Módulos de Memorias SIMM DIMM y latencia de memoria

Universidad Laica “Eloy Alfaro” De Manabí Extensión en El Carmen Carrera Ingeniería en Sistema

Organización y Arquitectura del Computador TEMA: Módulos de Memoria SIMM , DIMM y Latencia de Memoria

Autor: Jhonatan Alexander Quintanilla.

Ing. Roció Mendoza 31 de julio del 2016

Módulos de Memoria

SIMM

• Los módulos de RAM son tarjetas o placas de circuito impreso que tienen soldados chips de memoria DRAM, por una o ambas caras.

• Módulo de Memoria de Línea Individual

DIMM

• Módulo de memoria con contactos duales

Nota: Los primeros modelos eran exclusivos para cada marca de computadora, por lo que solamente funcionaban en sus respectivos sistemas.

Módulos SIMM

Módulo SIMM Se los denomina de esa forma porque sus contactos se comparten de ambos lados de la plaqueta o módulo de memoria. Los módulos SIMM llevan memorias DRAM, cuyos chips están colocados de un sólo lado de las plaquetas.

Con la llegada de las computadoras con microprocesadores Intel 80486, y sus placas madre con bus de datos de 32 bits, se instauraron los módulos SIMM con conectores de 72 pines y ancho de 32 bits.

Los módulos SIMM de 30 pines comenzaron a comercializarse a principios de los años '80, con la llegada de los sistemas 286. Dichos módulos SIMM venían con capacidades de 256 KB, 1 MB, 4 MB y 16MB. Los chip de memoria incluidos en los módulos SIMM de 30 pines y los primeros de 72 pines, eran de tipo FPM DRAM (descrito en la sección anterior) y de tipo EDO DRAM (también descrito en la sección anterior) en los módulos SIMM de 72 pines.

Mรณdulo SIMM Patillajes

Módulos DIMM

Módulo DIMM Dimensiones son de 14 x 2,5 cm y cuentan con 168 pines (84 pines de cada lado del módulo); su nombre justamente deriva del hecho de que poseen terminales o pines separados de ambos lados de la plaqueta o módulo de memoria.

Comenzaron a popularizarse a partir del año 2000 con los sistemas Pentium II; los cuales contaban con un bus de datos de 64 bits, y son el tipo de módulo más utilizado hasta el momento.

El tipo de memoria en estos módulos es SDRAM, y cuentan con capacidades que van de 16 MB a 512 MB por módulo de memoria DIMM. Fueron utilizadas principalmente en sistemas Pentium II y en los Pentium III, así como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron.

Luego llegaron los módulos DIMM de 184 pines para memorias de tipo DDR SDRAM así como las SO-DIMM de 200 pines para el mismo tipo de memorias en computadoras más compactas como las notebooks.

Especificación de los módulos DIMM • DIMM de 168 contactos, SDR SDRAM (tipos: PC66, PC100, PC133...).

• DIMM de 184 contactos, DDR SDRAM (tipos: PC1600 (DDR-200), PC2100 (DDR-266), PC2400 (DDR-300), PC2700 (DDR-333), PC3000 (DDR-366), PC3200 (DDR-400), PC3500 (DDR-433), PC3700 (DDR-466), PC4000 (DDR-500), PC4300 (DDR-533), PC4800 (DDR-600); hasta 1 GiB por módulo).

• DIMM de 240 contactos, DDR2 SDRAM (tipos: PC2-3200 (DDR2-400), PC2-3700 (DDR2-466), PC2-4200 (DDR2533), PC2-4800 (DDR2-600), PC2-5300 (DDR2-667), PC2-6400 (DDR2-800), PC2-8000 (DDR2-1000), PC2-8500 (DDR2-1066), PC2-9200 (DDR2-1150) y PC2-9600 (DDR2-1200); hasta 4 GiB por módulo).

• DIMM de 240 contactos, DDR3 SDRAM (tipos: PC3-6400 (DDR3-800), PC3-8500 (DDR3-1066), PC3-10.600 (DDR3-1333), PC3-13.300 (DDR3-1666), PC3-14.400 (DDR3-1800), PC3-16.000 (DDR3-2000); hasta 8 GiB por módulo).

• DIMM de 288 contactos, DDR4.

Latencia de memoria

Una medida que se suele utilizar para medir el nivel de eficiencia de un mรณdulo de memoria es la latencia, la cual estรก firmemente vinculada con el proceso electrรณnico de lectura y escritura de los datos en la memoria SDRAM. Para decirlo con palabras simples, la latencia mide la cantidad de tiempo que se tarda en obtener de la memoria cada bit de informaciรณn, o sea el tiempo que pasa desde que el controlador de memoria pide en nombre del microprocesador una serie de datos y dichos datos son obtenidos.

La latencia de los chips de memoria se califica utilizando cuatro valores  TCAS: Tiempo requerido en ciclos de reloj para activar una determinada columna donde se encuentra la celda a leer o escribir.  TRCD: (RAS to CAS delay - Demora de RAS a CAS) representa la cantidad de ciclos de reloj que pasan entre la activación de una fila de memoria y el envío de una señal de activación de columna CAS.  TRP: (Row Precharge - Precarga de Fila) representa la cantidad de ciclos que se necesitan para desactivar una determinada fila y activar otra fila de memoria.  TRAS: Representa la mínima cantidad de ciclos de reloj que una determinada fila permanecerá activa para leer o escribir un bit de una fila, desde el momento en que se realiza la orden del controlador de memoria.

Latencias tRCD, tCAS y tRP