Êàñêîäíàÿ êîíôèãóðàöèÿ óñòðàíÿåò ýôôåêò Ìèëëåðà â êîððåêòîðå êîýôôèöèåíòà ìîùíîñòè Gregory Mirsky Electronic Design
ÐÐàáî÷àÿ ÷àñòîòà âõîäíîé öåïè êîððåêòîðà êîýôôèöèåíòà ìîùíîñòè (ÊÊÌ) ñåòåâîãî èñòî÷íèêà ïèòàíèÿ îãðàíè÷åíà ýôôåêòîì Ìèëëåðà ñâÿçàííîãî ñ íåé ìîùíîãî òðàíçèñòîðà. Ýòîò ýôôåêò ïðèñóù ëþáîìó òðàíçèñòîðó, âêëþ÷åííîìó â êîíôèãóðàöèè ñ îáùèì èñòîêîì (MOSFET) èëè îáùèì ýìèòòåðîì (áèïîëÿðíûé òðàíçèñòîð).  áîëüøèíñòâå ÊÊÌ èñïîëüçóåòñÿ ïîâûøàþùèé ïðåîáðàçîâàòåëü, îñíîâàííûé íà MOSFET ñ îáùèì èñòîêîì èëè áèïîëÿðíîì òðàíçèñòîðå ñ îáùèì ýìèòòåðîì. Íà Ðèñóíêå 1 ïîêàçàíî òèïè÷íîå ñèëîâîå ÿäðî ÊÊÌ íà áàçå ìîùíîãî MOSFET (Q) ñ îáùèì èñòîêîì. Ïî ñóòè, ýòî óñèëèòåëü ñ áîëüøèì êîýôôèöèåíòîì óñèëåíèÿ, êîòîðûé óïðàâëÿåò óðîâíåì ìîùíîñòè, èñïîëüçóÿ äðîññåëü L äëÿ íàêîïëåíèÿ è âûñâîáîæäåíèÿ ýíåðãèè. Ïðè âêëþ÷åíèè è âûêëþ÷åíèè MOSFET íàïðÿæåíèå íà L V VCC 15 Q
+
16 U1 UC3854A 1
Ðèñóíîê 1. Â ýòîé óïðîùåííîé ñõåìå ÊÊÌ èñïîëüçóåòñÿ ìèêðîñõåìà UC3854A è îäèí ìîùíûé MOSFET.
42
V ZL
VDG IIN
IGD CDG
RG
+C IGS
EIN
D
CGS
VDS
VGS
Ðèñóíîê 2. Âõîäíûå åìêîñòè, íàïðÿæåíèÿ è òîêè âõîäíîé öåïè íà ìîùíîì MOSFET.
åãî ñòîêå (VDS) èçìåíÿåòñÿ îò ïî÷òè íóëÿ äî âûõîäíîãî íàïðÿæåíèÿ ÊÊÌ, êîòîðîå îáû÷íî ñîñòàâëÿåò îò 200 äî 400 Â. Ýòî íàïðÿæåíèå ïåðèîäè÷åñêè ïåðåçàðÿæàåò åìêîñòè ñòîêèñòîê (C DS ) è ñòîê-çàòâîð (C DG ) ÌÎÏòðàíçèñòîðà, è âëèÿåò íà åìêîñòü çàòâîðèñòîê (CGS) (Ðèñóíîê 2). Âàæíî èìåòü â âèäó, ÷òî íàïðÿæåíèÿ VDS è VDG (ñòîê-çàòâîð) íàõîäÿòñÿ â ïðîòèâîôàçå ñ íàïðÿæåíèåì çàòâîð-èñòîê VGS è óïðàâëÿþùèì íàïðÿæåíèåì EIN. Ýòî îçíà÷àåò íàëè÷èå îòðèöàòåëüíîé îáðàòíîé ñâÿçè îò ñòîêà ê çàòâîðó, êîòîðàÿ è îáóñëîâëèâàåò ýôôåêò Ìèëëåðà. Ýôôåêò Ìèëëåðà óâåëè÷èâàåò êàæóùóþñÿ âõîäíóþ åìêîñòü MOSFET èëè áèïîëÿðíîãî òðàíçèñòîðà.
ÑÒÀÒÜÈ
ÐàäèîËîöìàí – íîÿáðü 2019