евали себе вполне жизнеспособные ниши (бортовые ЭВlй lBM АР-101 в американских
512 Blt Eloctrlcally ДtоrаЬlо Road Опlу Моmоrу
косN.4ических челноках оборудовал ись ferrite mеmоrу вплоть до их модернизации в 1984 году). Вытесне{ие с рычка эl их те\нологий жесI кими дисками (HDD) произошло по вполне
FатUпЕS l Bword х 8 b[orgrnllailon r б bll bln!ry .ddrcs.lno . +5, -28v pow.l lupPllo. r .
понятной причине: стоимость единиць]
хранения
инфорNlации
у последних
была на
несколько порядков ниже, чем у конкурен, тов. И за это.винчестерам" прощалась их низкая наработка на отказ, неизбежный шум и прочие сопутствующие N,4еханическим устройствам капризь, Использование полупроводниковых элемечгов в чачес,веyстройсгв хранения информации началось в начале 70 х, когда компания General lnStrUments разработала ми KpocxeN,ly электрически програм N4 ируемого ПЗУ EARON4 (Electricaly Alterable RolV]) на основе нитрида кремния. Время доступа в режиме чтения составляло у EARON,4 всего 2 миллисекунды, что позволяло микросхе ме конкуl]ировать не только с HDD. но и с тогдашней оперативной памятью, Перезапись данных осуществлялась, как и в жестких дисках (и в будущей flаsh-памяти), поблочно. Ее время составляло 100 миллисепучд и гребовало годачи на ячейку хранения напряжения 42 вольта. EAROM] не завоевала рынок из-за очень низкого показателя времени хранения данных, который составлял менее двух лет. Именно поэтому хранителеN.а BloS в компьютерах стала не эта технология, а RAN,4 C|\4OS, подпитываемая батарейкой. Еще одной попы
I
рlN соNFlGUпАllоN
22
LиD oUAL
lN
LINE тфчfr
y.ar dll. !tor!g. ЕR2055 (al +7о.с) y.ar oal! .iоrig. 'orЕЯ2055 lB {.! +б.С) нв (.l +l25.cl 'or a ПL сойр.llЬtб w||h Dull.Up r.ililor! оп lnpul, 10 1
дпd Еп2055
. R.td Tlmoi &! (ЕЯ2055), 1р! (ЕR2о55 lR lnd ЕВ2О55 НВ} . wilo/Elirc Tlm.: sm! (ЕВ2055), lфm! {ЕЯ2О55 НВ) a No v011.90 бwllсhlпg .oqulloo a 2 chlp !cl.cl, a Two oxlrлOid lamрбra!чrс rangatl -40.с to +85.с (hdurtill) рrп , Ев2Ф5 rR -65.с Io +125.с (нi-вбl) Pad l Ев2055 нR
DЕзсRlртlоt{
dбcodod g х 8 clocvlc.lly or.!!bl. ind ,орrcOrammoЬlС 'Ully Rом, wdlo,6.r!e, lnd,.id чоll!соз ara lwllchф ht.rnally vli а 2-Ыt cooe.Ppllф lo ct !nd С2, Оз|д ls !loIod Ьу !pplyin9 nogaliva witln9 рчtsз lhtlsol0cllvaly t!ппбl chrr9o lntoiho oxld.-nltld. lnl.il.cc oi !h.9rl. lпзUlдiо; о' lhб 512 MNoS mсmоry tanзlllors Whол lhawiiln9 vollsgo iз rоmочф lho ch!r9o t.6PFd at !hб lпlоdаф ls manlt6llcd i! а nogailvo зhitl lп lho lhrбвhоld vollioo ol lhб !6lФt€d momory
Th. ЕR2055 l. r
кой полупроводниковой
памяти побороть рынок HDD можно считать оазоабоrачноtй в 1976 году компаl-.ией Dataram накопитель BULK CoRE FHD (FiХed Head DiSk), эмулирующий контроллеры жестких дисков компаний DEc и Data Gепеrаl. Благодаря усилиям Data[am накопители BULK CoRE устанавливались в популярные тогда модели ЭВМ, например, в PDP 11. Нынешняя полупроводниковая энергонезависиN4ая (nonVolatile) память обязана изобретению полевого транзистора с дополнительным изолированным затвором
Replace Fixed-Head Disc with Dataram
ВULК соRЕ
(Floating-Gate Field Effect TranSiStor). Нали чие или отсутствие заряда на этом затворе интерпретировалось {ак сос-оячие ячей<и памяти, а с помощью напряжения, пода ваемого на основной затвор, можно было вь полнять поиск нужной ячейки, На базе полевых транзисторов и было разработано электрически стираеN4ое ПЗУ (Electrica у
PRoV] EEPROl\4). В случае параллельного соединения транзисторов ЕЕРRОl\4-пал,аять называют NOR (от Not or - "не,или,). При их последоваЕrаSаЬ е
соединении образуется NAND- "не-и"). Параллельный характер соединения ячеек в NОR-памяти делает ее похожей на элементы оперативтельноN,4
память (от Not and
ной паN.lяти. поскольку
побитную
ia: есл/ для ,,]роlраммироваl-ия
ячеЙки
требовалось порядка одной миллисекунды. то на ее стирание (разряд изолированного затвора) уходила почти секунда. И если бы не гениальная идея скромного служащего компании Toshiba Фуднио М]асуока (FUjiо ]\4asuoka), чипы EEPROM ожидало бы неминуемое забвение, Но 1980 году, в создаdном им единоличFrо патен Ie, японский инженер описал технологию упреждающего группового стирания ячеек. При таком подходе время записи и стирания стало практически одинаковым. За быстроту стирания коллеги назвали технологию Фуджио (вспышка,, ]VacyoKa FlаSh Несмотря на единую транзисторную основу, ячейки NОR-памяти примерно в два раза больше, чем ячейки памяти NAND. Кроме того, время записи и чтения у NОR-памяти несколько больше, чем у ее антагониста. Именно поэтому с рыночной точки зрения NОR-память оказалась менее привлека тельна. чем NAND. Ба зис чового вида энер, оtsезависимой памяти был заложен. Д дальше пошли ее усовер шенствова
жЕrlЕзв
допускает
произвольную выборку (random access) данных из любой ячейки, Последователь ный доступ к ячейкам NAND памяти делает более удобной выборку данных блоками, состоящиN4и из нескольких бит. И в этом смьlсле именно NAND память являлась наи более подходящим кандидатом для замены жестких дисков. Была только одна загвозд-
н
ия,
о87