм адміністративним становищем, приватизувала основну частину державного майна, але не дбала про зростання чи навіть про стабілізацію виробництва. Ще  реакційнішу роль в процесі становлення ринкових відносин відіграє прошарок керівників сільського господарства. Користуючись своїм виключним становищем у селах, де від їх волі залежить доля кожної людини, та політичною відсталістю селян, ці люди усіляко гальмують перехід сільського господарства на нові рейки. В цьому розумінні керівників сільського господарства, за невеликими винятками, взагалі не можна віднести до еліти, — якщо ми будуємо не соціалістичну державу, а державу ринкової економіки. Протягом останніх років активно формувався прошарок керівників приватного бізнесу (керівників фірм, банків, тощо), в руках яких зосереджувалися величезні гроші. Але особливістю формування цього прошарку було те, що він створювався майже виключно за рахунок посередницької діяльності, а не розвитку нового виробництва. Ці люди зараз в основному залишаються «поза кадром», але їх роль в суспільстві стає дуже великою, бо їм належить значна, а, може, й основна частина економіки країни, яка, за визнанням експертів, більш як на 50% перебуває «в тіні». Саме ці люди дуже істотно впливають на прийняття чи виконання тих чи інших політичних рішень. Які ж перспективи перетворення сучасної адміністративної еліти на еліту, яка б відповідала потребам побудови економічно процвітаючої Укра-

– 63 –


їни? Для цього перш за все потрібно змінити умови роботи прошарку державних службовців. Вони мусять перебувати під контролем суспільства. І це може бути реалізовано, як і для політичної еліти, при формуванні різних політичних сил, що мають співрозмірну вагу. Крім того, потрібна цілеспрямована боротьба з корупцією і, в першу чергу, в структурах, які мусять стояти на охороні закону. Заміни «чорної» еліти на справжню в промисловості не можна досягнути без завершення процесу приватизації. Тільки після цього колишні розпорядники державного майна можуть перейти до створення нової системи господарства. Гірша справа в селі, де ще довгий час йтиме боротьба за зміну менталітету селян, вихованих в умовах колективного господарства. На жаль, мало оптимізму вселяє формування класу бізнесменіввиробників на основі бізнесменів-посередників. Як  показує досвід, бізнесмени-посередники не здатні вкладати гроші в розвиток власного виробництва. Так, сьогодні накопичені кошти, які дістаються в результаті операцій «купи-продай», вкладаються лише в машини, дачі, відпочинок за кордоном чи нічні клуби, а не в створення нового виробництва. За  оцінками, для формування справжньої адміністративної еліти потрібно не менше 5–10 років. Але слід відзначити, що тривалість цього процесу надзвичайно сильно залежить від тривалості формування політичної еліти. Сьогоднішня науково-технічна еліта країни була сформована за правилами гри Радянського Союзу під тиском адміністративної системи. В результаті наукова еліта не спромоглася за сімдесят років Радянської та п’ять років незалежної України отримати бодай одну Нобелівську премію. Для порівняння, та ж Франція, де працювало менше вчених, ніж в Україні, за той же час отримала близько 20 Нобелівських премій. Трохи кращими були справи в технічної еліти, де досягнуті значні успіхи в ряді областей техніки, головним чином пов’язаних з військовопромисловим комплексом (ракетобудування, літакобудування, зварювання, матеріалознавство тощо). Але, на жаль, сьогодні йде розвал як структури всієї української науки, так і структур, пов’язаних з технікою. І це пов’язано не тільки з погіршенням економічного становища, але і з суб’єктивними факторами. Так, зберігається організаційна структура науки радянського типу, створена для побудови зовсім іншого суспільства, яка не формує справді наукові цінності, знищена мотивація наукової роботи. І це при тому, що для збереження, наприклад, науки України потрібно лише 2–3% ВВП, а в тіньовій економіці обертається 50% всіх грошей. Якщо вірити пресі, то в нашій країні і, зокрема, в нашому парламенті є люди, кожен з яких на власні кошти міг би утримувати всю українську науку від розвалу протягом 2–3 років. Особливу тривогу викликає стан вищої школи України, яка є основою виховання не тільки науково-технічної еліти, але й інших шарів еліти нації. Зараз вища школа знищується випереджаючими темпами, попри зовні благополучну ситуацію. Так, не зменшується, а навіть збільшується кіль-

– 64 –


кість вищих навчальних закладів, більш-менш стабільна кількість студентів тощо, і це робить внутрішній розпад вищої школи майже непомітним для суспільства. Проте стрімкими темпами знищується наука в вищих навчальних закладах, а саме вона є основою відтворення кваліфікованих викладацьких кадрів та основою сучасного навчального процесу. Водночас відбувається погіршення матеріально-технічної бази та зміна на гірше студентського складу. Не останню роль відіграє також контрактова система наймання на роботу професорсько-викладацького складу та особисте становище ректорів. Справді, сьогоднішній ректор особисто перебуває в кращому правовому та матеріальному становищі, ніж раніше, коли краще жила вся вища школа. Натомість викладач боїться висловлювати думки, що не збігаються з думками ректора (а хто висловлюється інакше, той, як правило, швидко втрачає роботу). Яка ж перспектива змінити стан з вихованням науково-технічної еліти країни? Потрібно здійснити ряд заходів. І, перш за все, зберегти рівень вищої освіти хоча б у 30–40 провідних вищих навчальних закладах країни. Це збереження вищої освіти неможливе без збереження науки в вищих навчальних закладах, відновлення мотивації викладацької діяльності. Відзначмо також, що в науці загалом формування справжньої еліти не може бути реалізовано без зміни принципів її формування. Головним мусить стати рейтинг вченого в середовищі вчених його спеціальності, а не його місце в адміністративній ієрархії. Це вимагає перегляду принципів організації державних академій, підтримки нових форм організації науки, зокрема громадських академій тощо. Всі ці заходи вимагають тільки правильних політичних та організаційних рішень і можуть бути здійснені за відносно короткий термін протягом 2–3 років. Але їх виконання вимагає певної політичної рішучості, а головне — мудрості всіх учасників необхідних перетворень, якої так не вистачає на сьогоднішній день. І тут особливо треба підкреслити, що, коли не зупинити процесу розвалу освіти та науки, то для відновлення тільки теперішнього стану потрібно буде декілька десятків років та величезні фінансові вкладення. Сьогоднішній парадокс полягає в тому, що навіть у Радянському Союзі, де інтелігенція була прошарком, вона була шанованим прошарком суспільства. Натомість у незалежній Україні вона стала прошарком другого сорту. Невже незалежній Україні не потрібен розум? На  перший погляд, після здобуття незалежності найбільш сприятливі умови для свого розвитку отримала творча та мистецька еліта. Зняті всі ідеологічні заборони на художню творчість. Але, як не дивно, це не привело до швидкого формування повноцінної художньої еліти демократичного суспільства. На нашу думку, це пов’язано з декількома причинами. Поперше, головну ідею творчої еліти (переважно письменницької її частини) — ідею незалежної України — суспільством спочатку було сприйнято практично без труднощів (результати референдуму). Інших же ідей ця частина еліти за короткий час незалежності не виробила. По-друге, художня

– 65 –


еліта потрапила в нові економічні умови, коли фінансування її діяльності різко зменшилося. В результаті значна її частина опустилася до рівня культури широкого вжитку, де можна заробити гроші. По-третє, яскраво виявилась наша провінційність в культурі, яка вироблялась державною політикою Радянського Союзу протягом десятиліть. Але, попри сьогоднішній стан речей, становлення художньої національної еліти викликає найменше побоювань. Для цього потрібен тільки час та покращання економічного становища. Загалом незадовільний стан з національною елітою є не виною, а бідою України, наслідком її залежності від центру імперії. Але на створення справжньої еліти нам відпущено не більше 10–15 років. Якщо ми не використаємо цей шанс, то нас чекає або втрата незалежності, або перехід до рівня держав третього світу з дуже примарними надіями на повернення до кола передових чи розвинутих країн, — таких, як, наприклад, Франція, про яку вже йшла мова на початку нашої статті. Причому ключовим на сьогоднішній день є збереження, якщо не кількісно, то якісно, науки та освіти країни як основи для подальшого виховання інших прошарків національної еліти. Академік Академії наук вищої школи України, професор, доктор фізико-математичних наук, Соросівський професор В.І.Стріха (1996 рік.)

– 66 –


НАПІВПРОВІДНИКОВІ СЕНСОРИ — ПЕРСПЕКТИВНИЙ НАПРЯМ  НАПІВПРОВІДНИКОВОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ Вступ

Всім відомі величезні успіхи напівпровідникової електроніки, які привели до створення інтегральних схем з високим ступенем інтеграції. В свою чергу інтегральна техніка визначила розвиток обчислювальної техніки, техніки зв’язку та контролю за виробничими процесами, побутової техніки високого класу, створення високоточної зброї тощо. Саме це і визначило основні науково-технічні досягнення сучасної цивілізації. В останні 10–15 років велика увага дослідників у галузі напівпровідників та напівпровідникової електроніки була привернута до створення різного роду напівпровідникових сенсорів, які активно використовуються разом з мікросхемами і визначають новий перспективний напрям напівпровідникової електроніки — напівпровідникову сенсорику. Чим же викликаний активний розвиток напівпровідникової сенсорики? Справа в тому, що розвиток цивілізації вимагає все більшого контролю за хімічним складом навколишнього середовища, контролю великого числа виробничих операцій, контролю великого числа медичних показників тощо. Якщо допустити, що кожна людина має право щоденно знати лише 10 параметрів, що важливі для її життя, то загальна кількість вимірювань кожного дня досягне 5 1010. Це — величезна кількість вимірювань, яку не можна реалізувати існуючими методами. Тому потрібний принципово новий підхід. І цей підхід можливий у рамках застосування напівпровідників, які чутливі до різноманітних зовнішніх дій, та використання розробленої в інтегральній техніці технології, яка вже сьогодні дозволяє в одному технологічному процесі отримувати до 107 окремих елементів.

Визначення та класифікація напівпровідникових сенсорів

Загалом поняття «сенсор» можна визначити як первинний елемент вимірювальної системи, який перетворює вимірюваний сигнал однієї природи в сигнал іншої природи. Всі вимірювані сигнали залежно від їх природи можна розділити на три великі групи: фізичні, хімічні та біологічні. Виходячи з цього, всі сенсори також поділяються на три групи: 1) фізичні сенсори, 2) хімічні сенсори, 3) біологічні сенсори або біосенсори. В свою чергу фізичні сенсори в залежності від характеру фізичного сигналу можуть бути поділені на подальші групи: 1) Механічні,

– 67 –


2) Термічні, 3) Електричні, 4) Магнітні, 5) Радіаційні. Як видно з цього розподілу, механічні сенсори чутливі до швидкості, прискорення, розмірів тощо. Термічні сенсори чутливі до температури, потоків тепла тощо. За  допомогою електричних сенсорів можна фіксувати струм, напругу, заряд та інші електричні параметри, а за допомогою магнітних сенсорів — магнітне поле, магнітний момент та інші магнітні характеристики. Радіаційні сенсори вимірюють інтенсивність випромінювання різної природи, його фазу тощо. Хімічні сенсори розділяються на газові та рідинні і можуть реєструвати склад, концентрацію та інші характеристики хімічних сполук. Біосенсори реєструють склад та концентрацію біологічно активних речовин.

Принципи застосування напівпровідників у сенсорах

Як відомо, напівпровідники є надзвичайно чутливими до зміни зовнішніх умов. Їх властивості змінюються зі зміною температури, під дією електричного та магнітного полів, під дією зовнішнього опромінювання і багатьох інших факторів. Чим же обумовлені такі зміни? В самому напівпровіднику ці зміни, в першу чергу, визначаються енергетичними переходами між валентною зоною та зоною провідності, а також між домішковими рівнями та дозволеними зонами. При цьому змінюється провідність напівпровідника. Крім того, зміна властивостей напівпровідника відбувається також при просторовому переміщенні зарядів. Такий ефект, наприклад, спостерігається при одночасному впливі електричного так магнітного полів, коли носії заряду накопичуються на поверхнях, перпендикулярних електричному та магнітному полям (ефект Холла). У випадку напівпровідникових приладів дія зовнішніх полів може бути складнішою, але і в цьому випадку важливими складовими процесів, що відбуваються, є енергетичні та просторові переходи носіїв заряду. Наприклад, в р-n переході важливими є просторові переходи від n- до р-області, а в біполярному транзисторі важливими є просторові переходи інжектованих носіїв від емітера до колектора, що при різних опорах кола емітера і колектора і спричиняє ефект підсилення сигналу. Якщо на біполярний транзистор діє також освітлення, то ми маємо одночасно енергетичні та просторові переходи. Чутливість напівпровідників до хімічного чи біологічного сигналу головним чином визначається зміною вигину енергетичних зон коло поверхні напівпровідника. Це може обумовлюватися зміною поверхневих зарядів в результаті адсорбції і приводить до зміни провідності напівпровідника, зміни випростуючих властивостей контакту метал-напівпровідник тощо.

– 68 –


Основні параметри сенсорів

Напівпровідникові сенсори характеризуються передаточними характеристиками, а також довгочасовою стабільністю та надійністю їх роботи. Серед передаточних характеристик найбільш важливими є точність вимірювань: E (%) = 100 (Xm — X1)/X1, де X1 — точне значення невідомої величини, а Xm — значення, що вимірюється, а також чутливість S = ∆Y/∆X, де Y та X вихідний та вхідний сигнали. Крім того, важливими передаточними характеристиками є нелінійність, повторюваність та інші. Важливу роль відіграють також стабільність та відсутність дрейфу характеристик при зміні температури і з перебігом часу. Особливе значення має надійність сенсорів. Як відомо, надійність визначається відмовами, які поділяються на катастрофічні, коли сенсори виходять з ладу, короткочасові, після яких параметри відновлюються до попередніх значень, та довгочасові зміни, після яких наступає відмова. Всі ці параметри та характеристики треба враховувати при розгляді роботи напівпровідникових сенсорів.

Основи технології напівпровідникових сенсорів

Більшість напівпровідникових сенсорів виготовляється з використанням технології виготовлення інтегральних схем. Як відомо, основні етапи виготовлення інтегральних схем такі: вирощування епітаксіальних шарів, окислення, легування, травлення, створення полікремнієвих чи діелектричних шарів, нанесення металічних шарів. Формування планарної структури вимагає також застосування літографії. Вирощування епітаксіальних шарів звичайно проводиться методом газової чи рідинної епітаксії. Окислення проводиться при високих температурах і може бути сухим чи вологим. В результаті спостерігається різна швидкість окислення та отримують окисли з різними властивостями. При легуванні напівпровідників може застосовуватися дифузія домішок чи іонна імплантація. При дифузії ми маємо зменшення концентрації домішок від поверхні вглиб напівпровідника. При іонному легуванні концентрація домішок має максимум під поверхнею напівпровідника. При літографії застосовуються фоторезисти, які можуть бути позитивними (розчиняється область, що освітлюється) та негативними (розчиняється затемнена область). Процес травлення, який забезпечує необхідні властивості поверхні, звичайно складається з трьох етапів: доставка реактивів до поверхні, реакції, видалення продуктів реакції. Травлення буває рідинним та сухим. В

– 69 –


свою чергу, сухе травлення може бути фізичним (розпилення) та хімічним (травлення в реактивній плазмі). Металізація необхідна для створення омічних та випростуючих контактів. Найбільш поширені такі методи металізації: вакуумне напилювання, катодне розпилення та хімічне нанесення в розчинах. Але крім стандартних операцій, які застосовуються в мікроелектроніці, для створення сенсорів розроблений ряд особливих технологічних прийомів. Це, перш за все, технологія формування трьохмірних сенсорів. Вона базується на тому, що кремній в деяких травниках травиться з різною швидкістю в різних кристалографічних напрямках. Так, наприклад, при травленні кремнію в КОН швидкість травлення в напрямку (100) відрізняється від швидкості травлення в напрямку (111) в 400 разів. Це дозволяє отримувати трьохмірні кремнієві структури для механічних сенсорів різного призначення. Розроблені також технології з’єднання діелектричних та напівпровідникових шарів для створення спеціальних сенсорів. Особливу проблему являє капсулювання сенсорів різного призначення. І тут розроблені оригінальні технологічні рішення, які забезпечують вирішення цієї проблеми.

Механічні сенсори

Механічні сенсори є приладами, які використовують для вимірювань механічних дій. Сюди відносять сенсори для визначення положення, швидкості, прискорення, сили, тиску, маси, густини, в’язкості та багатьох інших фізичних величин. Для більшості цих сенсорів використовується технологія спеціального травлення, що дозволяє отримувати трьохвимірні структури. Великою проблемою при створенні таких сенсорів є проблема створення комбінованих структур. Для цього, як уже відзначалося раніше, розвинуті спеціальні технології, наприклад, технологія з’єднання кремнію зі склом чи кремнію з кремнієм. У багатьох механічних сенсорах використовується п’єзоопір, що базований на зміні енергетичної структури кремнію при дії на нього механічної сили. В результаті цієї зміни відбувається зміна електричного опору кремнію. Крім того, в механічних сенсорах широко використовується також зміна ємності під дією механічних сил у спеціальній структурі сенсора. Важливою проблемою для механічних сенсорів є також проблема вимірювання швидкості рідинних потоків. Такі потоки можна, наприклад, виміряти за допомогою контролю охолодження гарячої області напівпровідника потоком, що проходить повз цю область. Мікромеханічні сенсори можуть застосовуватися в промисловості, автоматиці, медичному обладнанні та домашньому господарстві.

– 70 –


Термосенсори

Термосенсори застосовуються для вимірювань температури, потоків тепла, потужності тощо. В цих сенсорах використовується зміна провідності напівпровідника за рахунок переходів носіїв між дозволеними зонами напівпровідника та між домішковими рівнями і дозволеними зонами, а також зміна з температурою характеристик напівпровідникових приладів. Звичайно використовують експоненціальну залежність опору чи параметрів приладу від температури: R ∼ e-E/kT де Е може бути шириною забороненої зони, енергетичним положенням домішкового рівня, висотою потенційного бар’єру тощо. Крім того, в напівпровідникових сенсорах може використовуватися такий ефект, як термо-ЕРС. Як відомо, сигнал термо-ЕРС ∆V = α ∆T, де α — коефіцієнт термоерс, а ∆Т — різниця температур між гарячим та холодним контактами. Для підсилення вихідного сигналу звичайно використовують сигнал від багатьох термопар, які включені послідовно. В цьому випадку загальний сигнал V = ∑ ∆V, де ∆V — сигнал від кожної окремої термопари. Слід особливо відзначити, що термосенсори є також базовим елементом для створення сенсорів іншого типу, наприклад, механічних сенсорів для вимірювання потоків, радіаційних сенсорів та хімічних або біологічних сенсорів.

Електричні сенсори

Електричні напівпровідникові сенсори перетворюють електричний сигнал однієї форми в іншу, або електричний сигнал в сигнал іншої природи. Прикладом сенсорів першої групи є перетворення змінного сигналу в постійний за допомогою нелінійного напівпровідникового елементу або застосування транзистора для підсилення електричного сигналу. Прикладом сенсорів другого типу є п’єзосенсори чи ємнісні сенсори. В п’єзосенсорах, як відомо, під дією електричних полів змінюються розміри п’єзокристалу, а в ємнісних сенсорах під дією постійної напруги може змінюватись ємність мікроконденсатора, яку можна вимірювати при прикладанні змінної напруги. На сьогоднішній день створена величезна кількість різних напівпровідникових електричних сенсорів для вимірювань струму, напруги, напруженості поля та інших електричних величин.

Магнітні сенсори

Магнітні сенсори, як правило, перетворюють дію магнітного поля в електричний сигнал. Найширше в магнітних сенсорах використовують гальваномагнітні ефекти в напівпровідниках. Це, перш за все, ефект Холла. Як відомо, цей ефект виявляється, коли через напівпровідник проходить електричний

– 71 –


струм, а сам напівпровідник вміщений в магнітне поле, напрям якого перпендикулярний до електричного поля. Тоді, завдяки дії сили Лоренца, на гранях напівпровідника, перпендикулярних як до електричного, так і магнітного поля, виникає електрорушійна сила, яка і називається ЕРС Холла. Другим гальваномагнітним ефектом, який використовується в магнітних сенсорах, є магнітоопір. Він обумовлений зміною довжини вільного пробігу носіїв заряду в перпендикулярному магнітному полі. Як магнітні сенсори можуть також використовуватись напівпровідникові структури, наприклад, МДН  транзистор, в якому відбувається зміна вільного пробігу носіїв у магнітному полі. Існуючі магнітні сенсори на основі напівпровідників та напівпровідникових структур можуть перекривати шість порядків величин магнітного поля, починаючи з 10–5 Т до 10 Т.

Радіаційні сенсори

Радіаційні сенсори трансформують вхідний сигнал в електричний сигнал. Вхідним сигналом у випадку радіаційних сенсорів може бути електромагнітне випромінювання (НВЧ хвилі, світло), або потоки часточок (електрони, протони тощо). Ці  сенсори мають забезпечувати детектування в надзвичайно широкому спектрі енергій від 109 еВ (космічні промені) до 10–10 еВ (радіохвилі). Електромагнітні випромінювання або часточки, які поглинаються в напівпровіднику, можуть викликати різні зміни його характеристик. Поглинання залежить від віддалі до х поверхні по закону Φ(x) = Φoe-αX де α є коефіцієнтом поглинання. Коефіцієнт α залежить від характеру радіаційного випромінювання. Наприклад, електрони з енергією від 10 до 100 кеВ поглинаються в кремнії на глибині від 4 до 40 мікрон, а фотони з тією ж енергією поглинаються на глибині від 0,06 до 60 см відповідно. Поглинання радіаційного випромінювання може приводити до зміни провідності за рахунок зміни концентрації носіїв у дозволених зонах та до появи електрорушійної сили за рахунок розділення носіїв внутрішніми полями (р-n перехід, транзистор та інше).

Хімічні сенсори

Хімічні сенсори виконують функцію визначення роду хімічної сполуки та її концентрації в газовому та рідкому середовищі. Для цих сенсорів найбільш широко використовуються напівпровідникові плівки та польові транзистори. В багатьох випадках в результаті адсорбції відбувається зміна вигину зон, яку можна детектувати різними методами (зміна провідності, ємності, контактної різниці потенціалів тощо). Зміна вигину зон відбувається в результаті зміни заряду адсорбованих часточок. Наприклад, при адсорбції кисню відбувається його дисоціація до форми О-, де електрон екстрагується із об’єму напівпровідника. При адсорбції важливим є також склад напівпровідника, на якому відбувається

– 72 –


адсорбція. Наприклад, при адсорбції кисню на поверхні GaAs він взаємодіє переважно з As. Для підсилення адсорбції або створення чи збільшення концентрації активних часточок часто використовують покриття поверхні каталітично активними сполуками. Як  приклад, що пояснює каталітичну дію додаткового покриття, можна привести дію покриття Pt на адсорбцію водню. В результаті адсорбції Но на Pt відбувається перехід Не→Н+, а це і означає збільшення концентрації активних заряджених часточок при адсорбції водню на поверхні напівпровідника. На сьогоднішній день розроблена величезна кількість хімічних напівпровідникових сенсорів, які використовують різні напівпровідники та різні принципи детектування хімічних сполук в газових та рідинних середовищах.

Біосенсори

Біосенсори детектують біологічно активні речовини. Як відомо, в живому організмі сукупність всіх внутрішньоклітинних та міжклітинних реакцій мусить підтримуватись на стабільному рівні. Така підтримка постійного складу внутрішнього середовища живого організму називається гомеостазом. Існування гомеостазу обумовлюється біологічно активними сполуками — ферментами, антитілами та гормонами. Ферменти — це біологічно активні каталізатори, які працюють в кожній клітині. Каталіз проходить на активному центрі ферменту за схемою: E + S → E — S → E + P де Е — фермент, S — субстрат, P — продукт. Антитіла захищають організм від чужорідних білків. Схема такого захисту подальша: антитіла взаємодіють з антигенами чужорідного білка, в результаті утворюється складна структура антитіло-антиген, що розпадається. Це і приводить до знищення чужих для організму білків. Гормони виконують в організмі регулюючу функцію. Для реєстрації біологічно активних речовин, як правило, застосовують біологічно активні мембрани, які наносяться на поверхню напівпровідника чи напівпровідникової структури. Така біологічно активна мембрана може включати в себе іммобілізовані (прив’язані) ферменти чи інші біологічно активні компоненти. В результаті взаємодії таких біологічно активних компонентів з розчином, в якому є біологічно активні речовини, відбувається зміна хімічного складу розчину, яка може детектуватися на принципах, які застосовуються в хімічних сенсорах. В біосенсорах можна також використовувати і фізичні методи детектування. Наприклад, при реакції антитіла, іммобілізованого на поверхні, з антигеном, змінюється величина ємності системи металічний електрод — напівпровідник за рахунок зміни діелектричних властивостей проміжку між металом та напівпровідником. Сьогодні проблема створення біосенсорів різного призначення активно розробляється дослідниками, випуск таких сенсорів налагоджується різними фірмами.

– 73 –


Області застосування та ринок напівпровідникових сенсорів

На сьогоднішній день напівпровідникові сенсори найбільш активно застосовуються в таких областях: 1) Периферія обчислювальних машин. 2) Космос та авіація. 3) Контроль навколишнього середовища. 4) Телекомунікації. 5) Системи безпеки. 6) Контроль виробничих процесів. 7) Транспорт. 8) Медицина. 9) Домашнє обладнання. 10) Іграшки. В цих областях найбільше застосування знайшли такі сенсори: 1) прискорення, 2) тиску, 3) температури, 4) потоків, 5) рівня, 6) хімічні, 7) положення, 8) мікрохвильові, 9) контролю інжекції чорнил, 10) контролю роботи мікрофільтрів, 11) контролю запису та відтворення інформації на магнітних дисках і т.п. Проблемою напівпровідникових сенсорів на сьогоднішній день займаються тисячі вчених у всьому світі, а кількість публікацій вже перевищила 20000 робіт. Тільки в Європі проблемою напівпровідникових сенсорів займаються понад  300  фірм. Ринок сенсорів тільки в Європі в  1995  році складав 11 млрд. дол., і за прогнозами в 2002 році цей ринок виросте більш ніж у 3 рази і досягне 38 млрд. доларів. Таким чином, напівпровідникові сенсори вже в найближчий час можуть посісти друге місце в напівпровідниковій електроніці після традиційної інтегральної електроніки. 1. 2. 3. 4.

Література

С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Т.1,2. Москва, Мир, 1984. S.M.Sze. Semiconductor Sensors. New York, John. Wiley, 1994. A.F.P.Turner. Biosensors Fundamentale and Applications, Oxford, 1987. W.Gopel et al, New York, VCH, Sensors, v.1–5, 1992. (1997 р.)

– 74 –


Cтатті та спогади про В.І.Стріху ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА:  ПОРТРЕТ НА ТЛІ  ІСТОРИЧНОЇ ДОБИ

Максим Стріха, доктор фізико-математичних наук, дійсний член АН вищої школи України

Минуле двадцяте століття було без перебільшення добою, коли наука вийшла з кабінетів дослідників і змінила життя кожної людини. Цей вплив був різний. Дуже часто рушієм отримання нових результатів було створення зброї — чи то «високоточної», чи то масового ураження, здатної водномить перетворити квітучі країни на радіоактивні пустелі. І все ж навіть найзатятіший скептик не стане заперечувати: сумарний вплив розвитку науки на людську історію був безумовно позитивний. Зброї потребували політики й військові (облишу той унікальний випадок, коли кращі фізичні уми вільного світу добровільно об’єдналися в «урановому проекті», аби не дати Гітлерові першим отримати атомну бомбу). Учених натомість цікавило насамперед пізнання нового. А ще — прагнення дати людству технології, які зроблять повсякденне життя зручнішим і влаштованішим, запропонувати способи лікування недуг, які ще вчора були смертельними, зрозуміти закономірності розвитку суспільства. «Найважливішою» наукою ХХ століття була, безумовно, фізика. А тим розділом фізики, який найбільшою мірою змінив щоденне життя, давши людям комп’ютери й побутову електроніку, була фізика напівпровідників — малознаних ще в першій половині минулого віку матеріалів, які сильно змінюють свої властивості під дією зовнішніх впливів. Український внесок у фізику напівпровідників вельми значущий. І серед тих постатей, які творили цей новий розділ науки в Україні, помітне місце належить професору Віталію Іларіоновичу Стрісі, якому  30  травня 2011 року виповнилося б 80. У його житті наче в дзеркалі відбилися не лише цікаві (й часом драматичні!) моменти історії вітчизняної науки, але й, ширше — ті тектонічні процеси, які впливали в ХХ столітті на долі мільйонів українців. Отже, спробую коротко окреслити портрет професора Стріхи  — науковця, педагога, громадського діяча (й батька автора цих рядків) на тлі дуже складної, трагічної, але й водночас дуже цікавої історичної доби. 30 травня 1931 року в родині красуні-студентки Наталі Бурчик (схожої на тодішню оперну зірку Оксану Петрусенко) та молодого інженера Іларіона Стріхи в Києві народився син Віталій. Це сталося в Києві — хоч обоє батьків народилися в селі Хоцьки на Переяславщині (на початку ХХ сто-

– 75 –


ліття це була Полтавська губернія). Хоцьки славилися тим, що тут ніколи не було панщини (в родинному архіві досі збереглися датовані 1898 роком документи «козака Опанаса Стріхи», Іларіонового батька). Проте найбільший вплив на формування маленького Віталія мала, очевидно, його бабуся по мамі Ганна Терентіївна Бузницька-Бурчик (1892–1975). Ще 1908 року вона склала екстерном у переяславській гімназії іспити, які давали право на посаду «народної вчительки» й відтоді упродовж понад півстоліття вчителювала  — спершу в церковнопарафіяльних і земських школах Переяславщини, потім — у Києві. Тут у її біографії значилася й робота вчителькою молодших класів у «Першій трудшколі імені Тараса Шевченка» — саме тій, з якої ГПУ зробило один з головних осередків «Спілки визволення України». 1929 року було заарештовано й Ганну Терентіївну (благо, в її долі була уже тюрма Переяславського «ЧК» в 1920-му — тоді молоду вчительку врятувала від розстрілу лише вчасна заміна начальникасадиста на когось більш поміркованого). На щастя, в схему ГПУ тоді вона, очевидно, «не вписалася»: на сумновідомий процес  1930  року в Харківській опері «випускали» дітей дворян і священиків. Ганна Бурчик була ж із заможного, але козацького роду. Тож по кількох тижнях у Лук’янівській тюрмі її випустили. Другу половину 1930-х вона пережила, мабуть, тому, що знову виїхала вчителювати на село — й ніде довго не затримувалася… Цікавою й талановитою людиною був її чоловік Андрій Оврамович Бурчик. Походив він із села Андруші (40 років тому воно зникло під хвилями Канівського моря) і пам’ятав розповіді свого діда Дениса про зустрічі з Тарасом Шевченком, який відвідував Андруші в 1845-му (цікаво, що про зустрічі Шевченка з селянином з Андрушів Денисом Бурчиком, який знав безліч народних пісень і переказів, оповідає і невтомний дослідник української старовини Микола Сікорський у своїй книзі «На землі Переяславській»). Андрій Бурчик самотужки вивчився на бухгалтера і був причетний до перших років роботи знаменитого Московського художнього театру (пізніше в родині довго зберігався подарований Немировичем-Данченком вже під час київських гастролей МХТ наприкінці 1920-х срібний портсигар). Мама Ганни Терентіївни не давала благословення на шлюб 18-річної дочки-вчительки зі старшим на 12 років парубком із досвідом столичного життя — але той повіз наречену вінчатися в Андруші проти материнської волі, приїхавши в Хоцьки на мотоциклеті (1910  року то була, можливо, перша поява мотоциклету на сільських вулицях). Церква ж, у якій було обвінчано Ганну з Андрієм, збереглася стараннями того ж таки Миколи Сікорського  — і нині прикрашає Національний музей-заповідник народної архітектури в Переяславі-Хмельницькому. Пишу про це тому, щоб наголосити: майбутній фізик зростав в у родині, де імена Шевченка, Дурдуківського, Єфремова й Немировича-Данченка були частиною родинної історії, а пам’ять про часи УНР  (установи якої розбудовувала на Переяславщині й Ганна Бузницька-Бурчик) була ще надто свіжа.

– 76 –


Звичайно, школяреві Віталієві пощастило: таку родину надто легко могли б поглинути репресії 1930-х, але завдяки якомусь щасливому випадкові цього не сталося. В усьому ж іншому йому жилося, як і всім одноліткам з незаможної і «непрестижної» Лук’янівки: в старому двоповерховому будинку по вул.Дикій, 5, характерному для тодішніх міських околиць (він знесений у 1980-ті, і на теперішній вул.В.Дончука №5 має зовсім інший будинок) всі «комунальні вигоди» містилися на подвір’ї. До війни Віталій встиг закінчити три класи середньої школи №1 — тієї, що раніше була «імені Шевченка», і де ще вчителювала бабусина подруга Мотрона Миколаївна Голубнича, яка добре пам’ятала засланого за процесом СВУ колишнього директора В.Дурдуківського. Однак вибухнула війна і у вересні Віталій Стріха, не встигши почати навчання в 4-му класі, разом з мамою-геологом (яка встигла розлучитися з чоловіком), бабусеювчителькою і дідусем-бухгалтером опиняється на окупованій території. Десятирічний хлопчик стає свідком вибухів на Хрешатику (за наказом комендатури саме ніс туди з дідусем здавати радіоприймач, але, на щастя, не встиг дійти). Неподалік від Дикої по вулиці Артема йшли колони приречених до Бабиного Яру. Але життя (для тих, хто лишився живий) тривало. І Віталій Стріха навчався у відкритій Київською міською управою школі, де вчителювала його бабуся (пізніше ця сторінка буде чи не «найзасекреченішою» в його біографії). Ближче до кінця 1942-го в місті стає зовсім нестерпно. 27 грудня від виразки шлунку (помноженої на голод і брак ліків) помирає дідусь (збереглася довідка від «Шевченківської районової управи» про смерть  62-річного «Андрія Бурчика, православного»). На початку 1943-го через голод і терор у Києві родина перебирається до села Немиринці на Житомирщині. Визволення прийшло в Немиринці лише на початку 1944-го. Родина вертається до зруйнованого й збезлюднілого Києва. Наталя Бурчик стає до праці за фахом асистентом кафедри мінералогії Київського університету (за своє життя геолога вона описала понад 70 нових родовищ будівельних глин), Ганна Бурчик — учителькою початкових класів школи №55. Тут із затримкою в три роки Віталій відновлює навчання у 4-му класі, де його однокласниками стають цікаві, талановиті діти: Володимир Скок (пізніше — відомий біолог, академік АН УРСР), Юрій Огульчанський (фактичний ініціатор створення всеукраїнського Товариства української мови в 1988-му, пізніше — перший секретар ТУМ), Андрій Воронович (змушений носити прізвище матері син засланого тоді геніального перекладача Григорія Кочура, пізніше — відомий публіцист і чемпіон України з боксу в надлегкій вазі). У 19 років Віталій закінчує школу з золотою медаллю. Самої медалі — на той час справді позолоченої — йому так і не видали, але мала значення довідка, яка допомогла вступити на фізичний факультет Київського державного університету імені Тараса Шевченка. Тут серед однокурсників і друзів вартий згадування Володимир Литовченко (пізніше — член-кореспондент НАН України, президент Українського фізичного товариства).

– 77 –


Студентські роки Віталія Стріхи минали так, як і в більшості його однолітків. Були лекції й семінари (навіть студентські його конспекти й зошити вражають методичністю й охайністю — по них хоч зараз можна реконструювати прослухані курси й виконані лабораторні). Було захоплення спортом — у липні 1952-го він отримує другий розряд зі спортивної ходьби (звичка до довгих прогулянок і невміння ходити повільно залишилися на все життя). Була й перша студентська закоханість — яка не лишила по собі нічого, окрім світлих спогадів. Проте по-справжньому важливим не лише для студента Віталія Стріхи, а й для всієї майбутньої фізики напівпровідників в Україні виявився 1953 рік — рік смерті Сталіна. Цього року Віталій Стріха був переведений на новостворений радіофізичний факультет — зорієнтований на обслуговування найновіших напрямків науки й техніки, а тому настільки секретний, що навіть кафедри на ньому певний час позначалися цифрами. Кафедру, що пізніше отримала назву «фізики напівпровідників», тут очолив Вадим Євгенович Лашкарьов (1903–1974). Цей учений, чиє ім’я носить сьогодні заснований ним у 1960-му Інститут фізики напівпровідників НАН України, вартий окремої розповіді. В його біографії на той час була й робота в Ленінградському фізико-технічному інституті (на особисте запрошення фундатора фізики напівпровідників і діелектриків в СРСР  Абрама Йоффе), і заслання до Архангельська (де він у місцевому медінституті читав фізику майбутньому славетному хірургові Миколі Амосову). Було й експериментальне відкриття p-n-переходу, який лежить в основі роботи всіх сучасних напівпровідникових приладів, та вентильного фотоефекту в напівпровідниках (на його основі працюють усі сонячні перетворювачі). Робота 1941 року, де ці результати було описано, була по-справжньому «нобелівського» рівня. Але вона пройшла тоді майже непоміченою — можливо, тому, що надто випереджала можливості тодішніх технологій… У липні 1955 року Віталій Стріха закінчує університет за спеціальністю «фізика напівпровідників» і, зарахований на посаду інженера радіофізичного факультету, працює під науковим керівництвом професора Лашкарьова. У 1957 році з’являються друком перші серйозні наукові роботи вчорашнього студента (у співавторстві з В.Лашкарьовим, В.Литовченком та іншими співробітниками факультету). Їх було присвячено контакту напівпровідника германію з металом. Ця «контактна» тематика пройшла через усе наукове життя Віталія Стріхи, вилившись у низку фундаментальних і чимало важливих прикладних результатів. Паралельно формується ще одна пристрасть, яку згодом учений пронесе крізь усе життя. Це — далекі мандри. В серпні 1957-го молодий інженердослідник відбуває першу серйозну туристичну подорож через Кавказький хребет. 21 серпня він насилає картку до мами з озера Ріца: «Ура! Я уже в Ріці. Через 7 перевалів, 15 днів у палатці, у лісі, на каменях, серед льоду і снігу. Тепер все позаду».

– 78 –


На 1958  рік припадає ще одна подія «на все життя»  — знайомство з  22-річною студенткою  5  курсу Київського медичного інституту Надією Гулою, дочкою знаних біохіміків професора Марії Коломійченко і академіка, на той час віце-президента АН УРСР Максима Гулого. У липні Віталій і Надія разом беруть участь у човновому поході по річці Білій на Уралі. А 20 вересня. беруть шлюб, який протривав понад 40 років. 1961 року в молодого подружжя народився син Максим, який нині пише ці рядки. І весь цей час триває інтенсивна наукова праця.  30  червня  1962  року на об’єднаній раді Інститутів фізики, металофізики і напівпровідників АН УРСР Віталій Стріха захищає дисертацію на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук «Дослідження фізичних процесів у точкових діодах і їхні зв’язки з властивостями напівпровідника». Річ у тому, що попередні теорії роботи таких діодів зовсім не враховували наявності проміжного шару оксиду, який неминуче утворюється на поверхні напівпровідника. Дисертант не лише побудував строгу теорію роботи контакту з урахуванням проміжного шару, а й показав, як у ряді випадків цей шар можна зробити «союзником», підвищивши характеристики напівпровідникових приладів. Уже в кандидатській повною мірою виявилися риси Віталія Стріхи  — науковця. Насамперед  — це надзвичайна скрупульозність у проведенні експерименту, бажання і вміння дослідити всі можливі ситуації. По-друге, це добре володіння математичним апаратом (відомий теоретик член-кореспондент НАН України Кирило Толпиго якось сказав: «я вважаю Стріху теоретиком», хоч сам Віталій Іларіонович зараховував себе до експериментаторів). І, нарешті, це зорієнтованість на практичні завдання, які ставив швидкий розвиток напівпровідникової техніки. Варта наслідування й методичність, з якою учений працював з літературою. У його великій науковій бібліотеці практично до кожної монографії вкладено кілька аркушиків, де ретельно законспектовано основні думки (або ж вказано на можливі помилки автора чи авторів). А з кожної конференції неодмінно привозився зошит з акуратно законспектованими доповідями. Відтак Віталій Стріха дуже добре знав, що діється в його науковій галузі й навколо неї. Уже наступного 1963 року подала до захисту кандидатську дисертацію Юй Лі-шень, перша аспірантка 32-річного тоді кандидата наук (пізніше — професор Пекінського університету). Розпочалося формування наукової школи В.І.Стріхи (пізніше вона об’єднуватиме понад 30 кандидатів і близько 10 докторів наук). 1 квітня 1965 року учений був призначений завідувачем лабораторії фізики і техніки напівпровідників радіофізичного факультету (очолював її до останніх днів життя). А в липні-серпні 1966 року, після кількох років подорожей Кавказом, Віталій Стріха очолює байдаркову групу під час походу по річці Вуокса та озерах Кольського перешийку. Склад групи дещо мінявся з року в рік, але кістяк її складали Віктор Грінченко, пізніше академік НАН України, Віталій Савченко, пізніше професор Київського університету, дружина Надія

– 79 –


Гула, пізніше член-кореспондент НАН та НАМН України. На рахунку цієї групи — складні подорожі Полярним Уралом, верхів’ями Лени, Саянським коридором Єнісею (нині затопленим водосховищем Саяно-Шушенської ГЕС), порожистими річками й озерами Карелії. Аж до 1996 року Віталій Стріха щорічно проводив літню відпустку в байдарковому поході, виконуючи обов’язки «вождя туристського народу». А в самій групі панували настрої відвертої фронди і багато її ритуалів (аж до титулу «вождя» в керівника) були відвертою пародією на маразм радянських реалій доби «зрілого застою». 1968  року у видавництві «Наукова думка» виходить друком піонерська за змістом колективна монографія за редакцією професора Василя Ляшенка «Електронні явища на поверхні напівпровідників». Віталій Стріха написав великий (на понад  3  друковані аркуші) розділ Х монографії: «Вплив поверхневих станів на електричні властивості контакту металнапівпровідник». 21 грудня 1970 року постановою ЦК КП України і Ради Міністрів УРСР  №634  Віталію Стрісі разом з чотирма іншими авторами монографії було присуджено Державну премію Української РСР  в галузі науки і техніки. А 6 березня 1969 року на засіданні вченої ради КДУ ім.Т.Г.Шевченка Віталій Стріха з блиском захищає докторську дисертацію «Дослідження фізичних процесів у контакті метал-напівпровідник». У збереженій стенограмі захисту звертає на себе увагу виступ директора Всесоюзного НДІ кріогенної техніки професора В.Алфєєва. З нього зрозуміло, наскільки важливою була робота для оборонного комплексу колишнього СРСР. Адже ще в 1950-ті доводилося міняти кристалічні детектори на радіолокаційних станціях по кілька разів на добу. З урахуванням пропозицій Віталія Стріхи (базованих на все тих-таки властивостях перехідного шару) надвисокочастотні детектори стали на порядки надійніші… 1972 рік став для Віталія Стріхи важливий двома подіями. Восени він їде до Польщі. Це — друга в житті закордонна поїздка 41-річного вченого (першою була туристична подорож Дунаєм разом з дружиною в 1960-му) і перше наукове відрядження. Саме таким був стиль «закритої» радянської доби. В Кракові учений читає лекції з контактних явищ у напівпровідниках студентам Ягеллонського університету, а заодно відкриває для себе ментальність людей, які з волі обставин теж жили в «соціалістичному таборі», але були значно вільніші від своїх радянських колег. Відтоді з кожної закордонної подорожі учений привозив із собою дрібно списаний блокнот, де було все — і наукова інформація, і подорожні враження від країни, її пам’яток та музеїв, минулого і сучасного. В Польщі вихованого в атеїстичному СРСР Віталія Стріху цікавило й те, як зі світоглядом сучасної людини (і особливо науковця) сполучається віра в Бога. «Польський» блокнот містить записи трьох розмов на цю тему: з пілотом літака, з жінкою-науковцем і ксьондзом. В цих записах немає коментарів — лишень відповіді співрозмовників на запитання, які вочевидь хвилювали й українського вченого.

– 80 –


1972 роком датовано й першу спробу участі у виборах на вакансію членакореспондента АН УРСР. «Кампанії» Віталій Стріха не вів: сподівався, що за нього говоритиме список його робіт. Однак результат був провальний: лише 5 голосів «за». Надалі учений балотувався до АН УРСР ще 7 разів: уже з усталеними в академічному світі доповідями, поїздками й проханнями підтримати. Однак незалежний університетський учений, що стояв поза боротьбою «київської» та «харківської» партій, які змагалися тоді за вплив у відділенні фізики та астрономії, і не мав впливових академічних покровителів, щоразу не добирав кількох голосів. 15 січня 1988 року В.І.Стріха бере участь у виборах до АН УРСР востаннє. З 34 членів відділення, які твердо обіцяли проголосувати «за», реально підтримали  25. «Обманули  —  9»  — нотує того дня В.І.Стріха. «Прохідний бал» становив 33 голоси… Ця  історія наочно показала Віталію Стрісі несправедливість системи організації науки, за якої університетський професор має приблизно в 10 разів менше шансів бути обраним до елітної наукової установи — Академії наук, аніж його колега, нехай навіть з гіршим списком робіт, але — з академічного інституту. Уже в 1990-ті учений прагнув подолати цю несправедливість, створивши Академію наук вищої школи України. А поки триває напружена викладацька й наукова робота.  9  листопада 1973 року Віталій Стріха обраний за конкурсом професором кафедри фізики напівпровідників радіофізичного факультету. А наступного 1974 року виходять друком дві монографії: одноосібна «Теоретичні основи роботи контакту метал-напівпровідник» та написана в співавторстві з двома колишніми аспірантами, Євгенією Бузаньовою та Ігорем Радзієвським, «Напівпровідникові прилади з бар’єром Шотткі». У них було систематизовано результати робіт з фізики контакту метал-напівпровідник, що здобули на той час загальне визнання і мали широке практичне впровадження при виробництві НВЧ пристроїв. 28 червня 1975 року Віталій Стріха був обраний за конкурсом на посаду завідувача кафедри фізики напівпровідників (очолював кафедру до 1996 року). 1970-ті  — початок  1980-х років були й часом активної роботи на посаді голови Науково-методичної ради з пропаганди фізики і математики Київської міської організації Товариства «Знання» (їх тоді популяризували значно краще, ніж зараз). Зберігся аркушик, на якому Віталій Стріха сумлінно інвентаризував свої інші громадські навантаження. Станом на 1.10.1981 р. він був членом комісії з приладобудування при Київському міськкомі КПУ,  членом ради директорів НПО  «Електроніка», членом бюро Ради з фізики напівпровідників АН  УРСР,  членом Секції з гетероструктур АН СРСР, членом Секції з фізики і хімії напівпровідників Мінвузу СРСР, членом Секції з фізики та головою Секції з фізики напівпровідників МВССО УРСР, членом спеціалізованих рад із захисту в КДУ та в Інституті напівпровідників АН УРСР, членом Ученої ради КДУ, членом програмового комітету Всесоюзної конференції з фізики напівпровідників (Баку, 1982). За наведеним на тому ж аркушикові підрахунком В.І.Стріхи,

– 81 –


ці та інші громадські доручення (засідання, підготовка до них та дорога) забирали близько 100 годин на місяць, тобто понад 60% робочого часу! З початку 1980-х років професор Стріха розгортає інтенсивні роботи з напівпровідникових перетворювачів сонячної енергії на електричну (ставши разом зі своєю колишньою аспіранткою Світланою Кільчицькою піонером у цій сьогодні вельми відомій, а тоді щойно формованій галузі досліджень). Вже за кілька років до катастрофи на ЧАЕС учений наважився публічно опонувати офіційно прийнятій тезі про «безальтернативність» атомної енергетики, доводячи: лише сонячна енергетика не лише позбавлена притаманних «мирному атому» ризиків, але й реально може задовольнити енергетичні потреби людства. Відтак вихід першої україномовної брошури, присвяченої проблемам фотовольтаїки «Сонячна енергетика і проблеми її розвитку» (1983) наразився на чималі цензурні проблеми. А публіцистична стаття «СЕС чи АЕС?» (Прапор, 1988, №1) мала значний резонанс, — тоді, на хвилі перебудови, «товсті» літературні журнали читали інтенсивно. 27 серпня 1984 року з ініціативи ректора-фізика академіка Михайла Білого учений був призначений на посаду проректора КДУ ім.Т.Г.Шевченка (спершу з навчальної, а через рік — з наукової роботи). У 1986–1993 роках Віталій Стріха очолює однин з основних наукових напрямків діяльності Київського університету: «Електроніка твердого тіла, напівпровідників і структур на їх основі. Фізика поверхні та контактні явища у напівпровідниках». Він — керівник спільної наукової програми АН УРСР та МВССО УРСР «Фізичні властивості нових напівпровідникових матеріалів та створення на їх основі пристроїв та систем», голова секції «Фізичні явища в гетеро структурах» Наукової ради АН УРСР з проблеми «Фізика напівпровідників». У 1987 році приходить і зацікавлення абсолютно новою тематикою — біосенсорами. Ці  пристрої, що поєднують переваги напівпровідникових структур із чутливістю біологічних молекул, сьогодні незамінні при визначенні стану довкілля, аналізі харчів, діагностиці хвороб тощо. А тоді технології біосенсорів робили лишень перші кроки. Разом з колишнім аспірантом Анатолієм Шульгою учений готує перший в Україні огляд, присвячений біосенсорам (вийшов у «Віснику АН УРСР», №2, 1988). На  жаль, працювати вченому стає дедалі складніше. На  кінець  1980х припадає наростання конфлікту, пов’язаного з різними світоглядними принципами демократичного і толерантного проректора Віталія Стріхи і авторитарного нового ректора Віктора Скопенка. На засіданні бюро парткому КДУ 19 травня 1989 р. роботу науково-дослідної частини університету з ініціативи ректора було піддано шельмуванню. Того ж дня В.І.Стріха на знак протесту написав заяву про звільнення з посади проректора. Однак ректор цього разу спустив її «на гальмах». На  початку наступного,  1990  року учений готує звернення до голови Комітету з науки, освіти, культури та виховання Верховної Ради СРСР Ю. Рижова та голови Держкомосвіти СРСР Г.Ягодіна. Віталій Стріха наголо-

– 82 –


шує: умови змінилися, старі важелі вже не діють, і потрібні інтенсивні кроки для захисту науки, яка є основою всього життя університетів. Але Союз уже стрімко розвалювався і московським «достойникам» було явно не до проектів активного київського проректора. Тим більше, що вже 2  квітня ректор таки звільнив цього проректора з посади, милостиво дозволивши йому зосередитися на роботі завідувача кафедри фізики напівпровідників. На 1991 рік припадає початок активних наукових контактів з «Еколь централь» (м.Ліон, Франція) в рамках спільних робіт з сенсорної тематики. Своєрідний науковий «міст» Ліон-Київ дозволяє кафедрі пережити колапс початку 1990-х. «Сенсорні» роботи Віталія Стріхи цього часу мають високий індекс цитування: роботу з журналу «Analytica Chimica Acta» (1993. — v.281, n.1. — P.3–11) процитовано за даними ISI 63 рази. Водночас розвиваються і роботи у фотовольтаїки. У 1992–1996 роках Віталій Стріха — науковий керівник Державної науково-технічної комплексної програми «Нетрадиційні джерела енергії, включаючи сонячні, вітрові та електрохімічні». Починаючи з 1992 року Віталій Стріха бере активну участь у процесах реформування та демократизації української науки. Разом з професорами Київського університету геологом Миколою Дробноходом та фізиком Юрієм Чутовим формує ініціативну групу зі створення АН вищої школи України  — наукової організації нового типу, заснованої провідними ученими «знизу» на демократичних засадах. 27 грудня 1992 року на Установчих зборах Віталій Стріха обраний академіком (по відділенню фізики і астрономії) і першим президентом АН ВШ України (у 1995 і 1998 роках його переобирають на цю посаду ще двічі). Усі подальші роки він як президент приділяє великі зусилля організаційній розбудові АН вищої школи України, неодноразово звертається до органів влади і посадових осіб у справі підтримки й реформування української науки і вищої освіти, виступає в ЗМІ. При цьому вчений вже не женеться за офіційним визнанням. Він більше не балотується до НАН України (хоч за якістю списку робіт набагато випереджає більшість членів відділення фізики і астрономії), демонстративно не подає документів на звання «заслуженого діяча науки і техніки». Натомість пишається недержавними відзнаками: званням «Соросівського професора» (1994), нагородою Ярослава Мудрого АН ВШ України в галузі науки і техніки за роботи із сенсорної тематики (1995). Останні роки життя Віталія Стріхи було позначено кількома драматичними подіями. Наприкінці 1995 року в нього було діагностовано злоякісну пухлину передміхурової залози. Але учений мужньо і методично бореться з хворобою, намагаючись не знизити інтенсивності свого життя. Не прощає йому вільнодумства й ректор, чий стиль керівництва університетом стає дедалі авторитарніший. На початку 1996-го через небажання ректора продовжувати контракт учений залишає посаду завідувача кафедри і працює звичайним професором, науковим керівником проблемної лабораторії. Попри всі випробування, Віталій Стріха бере активну участь у підготовці Всеукраїнської наради з питань науки (на неї покладали великі надії, що, на жаль, абсолютно не виправдалися). Друкує програмову стат-

– 83 –


тю «Три радянські міфи української науки» («Дзеркало тижня», 16  березня  1996  року). У липні того ж року бере участь у  23  Міжнародній конференції з фізики напівпровідників у Берліні. А в серпні востаннє проводить літню відпустку у байдарковому поході по Десні від Чернігова і до Києва,  — залишившись в строю останнім з когорти тих, із ким починав байдаркову епопею 30 років перед тим. 1997 і 1998 роки так само заповнені по вінця науковою працею і громадською роботою. Зокрема, учений домовився був про спільну діяльність із «класиком» напівпровідникової науки, автором чи не найпопулярнішого сьогодні в світі підручника з фізики напівпровідників Мануелем Кардоною. А на Міжнародному конгресі з сонячної енергетики у Відні в липні  1998-го його вже впізнають в обличчя як «класика» напрямку, поважні західні фірми цікавляться його розробками фотоелементів на дешевому аморфному кремнії. Але сил помітно меншає. У вересні 1998-го учений встигає відсвяткувати разом з помітно постарілими друзями-туристами 40-річчя весілля. А в листопаді купує разом з дружиною Надією Гулою стару селянську хату в селі Хоцьки на Переяславщині — рідному селі батьків, Наталки Бурчик і Ларіона Стріхи. Проте пожити в ній йому вже не судилося. 19 грудня загальні збори АН ВШ України обирають В.І.Стріху на третій трирічний термін президентства.  25  грудня він вирушає в санаторій «Конча-Заспа» під Києвом, де зустрічає Новий рік разом з дружиною і найближчим другом, академіком-механіком Віктором Грінченком, із яким веде нескінченні дискусії щодо шляхів розвитку науки, України й світу. Тут, у санаторії, 8 січня він пише зовні жартівливу «Конча-Заспівську відповідь дружині на зауваження про те, що нічого в житті не зроблено»: «Що ж зроблено: 1. Згуртована туристська група, з якою пройдено більше  40  походів (біля 10 тисяч кілометрів). 2. Створена унікальна кафедра (11  докторів наук,  4  державні премії, звання «зразкової» і т.ін.). 3. Створена наукова школа з контактних явищ (5 докторів, 30 кандидатів, 12 монографій, 5 всесоюзних конференцій і т.п.). 4. Прочитані курси лекцій для більше 10000 студентів (більше 20000 лекцій). 5. Задумана й організована Академія наук вищої школи України (418 академіків, 2800 докторів, 13000 кандидатів). 6. Організована лінія Україна-Франція (наукова робота, підготовка спеціалістів і т.ін.). 7. Організовані нові наукові напрямки (біосенсори, пористий кремній як матеріал для сенсорики). 8. Родив сина, здатного помножити цей список. Підпис.» Відпустка закінчилася, почався новий семестр.  1  лютого на засіданні Вченої ради КНУ ім.Т.Г.Шевченка повинне було розглядатися питання про

– 84 –


присудження Віталію Стрісі звання «Почесний професор Київського університету» (за всіма формальними показниками, як засвідчила своїм висновком Рада старійшин університету, учений набагато перевищував встановлені для цього звання критерії). Однак без пояснення причин ректор Віктор Скопенко переніс розгляд питання на майбутнє. Паралельно він зажадав від АН вищої школи України звільнити надану їй раніше кімнату на четвертому поверсі «червоного корпусу» КНУ. Ніч з 6 на 7 лютого. У В.І.Стріхи стався широкий інфаркт, його було госпіталізовано до клінічної лікарні «Феофанія» з песимістичним прогнозом. Вранці  8  лютого внаслідок інтенсивної терапії стан В.І.Стріхи покращав. Він працював над рукописом статті V.A.Vikulov, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E.  Souteyrand, J.-R.  Martin. Electrical features of the metal-thin porous silicon — silicon structurе (вийшла посмертно в Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000. — v.33. — P.1957–1964), на звороті останньої сторінки рукопису залишив записку для дружини: «Надю, у мене все в порядку. Навіть вдалось частково розсмоктати інфаркт. (…) Вася [Василь Ільченко, один з найближчих учнів В.Стріхи] хай проведе завтра семінар. Статтю віддайте Вікулову (…) Вітя». Однак надвечір стан ученого погіршав і о 22.15 він помер. 10  лютого відспівування відбулося в ритуальній залі лікарні «Феофанія», відспівував настоятель Свято-Михайлівської церкви отець Андрій Власенко (УПЦ  Київського патріархату). Громадське прощання пройшло на радіофізичному факультеті та в фойє «червоного корпусу» університету. Надійшли телеграми співчуття від учених різних країн, представників влади. Промовляли колеги, друзі й учні. Ректор Віктор Скопенко віддати останню шану вченому не прийшов. О 14 год. професора Віталія Стріху було поховано на Байковому кладовищі поруч із його мамою і бабусею. 7 лютого 2004 року, на п’яті роковини смерті вченого, АН вищої школи України провела Академічні читання пам’яті В.І.Стріхи, які відтоді щорічно відбуваються на початку лютого, збираючи провідних науковців наших університетів. 17 квітня того ж року загальні збори АН вищої школи України ухвалили відзначити В.І.Стріху нагородою Святого Володимира за багатолітню роботу в ім’я розвитку науки і вищої освіти в Україні (посмертно). А  2008  року роботу В.І.Стріхи «Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник», вперше надруковану у «Віснику КДУ ім.Т.Шев­ ченка», серія «Фізика», за 1967 рік (саме на основі викладених у ній результатів було обґрунтовано можливість створення надвисокочастотних приладів на основі діоду Шотткі), вміщено в спецвипуску «Українського фізичного журналу», виданому до 90-річчя НАН України, серед 35 найвидатніших праць українських фізиків за всі роки (разом зі статтями Лева Ландау, Лева Шубнікова, Миколи Боголюбова, Соломона Пекаря, Кирила Толпига, Вадима Лашкарьова, Наума Моргуліса та інших класиків вітчизняної науки).

– 85 –


Професор Віталій Стріха був живою людиною, здатною і захоплюватися і помилятися. Він був пристрасним рибалкою (в поході здатен був недбало викинути на берег дорогий імпортний фотоапарат — і тут-таки обережно передати з рук у руки бляшанку з червами). Він був добрим (тверезим і розважливим,  — такі ніколи не йдуть на невиправданий ризик) водієм. Страшенно любив нову техніку — і завше купував найсучасніші приймачі й програвачі. Сівши за комп’ютер уже в 60-річному віці, встиг стати справжнім хакером і залюбки гуляв інтернетом (тоді, коли більшість українців ще й не чули цього слова). Цікавився політикою, і ще в 1997-му після зустрічі в Будинку вчених побачив у Юлії Тимошенко (до якої здебільшого ставилися ще як до «газової принцеси») неабиякі лідерські якості. Він любив довгі прогулянки в лісі (під Пісківкою неподалік від Тетерева на своїх улюблених стежках змайстрував лавочки, де можна було б перепочити; їх дуже швидко викорчували новітні вандали). Під старість добре навчився майструвати в хаті, обклавшись усілякими посібниками (тут він виявився таким самим методичним, як і в науці). В останні роки багато любові й тепла віддав онучці Ярославі. Як керівник був не жорсткий, але ефективний, умів тримати дисципліну не примусом, а цікавістю до спільної справи. Про це свідчить не лише досвід керівництва кафедрою й лабораторією, але й пройдені без жодної позаштатної ситуації часом дуже складні, а то й просто небезпечні байдаркові маршрути. В публічних ситуаціях був стриманий, хоч насправді болісно переживав хамство і несправедливість. Не належав до трибунних борців, але свої переконання обстоював послідовно і теж доволі ефективно (свідчення — авторитет, який мала за його життя очолювана ним Академія наук вищої школи України). З погляду «офіційної» ієрархізованої науки професор Віталій Стріха не належав до першого ешелону: не був обраний до НАН, очолював громадську структуру з назвою «АН вищої школи», до якої «справжні» «безсмертні» з НАН ставилися здебільшого напівіронічно. Відтак і довідка про нього в найповнішому на сьогодні, але складеному за суто формальними критеріями довіднику про фізиків авторства Юрія Храмова відсутня. (На сайті Національної наукової бібліотеки імені Вернадського в розділі «Біографії учених», на щастя, вона вже з’явилася, сформовано й фонд Віталія Стріхи в Інституті археографії цієї бібліотеки, — все ж таки щось змінюється на краще і в нас). Адже там, де існує сформоване і здатне оцінювати наукове середовище, «вагу» науковця визначає не тільки те, наскільки вправно він зумів зіграти на виборах на боротьбі різних угруповань у межах певного відділення НАН. Вона зумовлена й списком наукових праць, їхньою цитованістю, іменами учнів, здатних продовжити наукову справу. Нарешті, переліком розвинутих ним наукових напрямків. За Віталієм Стріхою — 12 монографій і підручників і близько 300 статей, частина з яких досі є «класичними». За ним — розвинута теорія реаль-

– 86 –


ного контакту метал-напівпровідник, яка мала велике значення для розвитку НВЧ електроніки, піонерські роботи з фотоперетворювачів на аморфному кремнії, започаткований в Україні напрямок біосенсорики. (А ще ж існували перспективні напрямки, де Віталій Стріха зробив кілька перших кроків, віддавши потім їх учням; як-от спін-залежна рекомбінація чи контакт напівпровідник — високотемпературний надпровідник). Нарешті, за Віталієм Стріхою  — сформована громадська структура АН  вищої школи України, яка об’єднує сьогодні близько  300  провідних професорів українських ВНЗ і яка (без жодної копійки бюджетних коштів!) досі чимало робить для розвитку нашої університетської (й не лише університетської) науки. А відтак сам професор Віталій Стріха, учений, педагог і громадський діяч, може для майбутніх істориків української науки (якщо такі будуть!) стати справжнім і правдивим дзеркалом тих складних і цікавих процесів, які відбувалися в ній упродовж яскравого і трагічного минулого ХХ сторіччя.

– 87 –


СПОГАД ПРО ВІТАЛІЯ ІЛАРІОНОВИЧА СТРІХУ,  ВИДАТНОГО УКРАЇНСЬКОГО ФІЗИКА,  МОГО КОЛЕГУ І ДРУГА

В.Г.Литовченко, Президент Українського Фізичного Товариства, член-кореспондент НАН України

В 2008 році Національна Академія Наук України випустила спеціальний ювілейний (присвячений 90-літю НАНУ) випуск Українського фізичного журналу (том 53, http://ujp.bitp.kiev.ua), в передмові для якого зазначалось, що в ньому вміщені найбільш знакові оригінальні наукові публікації українських фізиків за весь 90-літній період існування академії наук в Україні як основної наукової установи Української держави. Фізика напівпровідників почала активно розвиватися ще в кінці  30-х років минулого століття завдяки активній діяльності таких відомих вчених, як В.Є.Лашкарьов та В.І.Ляшенко  — одночасно в Академії наук та в Київському університеті. Саме роботам цих фізиків ми завдячуємо експериментальним відкриттям електронно-діркової бар’єрної структури та контактної структури з запірним шаром, що згодом в іноземній літературі отримали назву «електронно-діркового» (т.зв. р-п) переходу та діодної структури Шотткі. Ці структури й до теперішнього часу створюють основу функціонування всієї напівпровідникової електроніки, зокрема й мікро та наноелектроніки. В.І.Стріха був одним з перших учнів В.Є.Лашкарьова та В.І.Ляшенка. Безпосередньо від них він продовжив дослідження структур контакту металу з напівпровідником, коли створюються діоди з запірним Шотткі-шаром. Але в той час, коли першовідкривачі базових структур електроніки мали справу фактично з ідеальними структурами, які потрібно було ще доводити до їх практичного застосування, В.І.Стріха провів величезну роботу з реальними структурами Шотткі, що включало теоретичне врахування і експериментальне дослідження багатьох принципово важливих факторів та ефектів, які й забезпечили широке використання названих приладів на практиці. Тому не дивно, що поряд з фундаментальними публікаціями В.Є.Лаш­ карьова та В.І.Ляшенка, в ювілейний номер УФЖ,  серед понад  30  найкращих публікацій українських фізиків, вміщена також велика стаття В.І.Стріхи, опублікована ще в 1967 році в Віснику Київського університету з посиланням на публікацію в тодішньому центральному журналі «Радіотехніка та електроніка» (том 9, стр.681, 1964). В названому ювілейному випуску УФЖ в короткому резюме було переконливо аргументовано такий вибір,  — вибір В.І.Стріхи як фізика, що

– 88 –


вніс яскравий та важливий в практичному плані вклад у розвиток української напівпровідникової науки. Там (англійською мовою) констатувалося: «Наукову діяльність В.І.Стріхи було зосереджено на вивченні фізичних принципів дії і застосування контактних структур і насамперед контакту метал-напівпровідник з бар’єром Шотткі. Вперше було експериментально підтверджено модель реального контакту з урахуванням зазору між металом і напівпровідником і поверхневих станів на інтерфейсі контакту. Цю модель було використано як основу для розвитку теорії реальних контактів. Було передбачено низку нових фізичних ефектів: зміну вольт-амперних характеристик з частотою, слабку залежність ємності від напруги, наявність ділянок з негативним опором у вольт-амперних характеристиках тощо. Вони знайшли практичне застосування в виробництві напівпровідникових приладів. В.І.Стріха також розвинув теорію роботи надвисокочастотних пристроїв з бар’єром Шотткі і сонячних елементів на основі контакту метал-напівпровідник. Його теорії було використано для оптимізації параметрів приладів. На базі напівпровідникових контактних структур було створено новий клас приладів — біосенсори». Хочу далі зупинитись на моїх персональних контактах з В.І.Стріхою, з яким я як найближчій друг провів усі 5 років (1950–1955) навчання в Київському університеті, спочатку на фізичному факультеті, а з часу відкриття радіофізичного, куди були переведені декілька кафедр — на ньому. Ми разом готували і виконували лабораторні та практичні завдання, обмінювалися «знахідками» при розв’язанні задач з матфізики, теормеханіки, обговорювали важкі питання нових розділів фізики тощо. Мені імпонувала ретельність та вдумлівість мого товариша, винахідливість при виконанні практичних завдань, обов’язковість. І це давало позитивні результати від такого спілкування як в студентські роки, так і після закінчення навчання, коли ми обоє були направлені працювати в нову спеціальну лабораторію надвисокочастотного випромінювання, я — на ділянку досліджень фізичних властивостей напівпровідникового матеріалу (на той час — германію та кремнію), з якого в лабораторії виготовлялись НВЧ Шотткі точкові діоди, а він — на вивчення параметрів цих новостворених приладних НВЧ структур. Ми зразу ж знайшли шлях як об’єднати наші дослідження: я — вивчення поверхневих станів на вихідних структурах, він — роль цих станів та стану поверхні (через вплив поверхневого діелектричного шару) — на параметри НВЧ структур. Так нами, разом з В.Є.Лашкарьовим, були підготовлені і опубліковані (у «Науковому щорічнику» та «Віснику» Київського університету за  1956,  1957  рр.) та в центральних журналах (УФЖ  та ЖТФ, 1957–1959 рр.) наші перші, і, як виявилось пізніше, доленосні для нас публікації. З цих робіт, їх розвитку і багаторазового поглиблення, починався науковий шлях В.І.Стріхи, що визначив і його основну діяльність. Створена ним фізика реальних контактів метал-напівпровідник Шотткі, викладена в чисельних монографіях та статтях, в його персональних

– 89 –


працях та працях його учнів, стала великим надбанням української напівпровідникової електроніки і фізики. Потом було визнання зарубіжних шкіл, запрошення читати лекції в Росії, Франції, Німеччині, Польщі, пропозиція очолити Секцію «Фізичні властивості контакту метал-напівпровідник» Наукової Ради по фізиці напівпровідників НАН України, праця завідувача кафедри фізики напівпровідників, проректора та професора Київського університету, контакти з біологами по сенсорній тематиці, організація Академії наук вищої школи України та багато іншого. Внесок В.І.Стріхи у всі напрямки, де він прикладав зусилля, завжди був визначним, спілкування з цією чуйною, мудрою і доброю людиною завжди приносило велике задоволення.

– 90 –


МІЙ ДРУГ  ВІТАЛІЙ СТРІХА

М.Г.Находкін, академік НАН України

Найболючіші втрати — це втрати близьких тобі людей, з якими долав труднощі, товаришував, дискутував, мав спільні справи, досягав якихось звершень. Іскорки пам’яті зажди нагадують: щось не договорив, щось не зробив… Одним із таких людей був Віталій Іларіонович Стріха. Я познайомився з ним ще у  1954  році, коли він був студентом і разом зі своїм другом Володимиром Григоровичем Литовченком виконував лабораторні роботи. Виконуючи мої завдання, вони не боялися труднощів й успішно долали їх, виявляючи при цьому вдумливість та винахідливість. Це була славна пара красивих молодих людей, які виділялися тактовною поведінкою та прагненням якнайкраще виконати навчальні завдання, аби чомусь навчитись. Крім того, дуже приємно було слухати красиву українську мову із вуст Віталія Іларіоновича. Згодом, після закінчення радіофізичного факультету, Віталій Іларіонович почав працювати в університеті, де працював і я. Наші життєві шляхи перетнулись і ми дружно працювали на радіофізичному факультеті протягом усього часу, що дав нам Бог для спільного життя та праці. Працювати з Віталієм Іларіоновичем було легко і приємно, бо він у всіх обговореннях та дискусіях спирався тільки на факти і, навіть коли в його душі горів огонь незгоди або пристрастей, висловлював свої думки чітко й без емоційного забарвлення. Навіть тоді коли його точка зору була повністю протилежна думкам опонента, він продовжував, спираючись на відомі йому факти, тактовно обстоювати свою думку з приводу обговорюваного питання. Наприклад, після мого досить емоційного критичного виступу, в якому я зауважив, що використання самих тільки вольт-амперних характеристик контактів метал-напівпровідник не достатньо для з’ясування їхніх електронних властивостей, він зовні спокійно, доброзичливо і чемно почав за допомогою відомих фактів переконувати в помилковості мого виступу. Але на цьому дискусія не закінчилася, бо почалися нові дослідження із залученням інших методик, які давали нові результати, за допомогою яких формувались наші нові уявлення про обговорювану проблему. Але в тих випадках, коли його аргументи виявлялися не цілком переконливими, Віталій Іларіонович погоджувався і швидко вносив відповідні корективи в свої дослідження, розрахунки, твердження або способи досягнення результату. У всіх проявах життя Віталій Іларіонович був дуже дисциплінованим і надійним партнером. Коли з ним після обговорення вдавалося про щось домовитися, то не виникало необхідності перевіряти виконання цієї домовленості, бо вона неодмінно виконувалася доброякісно і своєчасно. Він був

– 91 –


доброю людиною, яка поважала інших людей. Це допомогло йому сформувати навколо себе міцний колектив співробітників, у якому не виникало серйозних інцидентів, а приклад працьовитого та цілеспрямованого лідера надихав колектив до напруженої творчої праці. Віталій Іларіонович не без впливу свого керівника академіка В.Є.Лашкарьова вдало вибрав напрямок своїх наукових досліджень, зосередившись після закінчення університету на вивченні властивостей контакту металу з поверхнею напівпровідника. В ті далекі часи вибір такого напрямку досліджень був революційним, бо більшість дослідників вважали, що властивості напівпровідникових приладів головним чином залежать від їхніх об’ємних характеристик. Лише через багато років звернули особливу увагу на надзвичайно важливу роль фізики поверхні напівпровідників, бо з’ясувалося, що більшість існуючих напівпровідникових приладів використовують властивості гетеропереходів, створення та дослідження яких було відзначено нобелівськими преміями й досі ще не втратило актуальності, адже ці результати застосовують у сучасній наноелектроніці. Свою роботу Віталій Іларіонович почав у науковій лабораторії, яка вивчала фізичні процеси у напівпровідникових діодах. Невеликий, але дружний колектив, до складу якого входили, крім Віталія Іларіоновича, Р.М.Бондаренко, Г.П.Зубрин, Є.Д.Майборода, Н.М.Омельяновська та інші, вибрав своїм напрямком досліджень властивості контакту металнапівпровідник у надвисокочастотному діапазоні електромагнітних хвиль. Їм вдалося показати, що контакт метал-напівпровідник успішно може працювати у цьому частотному діапазоні. Це були одні із перших наукових досліджень на цю тему, які показали перспективність використання напівпровідникових діодів для роботи в НВЧ діапазоні, і це визнає світова наукова спільнота. На  жаль, доля склалася так, що ця творча група через низку причин не збереглася. Але Віталій Іларіонович успішно продовжив дослідження контактних явищ. Зокрема, він вперше експериментально підтвердив модель реального контакту з урахуванням зазору між металом і напівпровідником та оксидного прошарку й вказав на необхідність врахування поверхневих станів на інтерфейсі контакту. Така модель служила для розвитку уявлень про реальні контакти метал-напівпровідник. Чітко вибраний науковий напрямок досліджень, пристрасне відстоювання своїх ідей, позитивні риси характеру дозволили створити ученому наукову школу і розвинути кафедру фізики напівпровідників радіофізичного факультету Київського університету імені Тараса Шевченка. Це була одна з кращих кафедр факультету, відома науковій спільноті широкими та тісними зв’язками з іншими науковими колективами, які вивчали поверхневі явища у напівпровідниках. Кафедра успішно виконала значну кількість спеціальних важливих досліджень з питань фізики напівпровідників, підготувала 11 докторів фізико-математичних наук, отримала 4 державних премії з науки і техніки УРСР, підготувала понад 30 кандидатів фізико-математичних наук, підготувала і видала 12 монографій, започаткувала проведення всесоюзних нау-

– 92 –


кових конференцій «Напівпровідникові прилади з бар’єром Шотткі», зробила значний внесок у популяризацію науки про напівпровідники. Становлення та розвиток наукової школи й кафедри відбувався успішно, бо її керівник чітко відчував нові ідеї розвитку науки. Так, наприклад, Віталій Іларіонович вчасно звернув увагу на необхідність розвитку фотоелектроніки, де знайшлося відповідне місце властивостям контакту металнапівпровідник, та досить ефективно почав розвивати напівпровідникову сенсорику, однин із актуальних напрямків сучасної радіоелектроніки, бо напівпровідникові сенсори виявились конче необхідними для розвитку автоматизації наукових досліджень у різних галузях науки і техніки. Пройшов час, вже немає Віталія, а справа його живе і буде жити. Віталій Іларіонович був активним патріотом України. Він завжди чітко й твердо, не зважаючи на всі перепони, відстоював інтереси розвитку України, її мови, культури та науки. Це здійснювалось безпосереднім прикладом, бесідами із студентами, через активну популяризаторську діяльність у товаристві «Знання» і шляхом активної участі у громадській та науковоорганізаційній роботі. Його принципові позиції з цих питань іноді викликали в декого невдоволення, але згодом ставало зрозуміло, що пан Віталій був правий. Я згадую Віталія Іларіоновича як одного із моїх вірних соратників і друзів. Він був щедрою людиною й завжди безкорисно й щиро приходив на допомогу. Мені подобалась його сім’я: дружина Надія Максимівна Гула й син Максим Віталійович Стріха, — сім’я справжніх українських інтелігентів, справжніх українських патріотів, які скромно і сумлінно роблять добру справу. Шкода, що так рано покидають цей світ такі світлі люди, як Віталій Іларіонович. 30.03.2011

– 93 –


ВІТАЛІЙ СТРІХА:  ШТРИХИ ДО ПОРТРЕТУ

В.Т.Грінченко, академік НАН України

Я не є фахівцем у тій галузі фізики, розвитку якої присвятив своє життя Віталій Стріха, але добре розумію, що для характеристики його особистості важливо поглянути не лише на його вузькопрофесійні досягнення. Укладачі цієї книги помістили в ній повністю саме ті статті Віталія, які без сумніву мали і мають зараз широке суспільне значення. Активно займаючись наукою в наш час, практично неможливо відгородитися від важливих проблем суспільства, пов’язаних із розвитком енергетики, освіти, формуванням громадського розуміння ролі науки в розвитку сучасного людського суспільства. Всі ці проблеми стимулювали глибокі роздуми Віталія, і я мав можливість не тільки знайомитися з його точкою зору, але і (в інколи досить жвавих дискусіях з ним) формувати і своє бачення проблем. Згадуючи про такі моменти в наших зустрічах, зараз досить чітко розумію важливі для формування образу Віталія Стріхи риси. Сам я досить емоційна людина і, природно, в гострих дискусіях часто не досить чітко формулював думки, мав витрачати енергію на багато уточнень і це, звісно, зменшувало ефективність аргументації. Що стосується Віталія, то інколи в мене виникала думка: аргументацію щодо деяких моїх експромтних думок він уже давно підготував. Думки висловлювалися чітко, зважено і без зайвих емоцій. Я думаю, такі факти якнайкраще відображали те, що соціальні аспекти розвитку науки дуже глибоко хвилювали його і їх аналіз він виконував з усією серйозністю. Однією із проблем, що надзвичайно захоплювала Віталія, була проблема розвитку вузівської науки. Я погоджувався із ним щодо специфічного для науки Радянського Союзу штучного поділу науки на академічну, вузівську та галузеву. В такому поділі є декілька аспектів, які породжували проблеми, що негативно впливали на розвиток науки в країні. У нас були дещо різні точки зору щодо вагомості різних факторів. Віталія особливо турбував фактор соціального стану вузівського вченого, і вбачав у наявному порядку визнання досягнень ученого, пов’язаному, зокрема з виборами до Національної академії, певні ознаки дискримінації. Я не був згоден із його негативною оцінкою ролі директорського корпусу Національної академії. Оцінка мала загальний і в певному сенсі несправедливий відтінок, що, врешті, завжди трапляється при узагальненнях. Пройшло вже досить багато часу від тих днів наших зустрічей і дискусій, і зараз ми можемо лише констатувати, що погані часи настали для всіх гілок української науки. Тут не місце аналізувати причини та намагатися випрацювати ідеї щодо покращення ситуації. Однак саме тут слід констатувати, що відпрацьована Віталієм та втілена в життя ідея створення Ака-

– 94 –


демії наук вищої школи України виявилася надзвичайно життєстійкою та ефективною. Так сталося, що зараз і я особисто, і енергійна команда в Інституті гідромеханіки НАН України активно включилися в роботи зі створення бази для розвитку в Україні галузі відновлюваної енергетики. І хоч я прочитав статтю Віталія з цього приводу майже відразу після її публікації, однак лише тепер я зрозумів, наскільки ситуація в нашій країні в цій сфері могла б бути кращою, якби висловлені в статті думки стали основою для практичної роботи в суспільстві багато років тому. До речі, саме роботи з відновлюваної енергетики в нашому Інституті особливо гостро поставили питання інтеграції зусиль науковців академії та вищої школи. Цей приклад є, на мою думку типовим. По суті широке використання відновлюваних джерел енергії пов’язане зі створенням нових галузей промисловості, і тому підготовка висококваліфікованих кадрів, кадрів, здатних якомога швидше акумулювати міжнародний досвід, стає одним з найактуальніших завдань. Читач мабуть звернув увагу на те, що я дещо фамільярно називаю Віталія лише на ім’я. Ми  так давно знали один одного, що я не відчуваю якоїсь незручності в цьому. На початку книги згадано цікаве хобі Віталія, пов’язане з походами на байдарках по річках в різних регіонах колишнього Радянського Союзу. Мені здається, що я не брав участі лише в одному з походів, які він організовував і очолював. Любов до походів і до рибалки мені прищепив саме Віталій. Причому в цій процедурі він виявив і сміливість і прозорливість, відразу зрозумівши, що я маю якості туриста. Він узяв мене в перший для мене похід на дуже маленькому нестійкому човні по порожистій карельській річці третьої категорії складності. Я думаю, що він зробив ризикований, але правильний вибір. Завдання цієї книги і її авторів досить складне. Зусиллями багатьох людей, які знали Віталія Стріху, ми намагаємося відтворити багатогранну життєву історію перш за все відомого вченого, творча діяльність якого тісно пов’язана з Київським національним університетом. Для повноти портрету такої особистості важливо відзначити багатогранність інтересів ученого, його вміння створити навколо себе атмосферу дружнього спілкування, від якої всі його друзі отримували велике задоволення. Непересічна особливість Віталія завжди притягувала до нього людей, які згадують про нього з найтеплішими почуттями.

– 95 –


АКАДЕМІК ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА — ЗНАКОВА ПОСТАТЬ  В ІСТОРІЇ УКРАЇНСЬКОЇ НАУКИ

М.І.Дробноход, президент АН вищої школи України

Я певен, що кожна людина час від часу, можливо, навіть на підсвідомому рівні, гортає сторінки свого життя, робить узагальнення, виокремлює й оцінює різні життєві ситуації. У «сухому залишку» зостається переважно те, що було певною віхою в біографії. Саме такою віхою були для мене спілкування й творча співпраця з Віталієм Іларіоновичем Стріхою — неординарною, світлою, високо інтелігентною людиною. Вперше зустрівся з ним я в травні трагічного «чорнобильського» 1986 року. Тоді я працював на посаді доцента геологічного факультету Київського університету імені Тараса Шевченка і мене в складі групи Президії АН  України було відряджено до Москви для роботи в союзній надзвичайній комісії на чолі з першим заступником голови Ради Міністрів СРСР. Саме для визначення напрямків і завдань моєї роботи мене й запросив проректор університету з науки В.І.Стріха. Наслідком нашої тритижневої спільної з московськими колегами роботи стали висновки й рекомендації, які мені довелося доповідати в Кремлі на засіданні надзвичайної комісії. Пізніше ці ж результати я доповідав і в Києві на засіданні Президії АН під головуванням Б.Є.Патона. Була в мене й довга розмова на цю тему з Віталієм Іларіоновичем — під час якої я був остаточно зачарований мудрістю й виваженістю цієї людини. Через кілька років Україна стала незалежною. Саме в цей час В.І.Стріха виявив себе не лише як визначний учений-фізик, але і як людина широкого гуманістичного світогляду та активної громадянської позиції. Він був одним з перших наших інтелектуалів, хто зрозумів: реформування наукової сфери держави має стати основою її успішного соціально-економічного розвитку. Наслідком його тривалих роздумів стала пропозиція створити громадське об’єднання провідних університетських учених під назвою «Академія наук вищої школи України». Разом з професором радіофізичного факультету Ю.І.Чутовим Віталій Іларіонович прийшов до мене як до професора геологічного факультету, що очолював новостворену Спілку викладачів вищої школи і науковців України, з пропозицією долучитися до справи створення АН ВШ України, на що я з великим задоволенням погодився. Професори В.І.Стріха, Ю.І.Чутов, М.І.Дробноход та М.Г.Кувшинський створили робочу групу з підготовки Установчих зборів Академії. Було опрацьовано проект Статуту. Принципову позицію Віталій Іларіонович займав щодо визначення поняття про членство в академії. Було пе-

– 96 –


редбачено, що участь у її роботі можуть брати колективні члени, а також окремі кандидати й доктори наук. Проте В.І.Стріха наполіг, що з метою збереження високого академічного статусу дійсним членом АН ВШ України може бути лише провідний учений зі ступенем доктора наук. Нагадаю, на той час членами всіх державних академій, навіть НАН України, ставали і кандидати наук, і взагалі люди без наукового ступеня. Такий Статут АН ВШ України пережив випробування часом і досі захищає академію від наукових пройдисвітів і нездар. 27 листопада 1992 року відбулися Установчі збори АН ВШ України за участі  50  докторів наук, професорів-засновників академії. Збори затвердили Статут, обрали склад Президії академії. Президентом академії було обрано доктора фізико-математичних наук професора В.І.Стріху, віцепрезидентами  — професорів М.І.Дробнохода та Ю.І.Чутова, головним ученим секретарем  — професора М.Г.Кувшинського. Академію як всеукраїнську громадську організацію вчених було зареєстровано міністерством юстиції 19 березня 1993 року (свідоцтво №422). Для офісу академії було виділено приміщення в історичному «червоному» корпусі КНУ імені Тараса Шевченка. АН ВШ України відразу ж набула великої популярності і авторитету в науково-освітянських колах. На  грудень  1994  року число академіків уже перевищувало 150, колективними членами академії стали провідні університети держави. У 1994–1995 було присуджено перші академічні нагороди Святого Володимира і Ярослава Мудрого, які зробилися вельми престижними. Ці успіхи академії були обумовлені високим науковим і моральним авторитетом її першого президента. На жаль, цей злагоджений і конструктивний ритм роботи академії порушила людина, готова на будь-що заради досягнення егоїстичних цілей. Цією людиною був філолог за освітою М.І.Дубина. З’ясувати, за чиєю рекомендацією він став академіком АН ВШ України, виявилося річчю марною. Можу засвідчити одне: ні я, ні Ю.І.Чутов гадки не мали, що це за особа. Не знали ми тоді й про те, що в квітні 1995 року М.І.Дубину було звільнено з Київського університету за статтею за здійснення аморального вчинку, несумісного з роботою в навчально-виховному закладі. Як з’ясувалося пізніше, після звільнення з КНУ М.І.Дубина виготовив шахрайським шляхом фальшиву трудову книжку, яку й використовував для працевлаштування в інших ВНЗ.  Але Віталію Іларіоновичу була властива надзвичайна довірливість до людей і він рекомендував наділеного досвідом апаратної роботи в Президії АН УРСР М.І.Дубину не лише до президії, але й на посаду головного ученого секретаря АН ВШ України (після того, як цю посаду залишив М.Г.Кувшинський). Помилкою стало й те, що Віталій Іларіонович (який на той час уже мав проблеми зі здоров’ям) дозволив М.І.Дубині діяти безконтрольно, розпоряджаючись печаткою академії. Шляхом зловживань учений секретар упродовж 2–3 років зумів сформувати групу подібних до себе прибічників і почав реалізацію плану з відсторонення В.І.Стріхи і обрання на посаду пре-

– 97 –


зидента академії себе. Для цього він створив собі імідж людини незамінної, здатної «вирішити» будь-які питання обрання до академії, присудження академічних нагород тощо. Водночас він не втрачав нагоди шепнути кожному (навіть мені — попри мої відомі всім теплі й дружні стосунки з Віталієм Іларіоновичем) 2–3 негативні слівця на адресу президента. Врешті-решт Віталій Іларіонович усвідомив підступність головного вченого секретаря. Але в академії вже сформувалася «проблема Дубини», вирішити яку виявилося не так просто. Тоді Віталій Іларіонович радився зі мною й Ю.І.Чутовим: яким чином таки позбутися Дубини в складі президії. Врешті-решт М.І.Дубину таки було виключено зі складу академії, але сталося це значно пізніше, після того, як він встиг накоїти ще дуже багато шкоди. Очищено було академію й від принесеного Дубиною непотребу. Однак це відбулося вже після раптової смерті Віталія Ілларіоновича 8 лютого 1999 року, яка стала для академії величезною і невідшкодовною втратою… Світла пам’ять про високоінтелектуальну й високодуховну постать В.І.Стріхи є дороговказом для учених академії. Щороку в пам’ятні дні в лютому проходять Академічні читання пам’яті В.І.Стріхи, які набули статусу авторитетного форуму українських і зарубіжних науковців.

– 98 –


ВІТАЛІЙ ІЛАРІОНОВИЧ СТРІХА — ІНТЕЛІГЕНТ І ВИДАТНИЙ НАУКОВЕЦЬ

А.Л.Бойко, академік НААН України та АН ВШ України

Мені завжди щастило на справжніх знавців нового на ниві науки. Подумки я часто звертаюсь до тих часів, коли проректором цього ланцюга освітянського життя в Київському університеті імені Тараса Шевченка був професор Віталій Стріха — фізик, людина закохана в досліди, любитель філософії та знавець природних катаклізмів Планети. За результатами конкурсу отримавши право завідувати кафедрою вірусології (1977–1978  рр.), я зустрів безліч проблем, які потребували невідкладного вирішення: формування нових спецкурсів, добування коштів на обладнання, добір кадрів викладачів і науковців... Ця ситуація притримувала виконання дослідів з вірусологічних проблем. Кафедрі не вистачало такого потужного комплексу обладнання, який існував в Інституті мікробіології і вірусології ім. Д.К.  Заболотного, де я пройшов аспірантуру та проводив наукові дослідження протягом  15  років. На  той час кафедра продовжувала дослідження вірусу грипу у перелітних птахів, започатковані першою завідуючою кафедрою вірусології Н.П.  Корнюшенко. Проте нам вдалося розпочати вивчення молекулярнобіологічних властивостей вірусів бактерій, рослин, гідробіонтів. Знаючи наші проблеми та успіхи, у 1984 році Віталій Іларіонович благословив мою доповідь за результатами наших досліджень вірусу соняшнику, однієї із стратегічних культур у країні, на сесію ВАСГНІЛ, що відбувалась у Москві. Пам’ятаю, як до від’їзду на сесію Академії я вечорами після робочого дня заходив до ректорату, де знаходився невеличкий кабінет проректора з науки професора В.І. Стріхи. Саме там за порадами Віталія Іларіоновича викристалізувалась моя доповідь про актуальну наукововиробничу проблему для держави, яку міг вирішити саме Київський університет імені Тараса Шевченка. На  сесії, підводячи підсумок моєї доповіді, академік В.С.Шевелуха, який вів засідання, запропонував підтримати дослідження вірусів соняшнику у Київському університеті та просити Державний Комітет з науки і техніки виділити кошти на цю проблему. Цю пропозицію підтримав Інститут олійних культур (м. Краснодар), відділ науки і сільського господарства ЦК  КПРС.  Проте найголовніша підтримка для вирішення цієї проблеми була з боку голови Держкомітету з науки і техніки академіка О.О.Жученка, керівника відділу Є.О.Смолінського та завідувача кафедри Університету ім. М.В. Ломоносова академіка Й.Г.Атабекова. Ці люди багато допомогли, щоб проект з великою фінансовою підтримкою втілився в життя. Після повернення мене і моїх колег до Києва Віталій Іларіонович привітав нас з доброю новиною. Наші здобутки були відмічені на вченій раді уні-

– 99 –


верситету ректором М.У.Білим, деканом біологічного факультету М.Є. Кучеренком. Пройде час і завдяки науковим розробкам у 1994 році кафедра виграє грант Всесвітнього конгресу з вірусології (м. Глазго). Наші доповіді з фізичної структури тосповірусу соняшника (Бойко А.Л., Князєва Н.А., Закусило А.О.) та магнітних властивостей вірусів (Поліщук В.П., Бойко А.Л., Литвинов Г. С.) зацікавили світову наукову спільноту. Спрямування цих досліджень пізніше будуть розвинені кандидатськими та докторськими дисертаціями, новими грантами кафедри. В.І.Стріха завжди підкреслював, що тільки спільні підходи фізиків, кібернетиків, хіміків, біологів та науковців інших галузей спроможні вирішувати складні питання природничих наук. Саме з його ініціативи вірусологи університету виконали цікаві та важливі дослідження з тонкої структури РНК- та ДНК-геномних вірусів, математичного моделювання екологічних процесів агроценозів за умов вірусної інфекції. Хочу підкреслити, що В.І.Стріха уже на той час дав слушні поради та висловив ряд ідей з питань створення і використання біосенсорів у вірусологічних напрямах науки. Після Чорнобильської катастрофи, коли постало питання про використання зміїної отрути як протектора при радіаційному навантаженні на організм, Віталій Іларіонович підтримав нашу ініціативу про створення в університеті на базі лабораторії екології і токсикології біологічного факультету герпетологічного відділу. І вже наприкінці того ж «чорнобильського» року група спеціалістів з України, Росії, Узбекистану відбула до В’єтнаму для відлову змій в біоценозах південної частини цієї країни, а також для відбору їх у спеціальних лабораторіях. Це важливе завдання було успішно виконано і наукові підрозділи України поповнювались фракціями отрути змій різних видів, які використовувалися в дослідах як протектори при радіаційному навантаженні. Потрібно підкреслити, що співпраця з В’єтнамом після цього була надзвичайно плідна. Вона переросла у наукову співдружність на ниві підготовки кадрів, створення спільних лабораторій. Приємно, що ця праця завжди супроводжувалася дружнім контролем та порадами В. І. Стріхи. Далекоглядність цієї людини в галузі науки та її організації дали змогу Віталію Іларіоновичу заснувати Академію наук вищої школи України. Він став першим президентом цієї академії, яка вирішує важливі наукові та освітянські проблеми.

– 100 –


НЕВИГОЛОШЕНИЙ ВИСТУП  НА ПЕРШИХ АКАДЕМІЧНИХ ЧИТАННЯХ  ПАМ’ЯТІ В.І.СТРІХИ  7 ЛЮТОГО 2004 РОКУ Ю.І.Чутов (1937–2005), академік АН ВШ України Шановні друзі! На жаль, я не можу бути присутнім на Академічних читаннях пам’яті Віталія Іларіоновича, бо знаходжусь в тривалому закордонному відрядженні, але мені хотілося б цим листом засвідчити свою повагу до Віталія Іларіоновича та висловити кілька міркувань з приводу сьогоднішньої ситуації в Академії. Ми працювали з Віталієм Іларіоновичем на радіофізичному факультеті Київського університету імені Тараса Шевченка з 1960 року (правда, на різних кафедрах), і я добре знав його як відомого вченого в області фізики напівпровідників, що почала інтенсивно розвиватися в 60-і роки минулого століття. Він відрізнявся цілеспрямованістю і науковою плодовитістю, і природно, що він досить швидко організував на факультеті самостійну наукову лабораторію, що плідно працювала в області фізики напівпровідників, а потім став завідувачем кафедри фізики напівпровідників і проректором з навчальної, а пізніше наукової роботи. З  1986  року, коли я очолив кафедру фізичної електроніки, ми почали регулярно зустрічатися з ним на вчених радах факультету та на робочих нарадах завідувачів кафедр радіофізичного факультету, що тоді відбувалися практично щотижня, До того ж, наші робочі кабінети розташовувалися один над одним, так що зустрічалися і спілкувалися ми досить часто. Саме на одній з таких нарад весною 1992 року я висловив пропозицію про організацію Академії наук вищої школи на базі Київського університету. Через кілька днів до мене підійшов Віталій Іларіонович і показав газету, де писалося про створення подібної Академії в Росії. Ми вирішили негайно приступити до справи. Віталій Іларіонович залучив до цього М.І. Дробнохода, що в той час очолював Спілку викладачів вищої школи і брав активну участь в реформуванні вищої освіти в Україні, а я залучив М.Г. Кувшинського, як людину, що має значні організаційні здібності  — і справа пішла досить швидко. Ми регулярно зустрічалися або в моєму кабінеті, або в кабінеті Віталія Іларіоновича, і за досить короткий час змогли створити ініціативні групи практично в усіх областях України, звертаючись до людей, яких ми знали як досвідчених і порядних професорів. Безперечно, що найактивнішим членом нашої групи був Віталій Іларіонович, що і визначило його майбутнє лідерство.

– 101 –


Ми вдвох з Віталієм Іларіоновичем відвідали ректора нашого університету проф. В.В. Скопенка, проінформували його про організацію Академії, і отримали дозвіл на проведення в Київському університеті Установчих Зборів, які відбулися в Головному (червоному) корпусі університету наприкінці 1992 року. Слід відзначити, що в цей час організовувалась і Педагогічна академія, що незабаром отримала державний статус. Головувати на Установчих Зборах було доручено мені, а з доповідь про створення Академії зробив Віталій Іларіонович. Збори пройшли досить урочисто, 50 професорів з різних регіонів України, що брали активну участь в створенні ініціативних груп, стали засновниками Академії, був затверджений статут, обрана Президія Академії. За моєю пропозицією, президентом Академії було обрано Віталія Іларіоновича, а на його пропозицію віце-президентами було обрано мене (з правами 1-го віце-президента) і М.І. Дробнохода. Головним вченим секретарем був обраний М.Г. Кувшинський, на котрого було покладено великий об’єм практичної організаційної роботи, з якою він, безперечно, дуже успішно справлявся. Ці  обрання були природними, оскільки саме ми були мозковим центром створення Академії. Після Зборів ми вчотирьох зайшли в Володимирський собор і поставили свічки за успіх нашої справи. Створення Академії вищої школи знайшло позитивну реакцію серед громадськості України: про її створення інформувало телебачення і радіо України, писали газети. Статут Академії проголошував завданням Академії активне сприяння науковій діяльності в вищих навчальних закладах України та створення нової генерації вчених з високими моральними принципами. Передбачалось широке впровадження демократичних принципів в організацію роботи Академії, зокрема можливість участі всіх професорів Вищої школи України в роботі Академії, регулярне переобрання Президії з обмеженням двома термінами тривалості участі в її складі, автономність діяльності її регіональних відділень. Діяльність Академії знаходила підтримку широкого кола громадськості та національно-патріотичних політичних сил, що відігравали в той час значну роль в політичному житті України. Підтримав діяльність Академії і Київський Університет імені Тараса Шевченка, що став колективним членом Академії, безкоштовно надав Президії Академії місце для її роботи, зал для проведення щорічних Загальних зборів, надавав іншу матеріальну підтримку. Проте зразу ж виникли і проблеми, зокрема при офіційній реєстрації Академії в Міністерстві юстиції. Знайшлися сили, що наполягали на недоцільності створення Академії наук вищої школи України, враховуючи існування державної Академії наук України. Прийшлось докласти немало зусиль, щоб добитися офіційного визнання нашої Академії. Особлива заслуга в цьому належить тодішньому Головному вченому секретарю Академії — М.Г. Кувшинському, що зумів при цьому розв’язати цілий ряд практичних проблем. Я пам’ятаю, яке піднесення панувало на засіданні Пре-

– 102 –


зидії Академії в приміщенні Медичного музею, коли я вперше повідомив членів Президії про офіційну реєстрацію нашої Академії. Урочисто пройшло і вручення нам в Міністерстві юстиції України свідоцтва про реєстрацію. Успішна діяльність Академії продовжувалася протягом перших двох термінів роботи Президії, тобто до 1998 року, незважаючи на істотні зміни, що сталися за цей час в політичному і економічному житті України. Були введені нагороди Академії за особливі заслуги в розвитку наукової діяльності, створені нові фахові відділення. Академія значно розширилася, дали згоду бути членами Академії ряд визначних зарубіжних вчених, які приїздили за свій рахунок на щорічні Збори і виступали при врученні їм дипломів Академії. І ось сьогодні — очевидна криза в роботі Академії, розкол, падіння авторитету Академії. В чому ж причини? Чи об’єктивні вони? Чи обумовлені лише амбіційністю окремих членів Академії? На мою думку, існує ряд об’єктивних причини, які можна сформулювати наступним чином: Перша Президія не зуміла розв’язати проблему фінансування діяльності Академії, що в умовах ринкової система, що встановлювалася в цей час в Україні, заблокувало розв’язання цілого ряду проблем наукової діяльності в рамках Академії. Надмірна політизація діяльності Президії відштовхнула багатьох активних людей від Академії, зокрема заявив про свою відставку Головний вчений секретар Академії М.Г. Кувшинський, що привело до появи цілої низки проблем в роботі Президії, і в цілому Академії. В результаті Академія втратила підтримку з боку багатьох вчених в області природничих наук, які відігравали провідну роль в організації і роботі Академії. На жаль, в Академії були порушені моральні норми її діяльності, що передбачалося її першим Статутом. Думаю, що це особливо чітко проявилося ще при виборах 1998 року, коли у відповідності зі Статутом Академії більшість членів Президії, в тому числі Президент, провідні віце-президенти повинні були залишити Президію, бо закінчувався їх  2-й термін перебування в Президії. На жаль, не була підтримана моя пропозиція про створення статусу Почесних членів Президії, які б своїм авторитетом забезпечили нормальне функціонування нової Президії. В результаті, лише я заявив про неможливість переобрання на третій термін, тоді як більшість членів Президії пішла на переобрання, передбачивши відповідну зміну Статуту. Подальші події показали, що порушення моральних принципів стало нормою діяльності Президії в багатьох аспектах. Трагічною подією, що особливо вплинула на діяльність Академії, стала раптова смерть Віталія Іларіоновича, який віддавав Академії багато сил, щоб підтримувати її діяльність. Його відсутність, разом з активністю нового Головного секретаря Академії, добре відомого багатьом людям по його попередній діяльності, привела до значної дискредитації Академії серед широкого кола громадськості. Смерть Віталія Іларіоновича зайвий раз під-

– 103 –


твердила відому істину про те, що кожна людина є унікальною і замінити її ніхто не може. Не сприяла діяльності громадської Академії наук вищої школи України зміна політичної ситуації в Україні, зокрема відновлення багатьох сторін минулого, в тому числі зростання ролі державних академій, що зуміли забезпечити суттєву матеріальну підтримку своїх членів. Значний негативний вплив на діяльність Академії справила консолідація ректорів державних вищих навчальних закладів, що виробили спільну негативну позицію до роботи Академії. Було багато причин особистого характеру, що неминуче для такої великої справи, як організація і робота Академії. Що ж робити зараз? Сподіваюсь, що в складі Академії є багато активних вчених — патріотів України, які готові відновити авторитет Академії заради дійсного реформування на демократичних засадах наукової діяльності в Україні. Потрібно обрати дійсно нову Президію, до якої залучити цих людей, здатних розв’язати сьогоднішні проблеми Академії. Без цього всі потуги на оновлення Академії будуть марними. Думаю, що перш за все Академія повинна боротися за відновлення свого авторитету серед професорів вищої школи України, для чого потрібно виробити план практичних заходів для підтримки, в тому числі фінансової, наукової діяльності членів Академії. Академія повинна зуміти стати дійсним реальним помічником і опорою сучасної наукової діяльності у вищій школі. Треба розширити наукову базу Академії, перш за все за рахунок комерційних вищих навчальних закладів, які в свою чергу, я думаю, потребують різкого піднесення наукової роботи, без чого абсолютно неможлива підготовка висококваліфікованих спеціалістів, здатних працювати на сучасному рівні з використанням міжнародного досвіду. Треба цілеспрямовано залучати до Академії молодих докторів наук, забезпечуючи їм перш за все широку рекламу їх наукової діяльності. І головне: кожному члену Академії потрібно активно вести сучасну наукову роботу, відмовившись від старих критеріїв — показників її ефективності, і дійсно забезпечувати реальний пріоритет України у світі, як держави з високим рівнем наукової діяльності, що є сьогодні однією з суттєвих ознак розвитку держави. Саме це, а не різні організаційні профанації, може забезпечити високий авторитет Академії, а значить і її відродження. Сподіваюсь, що Академія знайде в собі сили для відновлення її авторитету. З повагою, Ю.І. Чутов,

Лютий 2004 року, Японія

– 104 –


РАЗ ДОБРОМ НАГРІТЕ СЕРЦЕ…: ЗАПІЗНІЛА ПОДЯКА

Р.П.Зорівчак, академік АН ВШ України

Довідавшись, що за ухвалою Президії АН ВШ України готують до друку книжку, присвячену пам’яті визначного українського науковця-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої школи України Віталія Іларіоновича Стріхи, я наважуюсь подати до неї свій допис, але це — не просто спогади: це — передусім подяка. Запізніла подяка. Щоб пояснити, наскільки багато в своєму житті я завдячую вельмишановному Віталію Іларіоновичу, звернусь до подій середини 70-х років. Час був тоді такий лихий в Україні: період посиленої русифікації. Проводилися заходи на різних рівнях, зокрема на рівні, дуже болючому для нації, — на рівні науки. У № 2 «Бюллетеня Высшей Аттестационной Комиссии при Совете Министров СССР» за 1976 р. було опубліковано схвалене Радою Міністрів СРСР 29 грудня 1975 р. «Положение о порядке присуждения ученых степеней и присвоения ученых званий» (подаю текст мовою оригіналу не тому, що не вірю в силу повноцінного перекладу — адже Валуєвське «не было, нет и быть не может» також передаємо мовою оригіналу). Здавалося б, у цьому документі немає нічого особливого, якби не пункт 83 розділу «О прохождении в ВАК СССР дел по присуждению ученых степеней»: 83. Защита диссертации при согласии членов совета и оппонентов может проводиться на родном языке соискателя. Все документы по присуждению ученых степеней: диссертации, авторефераты, документы личного дела, стенограммы заседаний советов и т. п. представляются в ВАК СССР на русском языке. Если основные положения диссертации опубликованы на других языках народов СССР или иностранных языках, к диссертации в виде приложений должны быть приобщены соответствующие переводы на русский язык, удостоверенные советом, в котором проводилась защита (Бюллетень Высшей Аттестационной Комиссии при Совете Министров СССР. 1976. — №. 2. — С. 17). Прошу звернути увагу: ідеться про переклад не лише тексту дисертації, а й публікацій дисертанта! У статтях про лінгвоцид в Україні рідко зустрічаються згадки про цитований вище документ, а насправді руйнівна сила його була катастрофічною, зокрема для наукового мовлення в сфері гуманітарних наук. Пишучи дисертацію рідною мовою, дисертанти намагалися всі цитати подати якнайточніше, перекладаючи їх часто з російської та інших мов, загалом, працювали над розвитком наукового мовлення, над удосконаленням терміносистем. Після цієї постанови все більше людей переходило на писання дисертацій російською мовою. Для мене особисто вибору не існувало. Я — укра-

– 105 –


їнський перекладознавець, отже, мій обов’язок — писати українською мовою, намагатися удосконалювати українське наукове мовлення. Коли оприлюднили Ваківський циркуляр, я вже завершила працю над кандидатською дисертацію, мій текст був тоді на обговоренні, отже, хоча текст для ВАК-у довелося перекладати, особливих проблем не було і захист відбувався на основі українського тексту. А ось з подачею докторської дисертації виникли серйозні проблеми, коли в червні 1987 року я звернулася до голови Спеціалізованої ради Д 068.18.11 при Київському університеті проф. О. Є. Семенця із проханням прийняти мою докторську дисертацію «Лінгвостилістичні характеристики художнього тексту і переклад (на матеріалі перекладів української прози англійською мовою)» на розгляд. Він категорично мені відмовив через мій україномовний текст. Я запевняла його, що вже завершую переклад тексту російською мовою, одначе в Київському Шевченковому університеті вважаю своїм обов’язком домогтися обговорення україномовного тексту. Хоча проф. О. Є Семенець до мене загалом добре ставився, хоча наші наукові контакти були давні, голова ради був непохитним. Щоб якось мене позбутися, він нарешті сказав, що можу звернутися зі своїм проханням до проректора з наукової роботи Київського університету проф. В. І. Стріхи, але додав, що в успіх моєї справи він аніскілечки не вірить. У спеку (а після-Чорнобильські спеки були зокрема важкі у Києві) з декількома примірниками дисертації та всіма документами пішла (чи, вірніше, поплелася) я до приймальної проректора, щоб лише довідатися, що він незабаром від’їжджає у відрядження, а тоді міг бути ще в своїй лабораторії — очевидно, не для прийому відвідувачів. В екстремальних ситуаціях з’являється якась дивна сміливість (делікатно висловлюючись), і я наважилася з усім моїм багажем поїхати на край міста в лабораторію до так поважаного науковця попросити його вислухати мене. В успіх я не вірила. Водночас, не задумувалася над тим, що навіть проректор, який належить до наукової еліти нації, перебуває під ідеологічним тиском… На моє здивування, Віталій Іларіонович вийшов до мене через декілька хвилин і, уважно вислухавши моє прохання, написав на моїй заяві незвичайне й сміливе (навіть для проректора) звернення до проф. О.  Є Семенця з проханням прийняти на обговорення мою україномовну дисертацію. Зробив це так просто, по-людяному. Не знаю, чи мав час Віталій Іларіонович задуматися над тим, як багато Він допоміг мені. Мабуть, як Громадянин, як Науковець — не міг вчинити інакше, хоча як проректор — ризикував. Я із несподіванки не зуміла й подякувати йому. Ставши згодом академіком АН ВШ України, я досить часто зустрічала Президента Академії. Подумки завжди дякувала Йому, але відкладала на інший час вислови цієї подяки, аж, на жаль, до фатального 8 лютого 1999 р. То ж тепер висловлюю цю запізнілу подяку. Глибоку подяку. Львів,  13 березня 2011 р.

– 106 –


ПАМ’ЯТІ АКАДЕМІКА  В.І.СТРІХИ

Ф.О.Тишко, академік АН ВШ України

Доброму добра пам’ять Номис У пам’яті щоразу оживають Обличчя рідних, друзів і близьких, Людей, що нині тихо спочивають, А ми не забуваємо про них. Доробок їхній добрий і тривалий, І їхні справи надихають нас, Вони уже тоді випереджали Свій невблаганний швидкоплинний час. Ми Вчителю говоримо сьогодні Слова подяки щирі і прості: «Спасибі Вам за справи благородні, І що були Ви в нашому житті».

– 107 –


З КНИГИ «ВІРШІ»  (2001) Н.М.Гула, член-кореспондент НАН України та НАМН України

*** В.С. Долина в горах. Дощик і туман. На урвищі ми понад руслом Лєни. Сюди нас привели прадавні гени. Бродяги ми. Останні з могікан.

Давно вже складено докладний план. І стоїмо ми на краю морени. Нам від напруги набрякають вени. Байкал — позаду. Спереду — капкан. За день долали тільки кілометр. Було все мокре — чоботи і светр. Йшли місяць крізь пороги і каньйони. Топили речі, харч і приймачі. Ніколи не збивались на плачі. Нас не лякали жодні перепони.

7.03.01

*** В.С. Останнє літо. Світязькі простори. Тепер це спогад, смуток і печаль. Походи в ліс, яскраві мухомори І синя під високим небом даль. Мале озерце поруч під лататтям, Де густо поросли всі береги. Із лісу тягне димом від багаття. Минулі дні — яскраві й дорогі. Скінчилося, пройшло і відлетіло Сухим листком. Хто знав, що буть біді. Під світлом місяця замерехтіла Поверхня озера — лелітки на воді.

– 108 –

30.10.00


Ганна Терентїївна БурчикБузницька з дочкою Наталкою (бабуся й мама Віталія Стріхи). 1925 рік

урчик-Бузницька з дочкою мама Віталія Стріхи). 1925 рік

й Стріха. 1930-ті рр.

Віталій Стріха. 1930-ті рр.

– 109 –


На цій вулиці Дикій на Лук’янівці проминуло дитинство Віталія Стріхи. Г.Т.Бурчик (ліворуч) з подругою-вчителькою М.М.Голубничою, поч.1960-х рр.

На цій вулиці Дикій на Лук’янівці проминуло дитинство Віталія Стріхи. Г.Т.Бурчик (ліворуч) з подругоювчителькою М.М.Голубничою, поч.1960-х рр.

З мамою Н.А.Бурчик (кінець 1950-х рр.)

– 110 –

З мамою Н.А.Бурчик (кінець 1950-х рр.)


Віталій Стріха – першокурсник (1950 рік)

Віталій Стріха (перший ліворуч) – студент (початок 1950-х рр.)

– 111 –


Віталій Стріха – молодий науковець (кінець 1950-х рр.)

У відрядженні до Москви (початок 1960-х рр.)

– 112 –


Кафедра фізики напівпровідників (1956 р.) зліва направо сидять: Н.Я.Карханіна, В.І.Ляшенко, В.Є.Лашкарьов, Ю.І.Карханін, Г.А.Холодар, Ю.І.Гриценко; стоять: І.Г.Самбур, Є.М.Березняковський, В.Житков, В.Є.Кожевін, Г.П.Пека, Г.П.Зубрін, В.І.Стріха, Р.М.Бондаренко. Завідувачі кафедри: акад. В.Є.Лашкарьов (1952-1957); проф. В.І.Ляшенко. (1957-1960); проф. Ю.І.Карханін (1960-1975); проф. В.І.Стріха. (1975-1996)

– 113 –


В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х рр.) рр.) В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х В.І.Стріха в лабораторії (поч.1970-х рр.)

В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.)

– 114 –

В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.) В.І.Стріха читає лекцію (початок 1970-х рр.)


Президент АН УРСР Б.Є.Патон вручає молодому докторові наук Президент АН УРСР Б.Є.Патон В.І.Стрісі Державну премію УРСР в галузі науки і техніки вручає молодому докторові наук В.І.Стрісі Державну(1970) премію за монографію “Електричні явища на поверхні напівпровідників”

УРСР в галузі науки і техніки–за115монографію “Електричні явища – на поверхні напівпровідників” (1970)


В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).

В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ). В.Г.Литовченко, В.М.Добровольський, В.І.Стріха (1980-ті ).

В.І.Стріха з колегами, 1980-ті рр. В.І.Стріхаз зколегами, колегами, 1980-ті рр.рр. В.І.Стріха 1980-ті

– 116 –


Учасники Всесоюзної конференції з напівпровідникових приладів Учасники Всесоюзної конференції з напівпровідникових з бар′єром Шотткі (Яремче, 1980 рік). В.І.Стріха стоїть посередині приладів з бар′єром Шотткі (Яремче, 1980 рік). В.І.Стріха стоїть посередині

Викладачі кафедри фізики напівпровідників (1979 рік): справа наліво, перший ряд: В.І.Стріха, Ю.І.Карханін, Г.П.Пека, Н.Я.Карханіна, Викладачі кафедри фізики напівпровідників (1979 рік): О.В.Третяк; другий ряд: Ю.С.Жаркіх, В.М.Добровольський, В.А.Бродовий, Г.А.Холодар; ряд: С.С.Кильчицька, Д.І.Шека. справаЮ.В.Воробьов., наліво, перший ряд: третій В.І.Стріха, Ю.І.Карханін, Г.П.Пека,

Н.Я.Карханіна, О.В.Третяк; ряд: Ю.С.Жаркіх, – 117 другий – В.М.Добровольський, В.А.Бродовий, Ю.В.Воробьов.,


Колектив кафедри фізики Колектив кафедри фізики напівпровідників напівпровідників (1979(1979 рік). рік). Колектив кафедри фізики напівпровідників (1979 рік). Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії – більшість–із Завідувач кафедри В.І.Стріха – посередині. На фотографії – 5 докторів 28 кандидатів наук, яких підготував В.І.Стріха. більшість із 5 та докторів та 28 кандидатів наук, яких підготував

більшість із 5 докторів та В.І.Стріха. 28 кандидатів наук, яких підготував В.І.Стріха.

Брошура В.І.Стріхи Брошураенергетика В.І.Стріхиі “Сонячна “Сонячна проблеми їїенергетика розвитку” і (1983), у якій вперше проблеми її розвитку” комплексно обгрунтовано (1983),В.І.Стріхи у якій вперше Брошура “Сонячна енергетика і необхідність розвитку комплексно обгрунтовано проблеми її розвитку” (1983), фотовольтаїки як необхідність розвитку у якій вперше комплексно стратегічної перспективи фотовольтаїки як обгрунтовано необхідність виживання людства стратегічної перспективи розвитку фотовольтаїки як виживання людства стратегічної перспективи виживання людства

– 118 –


В аудиторії (1990-ті)

В аудиторії (1990-ті)

Спецвипуск «Українського фізичного журналу», виданий до 90річчя НАН України, де серед 35 видатних праць українських фізиків вміщено статтю В.І.Стріхи Спецвипуск «Українського фізичного журналу», виданий до “Випрямляючі властивості 90-річчя НАН України, де серед контакту метал35 видатних праць українських напівпровідник” фізиків вміщено статтю В.І.Стріхи “Випрямляючі властивості контакту метал-напівпровідник”

– 119 –


В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.). В.І.Стріха (третій праворуч) – проректор Київського університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.). університету імені Тараса Шевченка (середина 1980-х рр.).

Чернетка Звернення до викладачів та наукових співробітників ВНЗ України

з приводу організації наук вищої України (1992 рік). Чернетка Звернення доАкадемії викладачів та школи наукових співробітників ВНЗ України з приводу організації Академії наук вищої школи – 120 – та наукових співробітників Чернетка Звернення до викладачів України (1992Академії рік). ВНЗ України з приводу організації наук вищої школи


З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.

З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр. З дружиною Надією Гулою, кінець 1950-х рр.

З сином Максимом: початок 1960-х і травень 1980 р.

– 121 –


З дружиною і сином, кінець 1970-х рр.

З дружиною і сином, кінець 1970-х рр.

За кермом «Волги» ГАЗ-21, ЯЯ-28-54 (1970-ті рр.)) За кермом «Волги» ГАЗ-21, ЯЯ-28-54 (1970-ті рр.))

– 122 –


Віталій Стріха – «Вождь туристського народу» Віталій Стріха – «Вождь туристського народу» Сидять (зліва направо): Леонід Семикопний, Валерій Грінченко, Віктор Грінченко, Ярослав Сокіл, Олександр Гриценко. Стоять: Сергій Бабайкін, Сидять (зліва направо): Валерій Грінченко, Віталій Стріха, МаксимЛеонід Стріха,Семикопний, Євгенія Сокіл, Валентина Ушкалова, Віктор Грінченко, Сокіл, Олександр Гриценко. Стоять: Микола Грінченко Ярослав (озеро Кереть у Карелії на Полярному колі, 1988 рік).

Сергій Бабайкін, Віталій Стріха, Максим Стріха, Євгенія Сокіл, Валентина Ушкалова, Микола Грінченко (озеро Кереть у Карелії на Полярному колі, 1988 рік).

– 123 –


З дружиною біля святкового туристського столу

На туристському святі з дружиною Надією На туристському святі з дружиною Надією

На туристському святі з дружиною Надією

– 124 – святкового туристського столу З дружиною біля


Президент АН вищої школи України В.І.Стріха на зустрічі

Президент АН вищої школи України В.І.Стріха зустрічі з з прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995на рік). прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995 рік). Президент АН вищої школи України В.І.Стріха на зустрічі з прем’єр-міністром України Є.К.Марчуком (1995 рік).

У Франції (малий Версаль, 1998 рік) У Франції (малийВерсаль, Версаль, 1998 рік)рік) У Франції (малий 1998

– 125 –


В.І.Стріха (на задньому плані) в поході по річці Псел, липень 1995 року. На лівій байдарці – син Максим, онука Ярослава, дружина Надія.

В поході по Десні (серпень 1996 року).

– 126 –


Рибалка – пристрасть В.І.Стріхи (1996 рік)

З онукою Ярославою (Десна, серпень 1996 року)

– 127 –


Віталій Іларіонович Стріха — фізик, мандрівник, мрійник (Полтавщина, 1995 рік)

Учасники IV Академічних читань пам’яті В.І.Стріхи (2007 р.)

– 128 –


АКАДЕМІЯ НАУК ВИЩОЇ ШКОЛИ УКРАЇНИ СЕРІЯ «ВИЗНАЧНІ УЧЕНІ»

Віталій Іларіонович СТРІХА. 1931–1999

Упорядник та редактор Комп’ютерна верстка Комп’ютерний набір

М.В.Стріха О.А.Мельниченко М.В.Стріха


Підписано до друку 30.03.2011 р. Формат 60х84/16 Папір офісний. Друк офсетний. Гарнітура Times New Roman Умовн. друк. арк. 6,17 Наклад 150 прим. Видавництво «К.І.С.» 04080 Київ–80, а/с 1, тел. (44) 462 52 69, http//books.dovidka.com.ua Свідоцтво про внесення до Державного реєстру суб’єктів видавничої справи ДК №677 від 19.11.2001 р.

Profile for K.I.S. Publishing

Віталій Іларіонович СТРІХА  

Книжку присвячено пам’яті визначного українського ученого-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої шк...

Віталій Іларіонович СТРІХА  

Книжку присвячено пам’яті визначного українського ученого-фізика, педагога і громадського діяча, засновника і першого президента АН вищої шк...

Profile for pubkis
Advertisement