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corrección de error (ECC) para detectar errores de un solo bit. Por ejemplo, las tarjetas CompactFlash® de Kingston tienen una especificación de margen de error menor de un bit en 1.000.000.000.000.000 bits de lectura (1 bit por cada 1015 bits de lectura).
Los ingenieros de Kingston prueban y seleccionan controladores de alto desempeño para asegurar que las tarjetas
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Retención de datos de Flash de Kingston: Los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston tienen una capacidad de hasta 10 años bajo condiciones de uso normal. La información importante también se debe respaldar en otros medios para conservarla de forma segura a largo plazo.
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Tecnología de nivelación de desgaste: Los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston incorporan controladores que usan tecnología avanzada de nivelación de desgaste que distribuye ciclos de escritura a lo largo de la tarjeta Flash. Por lo tanto, la nivelación de desgaste extiende la vida útil de una tarjeta de memoria Flash (para mayores detalles, por favor consulte la sección de Duración de las celdas Flash de Kingston, a continuación).
• Durabilidad de las celdas Flash: Hasta 10.000 ciclos de escritura por sector físico en el Flash de celdas nivel múltiple (MLC). Hasta 100.000 ciclos de escritura por sector físico de celda de un solo nivel (Flash SLC).
Flash de Kingston se encuentren dentro de las líderes en desempeño de
De acuerdo con Toshiba, el inventor de la memoria Flash: “los 10.000 ciclos de MLC NAND son más que suficientes para una amplia gama de aplicaciones para el consumidor, desde almacenamiento de documentos hasta fotos digitales. Por ejemplo, si una tarjeta con base en Flash MCL NAND de 256 MB normalmente puede almacenar 250 fotos de una cámara de 4 megapíxeles (estimación conservadora), sus 10.000 ciclos de lectura/ escritura, combinados con los algoritmos de nivelación de desgaste en el controlador, permitirán al usuario almacenar y/o ver aproximadamente 2,5 millones de fotos durante la vida útil esperada de la tarjeta.”1
la industria.
Para las unidades Flash USB, Toshiba calculó que una duración de ciclo de escritura de 10.000 podría permitir a los consumidores “escribir completamente y borrar el contenido completo una vez al día durante 27 años, bastante más que la vida del hardware.” Los productos basados en Flash SLC, que normalmente se encuentran en las tarjetas Elite Pro™ y Ultimate y las unidades Data Traveler II, II Plus – Edición Migo y Flash USB de alta velocidad de Kingston, ofrecen alto desempeño y larga durabilidad. •
Reasignación automática de sectores defectuosos: Los controladores Flash de Kingston bloquean automáticamente las secciones con celdas de memoria dañadas (“bloques defectuosos”) y mueven los datos a otras secciones (“bloques de repuesto”) para evitar la corrupción de datos. Durante el formateo de fábrica (como se describe en la sección 2), los bloques de repuesto se aíslan en el dispositivo de almacenamiento Flash para volver a asignar los sectores dañados con el tiempo y así extender la vida útil y la confiabilidad del dispositivo de almacenamiento Flash.
• Conectores de alta calidad: Los dispositivos de almacenamiento Flash de Kingston tienen conectores de capacidades mayores a 10.000 inserciones. • Temperatura y humedad operacional: 0° C a 60° C, 5% a 95% de humedad (típico)
Comunicado de prensa de Toshiba, “Toshiba America Electronic Components, Inc. Releases Performance Research on MLC NAND Flash Memory for Consumer Applications,” 10 de mayo de 2004 1
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