4.1 Construcción del transistor BJT

4.1CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR BJT El transistor es un dispositivo semiconductor integrado por tres capas previamente construidas de material semiconductor; dos capas son de material tipo N y una capa tipo P, o pueden ser dos capas de material tipo P y una de tipo N. Al primero se le denomina transistor NPN, y al segundo se le conoce como transistor PNP. El dopado de la capa central denominada base es mucho menor que el dopado de las capas exteriores conocidas como emisor y colector (casi siempre 10:1 o menos). Este bajo nivel de dopado reduce la conductividad (incrementando la resistencia) de este material al limitar el número de portadores libres, esto será utilizado para controlar la corriente que circula entre la base y el colector.

Figura 4-1 Estructura de un transistor bipolar16

En la polarización que se muestra en la figura 4-1, las terminales se han señalado con letras mayúsculas, E para el emisor, C para el colector y B para la base.

Las siglas BJT (del inglés bipolar juntion transistor = transistor de unión bipolar) se aplican generalmente a este dispositivo de tres terminales (figura 42). El término bipolar se refiere a que los electrones y los huecos participan en el proceso de inyección en el material polarizado opuestamente. Si sólo uno de

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