ESPAÇO DE FORMAÇÃO
Ficha técnica n.o 21 Paulo Peixoto TEYPS TIM\SXS%EXIG TX ATEC – Academia de Formação
19. CIRCUITOS DE ESTABILIZAÇÃO
IF
19.1. Introdução :IVMǻGEQSW UYI ETIWEV HE XIRWS SFXMHE RE WE¸HE HS GSRHIRWEHSV HI ǻPXVEKIQ N« WIV VE^SEZIPQIRXI IWXEFMPM^EHE EMRHE IWX« EJIXEHE HI YQE TIUYIRE SRHYPE±S *WXE SRHYPE±S TSHI WIV IQ GMVGYMXSW GV¸XMGSW GSQS SW EQTPMǻGEHSVIW YQE JSRXI HI TIVXYVFE±ÀIW Nesta última etapa vamos então estabilizar a tensão de saída SY HI SYXVE JSVQE VIXMVEV E TIUYIRE SRHYPE±S UYI IWXE ETVIWIRXE ª WE¸HE HS GSRHIRWEHSV 4 GMVGYMXS ǻREP HIRSQMRE WI TSV JSRXI HI alimentação. .RXVSHY±S ES H¸SHS HI >IRIV 4W H¸SHSW TEVE TIUYIRSW WMREMW I SW H¸SHSW HI VIXMǻGE±S RYRGE STIVEQ MRXIRGMSREPQIRXI RE ^SRE HI HMWVYT±S TSVUYI MWWS TSHIVME HERMǻGE PSW 9Q H¸SHS >IRIV ³ HMJIVIRXI XVEXE WI HI YQ H¸SHS HI WMP¸GMS UYI S JEFVMGERXI SXMQM^SY TEVE STIVEV RE ^SRE HI HMWVYT±S 4 H¸SHS >IRIV ³ S GSQTSRIRXI IWWIRGMEP HSW VIKYPEHSVIW HI XIRWS IPIXV¾RMGSW GMVGYMXSW IWXIW UYI QERX´Q E XIRWS HE GEVKE UYEWI GSRWXERXI apesar de haver grandes variações na tensão da rede elétrica de alimentação e na resistência de carga.
U(V)
UZ
UF
IZmin IZ IZmáx IR(mA)
Figura 144. Característica U - I de um díodo de Zener.
4 H¸SHS HI >IRIV ³ TSV ZI^IW HIRSQMREHS TSV H¸SHS VIKYPEHSV HI XIRWS YQE ZI^ UYI QERX´Q E XIRWS HI WE¸HE GSRWXERXI QIWQS UYI ZEVMI E GSVVIRXI UYI S TIVGSVVI 5EVE WI ZIVMǻGEV IWXE IWXEFMPM^E±S HI XIRWS S H¸SHS HIZIV« WIV TSPEVM^EHS MRZIVWEQIRXI N« UYI TSPEVM^EHS HMVIXEQIRXI GSQTSVXE WI como um díodo de silício vulgar. Além desta condição a tensão da fonXI HI EPMQIRXE±S HIZIV« WIV WYTIVMSV UYI E XIRWS HI >IRIV SY XIRWS de disrupção do díodo. 9XMPM^E WI EMRHE YQE VIWMWX´RGME IQ W³VMI GSQ S H¸SHS >IRIV TEVE PMQMXEV E GSVVIRXI UYI S TIVGSVVI EFEM\S HE WYE GSVVIRXI IWXMTYPEHE Q«\MQE GEWS GSRXV«VMS S H¸SHS HIWXVY¸E WI GSQS UYEPUYIV HMWTSWMXMZS GSQ I\GIWWMZE HMWWMTE±S HI TSX´RGME .VIQSW EREPMWEV S GSQTSVXEQIRXS HS H¸SHS >IRIV GSQ VIGYVWS ES GMVGYMXS VITVIWIRXEHS RE ǻKYVE
Figura 143. ¸QFSPSW HS H¸SHS HI >IRIV HI RSXEV E JSVQE HI > HS XVE±S UYI MRHMGE S
RS
cátodo).
& ǻKYVE VITVIWIRXE E GYVZE GEVEGXIV¸WXMGE HE GSVVIRXI Ƴ XIRWS RYQ H¸SHS >IRIV 3E ^SRE HMVIXE S H¸SHS GSQI±E E GSRHY^MV « ZSPXE dos 0,7 V, tal como um díodo vulgar de silício. Entre o zero e a zona HI HMWVYT±S S H¸SHS ETIREW XIQ YQE TIUYIRE GSVVIRXI MRZIVWE 3YQ H¸SHS >IRIV E HMWVYT±S SY HIWMKREHE XEQF³Q GSQS XIRWS >IRIV ETVIWIRXE YQE KVERHI GYVZEXYVE WIKYMHE HI YQ EYQIRXS HI GSVVIRXI UYEWI RE ZIVXMGEP 3SXI WI UYI E XIRWS ³ UYEWI GSRWXERXI ETVS\MQEHEQIRXI MKYEP E 9> na maior parte da disrupção. Variando o nível de dopagem dos díodos de silício, os fabricantes produzem H¸SHSW >IRIV GSQ XIRWÀIW HI HMWVYT±S SY XIRWÀIW >IRIV IRXVI GIVGE HI : EX³ : &W JSPLEW HI HEHSW IWTIGMǻGEQ RSVQEPmente o valor de U> e uma corrente I> por vezes referida como I>8 corrente de teste. 3E XIVGIMVE ETVS\MQE±S HI YQ H¸SHS HI WMP¸GMS E XIRWS HMVIXE HS H¸SHS ³ MKYEP ª XIRWS HI EVVERUYI QEMW E XIRWS EHMGMSREP VIXMHE RSW terminais da resistência de volume. Analogamente, na zona de disrupção a tensão inversa do díodo MKYEPE E XIRWS HI HMWVYT±S SY XIRWS HI >IRIV QEMW E XIRWS EHMcional retida nos terminais da resistência de volume. Na zona inversa a VIWMWX´RGME HI ZSPYQI HIWMKRE WI TSV VIWMWX´RGME >IRIV 3EW ER«PMWIW UYI WI WIKYIQ MVIQSW HIWTVI^EV IWXE VIWMWX´RGME GSRWMHIVERHS EWWMQ S H¸SHS HI >IRIV MHIEP
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MANUTENÇÃO 146/147
UF
DZ
Figura 145. Análise do circuito regulador de tensão.
YTSRLEQSW UYI WI TVIXIRHI GEPGYPEV S ZEPSV HE GSVVIRXI IP³XVMGE UYI TIVGSVVI S H¸SHS >IRIV 5EVE XEP FEWXE GEPGYPEV E GSVVIRXI RS GMVGYMXS YQE ZI^ UYI WI XVEXE HI YQ GMVGYMXS W³VMI & GSVVIRXI UYI GMVGYPE RS circuito será dada por:
IS =
U F - U> RS
)I WEPMIRXEV UYI IWXE GSVVIRXI HIZIV« WIV MRJIVMSV ª GSVVIRXI Q«\MQE estipulada. Se pelo contrário, pela análise da folha de dados obtiverQSW S ZEPSV HE GSVVIRXI >IRIV HI XIWXI .> I TVIXIRHIVQSW HIǻRMV S valor da resistência a colocar em série com o díodo procedemos da seguinte forma: RS =
U F - U> IS