td corrig semi conducteur pdf

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ISemi-conducteursC’estCoursdephysiquedescomposantsàsemi-conducteursTDn˚3:JonctionpnetdiodesàjonctionMétaux,isolants,semi-conducteursDe l’isolantaumétalExercicesCorrigésCHAPITRE•DYNAMIQUEDURÉSEAUVibrationsduréseauTD.ExerciceDanslecasduSilicium,àT=K,avecni=1, cm-3,lenombretotald’atomesparcm=Quelestlerapportd’atomesionisésaunombreCoursetExercicescorrigésCesontlesmatériauxdontlarésistivitéest supérieureàcm,telsqueleverre,lemica,lasilice(SiO2),lecarbone(diamant)Parexemple,larésistivitédudiamantestr=Wmetcelledumicavarieentre WmetWmC’estuneclassedematériauxquisesitueentrelesmétauxetlesisolants,dontlarésistivitévarieentrecmetcmMétaux,isolants,semiconducteursDel’isolantaumétalExercicesCorrigésCHAPITRE•DYNAMIQUEDURÉSEAUVibrationsduréseauPhononsPropriétés thermiquesExercicesCorrigésCHAPITRE•SEMI-CONDUCTEURSÀL’ÉQUILIBRENotiondetrouGapMasseeffectiveDanslesisolants,lesbandesd’énergie lesplusfaiblessontentièrementpleines.Cesontlesmatériauxdontlarésistivitéestsupérieureàcm,telsqueleverre,lemica,lasilice(SiO2),lecarbone (diamant).Iln’yapasdeniveauxd’énergieaccessiblesetpasdeconduction.ISemi-conducteurs.Théoriegénéraledessemi-conducteursavecCorrigéLecourant IDpourVD=0,6VIDV=IS(eD/VT)=exp(0,6/0,)=(e23)=×ID=,4mAConditionsurEOnpeututiliserChapitreMatériauxsemi-conducteursApproche qualitativedelanotiondebandesd’énergiedanslessolidesPropriétésélectriquesdessemi-conducteursUnejonctionPNestforméedelajuxtapositiondedeux zonesdumêmesemi-conducteurdontl’uneestdopéePetl’autreNEnprenantl’hypothèsed’unejonctiondetypeabrupte,donnerlaformedesbandes d’énergieàl’équilibrethermodynamiqueLahauteurdelabandeinterditeestgrande(»eV)FigureIIDonneruneexplicationphénoménologiqueducomportement desexercicescorrigéssemiconducteurpdfExerciceL’Antimoniured'indium(InSb)estlemateriauquialapluspetitebandeinterditedetouslescomposants semiconducteursintrinseque:Eg=0,eVatemperatureambianteCorrectionTD2Physiquedescomposantssemi-conducteursExerciceL’équationdeSchrödinger {== ℏIΔ+=0,H′éKJΔ=2,HèàJParconséquent,l’équationdeSchrödinger=s’écrit: ℏ2Dansunsemiconducteurintrinsèque,laconcentrationdeporteurslibresestdonnéeparlarelationsuivante:npnAiWcWv===ekT sachantqu’àKlaconcentration intrinsèquedusiliciumvaut6,cmetquelahauteurdelabandeinterditevaut1,eV,déterminerlavaleurdeACoursdephysiquedescomposantsàsemiconducteursTDn˚3:JonctionpnetdiodesàjonctionIIsolantsDansunsemi-conducteurintrinsèque,laconcentrationdeporteurslibresestdonnéeparlarelation suivante:npnAiWcWv===ekT sachantqu’àKlaIIsolantsdanscedocumentdesnotionsfondamentalesd'electroniqueetdePhysiquesouslaforme