Transistores bipolares potencia Modelo
320
Polaridad
VCEO[V]
IC[V]
Pd[mW]
Ft[MHz]
HFE
Encapsulado
2N3055 NPN 60 15.0 115 2.5 70 TO-3 Transistor de potencia de salida de audio, motores a paso y aplicaciones lineales. 2N6284 NPN 100 20.0 160 4.0 18000 TO-3 Transistor darlington de propósito general y swithcheo de baja frecuencia. 2N6287 PNP 100 20.0 160 4.0 18000 TO-3 Transistor darlington de propósito general y swithcheo de baja frecuencia. BD135 NPN 45 1.5 12.5 8.0 40 TO-126 Transistor bipolar de potencia amplificador de audio driver. BD136 PNP 45 1 12.5 8.0 40 TO-126 Transistor bipolar de potencia amplificador de audio driver. MJ15022 NPN 200 16.0 250 4.0 60 TO-3 Transistor de potencia, salida de audio y aplicaciones lineales. MJE3055T NPN 60 10.0 75 2.0 100 TO-220 Transistor de potencia amplificador de propósito general y switcheo. MJE13007 NPN 400 8.0 80 14.0 40 TO-220 Transistor de potencia de alto voltaje, alta velocidad switcheador de circuitos inductivos. TIP31C NPN 100 3 40 3.0 25 TO-220 Transistor de potencia amplificador de propósito general. TIP32 C PNP 100 3.0 40 3.0 25 TO-220 Transistor de potencia amplificador de propósito general. TIP35C NPN 100 25.0 125 3.0 25 TO-3PL Transistor de potencia amplificador de propósito general. TIP36C PNP 100 25 125 3.0 25 TO-3PL Transistor de potencia amplificador de propósito general. TIP41C NPN 100 6.0 65 3.0 30 TO-220 Transistor de potencia amplificador de propósito general. TIP42 C PNP 100 6.0 65 3.0 30 TO-220 Transistor de potencia amplificador de propósito general.
Canal N Modelo
Polaridad
VDSS
RDS
IRF640 Canal N 200 0.18 TTMOS Power Fet. High Energy power Canal N.
ID
IN(cont)
PD
Encapsulado
18
12
125
TO-220
Pd(mW)
Ft(MHz)
HFE
Encapsulado
Canal P Modelo
Polaridad
VCEO(V)
IC(V)
MTP2955V NPN 100 8.0 80 4.0 20000 TO-220 Transistor de Potencia Darlington amplificador de propósito general (NTP2955) switcheador de baja velocidad. Darlington Transistor de potencia darlington amplificador de propósito general switcheador de baja velocidad. Modelo
TIP110 TIP122
Polaridad
VCEO(V)
IC(V)
Pd(mW)
NPN 60 2.0 50 NPN 100 5.0 75
Ft(MHz)
HFE
Encapsulado
4.0 1000 TO-220 4.0 1000 TO-220
semiconductores transistores