Каталог «Минатек»

Технологии микроэлектроники и наноиндустрии

Каталог 2016

Компания «МИНАТЕХ» (микро и нано технологии) основана как группа компаний, осуществляющих комплексное оснащение предприятий технологическим и аналитическим оборудованием в области микроэлектроники, полупроводникового производства и исследований, нанотехнологий, а также оборудованием для обеспечения соответствующих производств, включая материалы. За прошедшие годы компании и нашим сотрудникам удалось приобрести немалый опыт сотрудничества с предприятиями и производителями высококлассного оборудования для производства и исследования в микроэлектронике и нанотехнологиях, а также в специфических областях исследований. Результатом работы стали многочисленные поставки новейшего технологического и аналитического оборудования для ведущих промышленных предприятий и институтов в России, а также подписание целого ряда дилерских соглашений с мировыми производителями полупроводникового оборудования. Компания «МИНАТЕХ» (микро и нано технологии) сегодня - это слаженно работающий профессиональный коллектив, способный выполнить задачи различной степени сложности и предложить оптимальное решение как для производственных задач, так и для сложных задач разработки и исследования. Всегда рады направить наш профессионализм и опыт для решения Ваших задач.

2

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

СОДЕРЖАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Реактивно-ионное травление (RIE) .................................................................................................................................................... 4 Плазмохимическое травление в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) .................................................................................... 5 Атомно-слоевое осаждение (ALD) ..................................................................................................................................................... 5 Плазмохимическое осаждение (PECVD, ICP-PECVD) ....................................................................................................................... 6 Плазменная очистка и активация поверхности ................................................................................................................................ 7 Вакуумное напыление ........................................................................................................................................................................ 9 Осаждение графена и углеродных нанотрубок ............................................................................................................................. 10 Эмуляция космического пространства ........................................................................................................................................... 10 Быстрые термические процессы (RTP) ............................................................................................................................................. 11 Химическое осаждение металлорганических соединений из газовой фазы (MOCVD) ................................................................ 12 SprayCVD процессы ........................................................................................................................................................................... 12 Безмасковая лазерная литография/создание фотошаблонов ....................................................................................................... 13 Контактная фотолитография ........................................................................................................................................................... 14 Центрифуги для нанесения/проявления фоторезиста ................................................................................................................... 17 Многофункциональные диффузионные печи ................................................................................................................................ 18 Горизонтальные диффузионные печи ............................................................................................................................................. 19 Горизонтальные LPCVD печи ............................................................................................................................................................ 19 Горизонтальные PECVD печи ........................................................................................................................................................... 19 Шлифовка и полировка пластин ...................................................................................................................................................... 20 Химико-механическая полировка и планаризация ........................................................................................................................ 21 Очистка пластин и фотошаблонов ................................................................................................................................................... 22

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Эллипсометрия ................................................................................................................................................................................. 23 Оптическая профилометрия ............................................................................................................................................................ 24 Стилусная профилометрия .............................................................................................................................................................. 25 Декапсуляция ................................................................................................................................................................................... 25 Оптическая микроскопия ................................................................................................................................................................. 26 Растровая электронная микроскопия .............................................................................................................................................. 27 Рентгенофлуоресцентный анализ ................................................................................................................................................... 28 Метрология пластин и тонких пленок ............................................................................................................................................. 29 Зондовый контроль .......................................................................................................................................................................... 30

ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОИЗВОДСТВА Скрубберы и системы нейтрализации технологических газов ..................................................................................................... 31 Очистка процессных газов ............................................................................................................................................................... 31 Водоподготовка ................................................................................................................................................................................ 32 Проектирование и строительство чистых помещений ................................................................................................................... 32

3

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ SENTECH Instruments GmbH (Германия) – компания занимается разработкой и производством систем плазмохимического травления (RIE, ICP-RIE), плазмохимического осаждения диэлектриков (PECVD, ICP-PECVD), атомно-слоевого осаждения (ALD, PEALD), а также систем метрологии тонких пленок (лазерные эллипсометры, спектроскопические эллипсометры, сканирующие эллипсометры, рефлектометры).

Реактивно-ионное травление (RIE) Травление полупроводников группы III-V (GaAs, InP, GaN, InSb, …), диэлектриков (SiO2, Si3N4, …), кварца, стекла, полимеров, кремния и кремниевых соединений (Si, SiC, SiGe, …), металлов (Au, Pt, Ti, Ni, …), фоторезиста и др.

Etchlab 200 / Etchlab 200-300 Бюджетная компактная система сухого плазменного травления, предназначенная для использования в НИОКР. ОПЦИИ: высокопроизводительная откачная система, лазерный интерферометр, in-situ эллипсометр, OES спектрометр, PE электрод и др. Размер подложек Температура подложки Генератор

до 8’’ (Ø 200 мм) / до 12’’ (Ø 300 мм) +10°C – +80°C 13,56 МГц, 600 Вт

Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

< 10-5 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 050(Г) × 1 400(В) мм

SI 591 Compact Компактная система сухого плазменного травления с вакуумным загрузочным шлюзом и высокопроизводительной откачной системой, предназначенная для использования в НИОКР. ОПЦИИ: insitu эллипсометр, лазерный интерферометр, OES спектрометр, PE электрод и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

до 8’’ (Ø 200 мм) +10°C – +80°C 13,56 МГц, 600 Вт < 10-5 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 050(Г) × 1 400(В) мм

SI 500 RIE Система сухого плазменного травления с вакуумным загрузочным шлюзом, высокопроизводительной откачной системой и гелиевым охлаждением обратной стороны подложки, предназначенная для использования в НИОКР и мелкосерийном производстве. ОПЦИИ: in-situ эллипсометр, лазерный интерферометр, OES спектрометр и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

4

до 8’’ (Ø 200 мм) -30°C – +250°C 13,56 МГц, 600 Вт < 10-6 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 850(Г) × 1 300(В) мм

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Плазмохимическое травление в индуктивно-связанной плазме (ICP-RIE) SI 500 / SI 500-300 Продвинутая система плазменного травления в индуктивно-связанной плазме с вакуумным загрузочным шлюзом, высокопроизводительной откачной системой и гелиевым охлаждением обратной стороны подложки, предназначенная для использования в НИОКР и мелкосерийном производстве. ОПЦИИ: in-situ эллипсометр, лазерный интерферометр, OES спектрометр, кластерная конфигурация. Размер подложек Температура подложки Генератор Генератор ИСП Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

до 8’‘ (Ø 200 мм) / до 12’‘ (Ø 300 мм) -30°C – +250°C 13,56 МГц, 600 Вт 13,56 МГц, 1 200 Вт < 10-6 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 850(Г) × 1 460(В) мм / 810(Ш) × 2 450(Г) × 1 550(В) мм

SI 500 C Система криогенного плазменного травления в индуктивно-связанной плазме с вакуумным загрузочным шлюзом, высокопроизводительной откачной системой и криогенным (охлаждаемым жидким азотом) электродом, предназначенная для использования в НИОКР и мелкосерийном производстве. ОПЦИИ: in-situ эллипсометр, лазерный интерферометр, OES спектрометр и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Генератор ИСП Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

до 8’‘ (Ø 200 мм) -150°C – +200°C 13,56 МГц, 600 Вт 13,56 МГц, 1 200 Вт < 10-6 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 850(Г) × 1 550(В) мм

Атомно-слоевое осаждение (ALD) SI ALD Осаждение ультратонких пленок (оксидов: SiO2, Al2O3, TiO2, HfO2, ZrO2, ZnO, нитридов: SiNx, AlN, TiN, металлов: Pt, Ag, Al, Ni, Cu) с высокой однородностью. Высокоточный контроль толщины и свойств получаемых пленок обеспечивается добавлением прекурсоров в вакуумную камеру отдельными циклами в процессе осаждения. ОПЦИИ: плазменный источник для проведения PEALD процессов, высокоскоростной in-situ эллипсометр, OES спектрометр и др. Размер подложек Температура подложки Газовые линии/линии прекурсоров Нагрев стенок реактора Нагрев линий прекурсоров

до 8’‘ (Ø 200 мм) до 500°C до 7 шт / до 4 шт до 150°C до 200°C

5

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Плазмохимическое осаждение (PECVD, ICP-PECVD) Осаждение SiOx, SiOxNy, SiNy, a-Si. Depolab 200 Бюджетная компактная система плазменного осаждения диэлектриков, предназначенная для использования в НИОКР. ОПЦИИ: LF генератор, in-situ эллипсометр, OES спектрометр и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Вакуум Газовые линии с РРГ Габариты размещения на полу

до 8’‘ (Ø 200 мм) до 400°C 13,56 МГц, 300 Вт < 10-5 мбар до 16 шт 635(Ш) × 1 250(Г) мм

SI 500 PPD Система плазменного осаждения диэлектриков с вакуумным загрузочным шлюзом и высокопроизводительной откачной системой, предназначенная для использования в НИОКР и мелкосерийном производстве. ОПЦИИ: LF генератор, in-situ эллипсометр, OES спектрометр, осаждение с жидких прекурсоров (TEOS, HMDS) и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

до 8’‘ (Ø 200 мм) +20°C – +350°C 13,56 МГц, 600 Вт < 10-6 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 850(Г) × 1 440(В) мм

SI 500 D Продвинутая система плазменного осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме с вакуумным загрузочным шлюзом, высокопроизводительной откачной системой и гелиевым охлаждением обратной стороны подложки, предназначенная для использования в НИОКР и мелкосерийном производстве. ОПЦИИ: in-situ эллипсометр, OES спектрометр, осаждение с жидких прекурсоров (TEOS, HMDS) и др. Размер подложек Температура подложки Генератор Генератор ИСП Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса реактора

6

до 8’‘ (Ø 200 мм) +20°C – +400°C 13,56 МГц, 1 200 Вт 13,56 МГц, 1 200 Вт < 10-6 мбар до 16 шт 655(Ш) × 1 047(Г) × 1 460(В) мм

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Diener electronic GmbH + Co. KG (Германия) – компания разрабатывает и производит системы плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности и готова сконфигурировать установки под нужды заказчика благодаря широкому выбору дополнительных комплектующих и опций.

Очистка поверхностей Поверхность очищается с помощью ионной бомбардировки физически и, в зависимости от выбранного газа, химически в результате происходящей реакции. Загрязняющие вещества переходят в газовую фазу и откачиваются насосом.

• Удаление жиров, масел, окислов и силиконов (освобожденных от LABS); • Предварительная обработка перед микросваркой, пайкой или склеиванием; • Предварительная обработка металлических частей перед нанесением лакового покрытия.

Активация поверхностей Поверхность изделий из пластмассы подвергается плазменной обработке с помощью кислорода. В процессе обработки образуются свободные радикалы, позволяющие надёжно удерживать лаковые или клеящие покрытия на поверхности.

• Предварительная обработка пластмассовых деталей перед склеиванием; • Предварительная обработка пластмассовых деталей перед нанесением лакового покрытия; • Предварительная обработка перед нанесением печати.

Обработка поверхности пластикового изделия на установке PlasmaBeam

Травление поверхностей Процесс травления поверхности производится с помощью активированного газа. Материал поверхности в месте травления переходит в газовую фазу и откачивается насосом. Площадь поверхности и коэффициент смачиваемости увеличиваются.

• Структурирование кремния; • Надежное закрепление лаковых и клеящих покрытий на устойчивые к высоким температурам пластмассы – ПТФЭ, ПФА и ФЕП.

Поверхность ПТФЭ до плазменной обработки

Поверхность ПТФЭ после плазменной обработки

Плазма низкого давления Atto – low-cost Размер камеры Объем камеры Генератор Вакуумный насос Размер корпуса

Ø 211 × 300 мм длиной ~ 10,5 л 40 кГц, 200 Вт или 13,56 МГц, 50 Вт 2 м3/ч 425(Ш) × 450(Г) × 275(В) мм

7

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

Femto Размер камеры Объем камеры Генератор Вакуумный насос Размер корпуса

Ø 100 × 270 мм длиной ~2л 40 кГц, 100 Вт 5 м3/ч 345(Ш) × 420(Г) × 220(В) мм

Pico Ø 150 × 320 мм длиной ~5л 40 кГц, 200 Вт 5 м3/ч 550(Ш) × 500(Г) × 330(В) мм

Nano Ø 267 × 420 мм длиной ~ 24 л 40 кГц, 300 Вт 8 м3/ч 580(Ш) × 600(Г) × 650(В) мм

Установки конфигурируются согласно требованиям заказчика. ОПЦИИ: • • • • • • • • • •

Размер камеры Объем камеры Генератор Вакуумный насос Размер корпуса

Генератор частоты 13,56 МГц; Генератор частоты 2,45 ГГц; Камера из кварцевого или боросиликатного стекла; Нагреваемая камера; Камера Фарадея для обработки электропроводных деталей; Многоярусный электрод; Вращающийся барабан для работы с сыпучими материалами; Приборы для измерения давления; Модификация для работы с коррозионными газами; Различные варианты управления (полуавтоматическое, автоматическое, управление с ПК).

Tetra-30

Tetra-100

Tetra-150

305(Ш) × 300(В) × 370(Г) мм ~ 34 л 40 кГц, 1 000 Вт 16 м3/ч 600(Ш) × 650(Г) × 2 200(В) мм

400(Ш) × 625(В) × 400(Г) мм ~ 100 л 40 кГц, 2 500 Вт 40 м3/ч 600(Ш) × 800(Г) × 2 200(В) мм

400(Ш) × 625(В) × 600(Г) мм ~ 150 л 40 кГц, 2 500 Вт 65 м3/ч 1 000(Ш) × 1 000(Г) × 2 100(В)

Плазма атмосферного давления PlasmaBeam Установка позволяет проводить процесс тонкой очистки и активации поверхности отдельной части изделия. Для создания плазмы в воздухе используется высоковольтный разряд. Плазма и струя очищенного воздуха подаются из сопла на конце шланга. Возможно управление соплом как вручную, так и с помощью роботизированного манипулятора в случае использования на производственной линии. Генератор Размер сопла Длина кабеля Ширина поля обработки Размер корпуса

8

20 кГц, 300 Вт Ø 32 × 270 мм длиной 3м макс. 12 мм 562(Ш) × 420(Г) × 211(В) мм +7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Angstrom Engineering Inc. (Канада) – компания разрабатывает и производит системы плазменного травления, плазменной очистки и активации поверхности и готова сконфигурировать установки под нужды заказчика благодаря широкому выбору дополнительных комплектующих и опций.

Вакуумное напыление Напыление металлов (Al, Au, Cu, Cr, Ni, V, Ti, …), сплавов (NiCr, CrNiSi, …), химических соединений (силициды, оксиды, бориды, карбиды, …), стекол сложного состава (Al2O3, B2O3, …), керметов и др.

Covap II Компактное экономичное решение для проведения множества процессов осаждения. Установка конфигурируется устройством с обратной связью для управления процессами соосаждения, системой хранения рецептов и уникальной складной камерой для улучшенного доступа. Конструкция готова к интегрированию в перчаточный бокс. ПРОЦЕССЫ: • резистивное термическое испарение; • магнетронное напыление. Размер подложек Размеры откидной камеры Габариты размещения на полу

до 4’‘ (Ø 100 мм) Ø 300 × 365 мм высотой 600 × 1 000 мм

Nexdep Система может быть сконфигурирована согласно требованиям заказчика компактного размера и по экономичной цене. ПРОЦЕССЫ: • • • •

резистивное термическое испарение; магнетронное напыление; электронно-лучевое испарение; ионное ассистирование.

Размер подложек Размеры камеры Габариты размещения на полу

до 8’‘ (Ø 200 мм) 406(Ш) × 406(Г) × 508(В) мм 600 × 1 000 мм

Åmod Флагманская линейка моделей сконструирована для удовлетворения самых продвинутых требований к процессам напыления тонких пленок. Управление с ПК. Камера из алюминия или нержавеющей стали. Конструкция готова к интегрированию в перчаточный бокс. ПРОЦЕССЫ: • • • •

резистивное термическое испарение; магнетронное напыление; электронно-лучевое испарение; ионное ассистирование.

Размер подложек Размеры камеры Габариты размещения на полу

до 12’‘ (Ø 300 мм) 475(Ш) × 475(Г) × 500(В) мм 1 600 × 1 000 мм

9

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ EvoVac Система имеет наибольшие возможности конфигурирования и за счет увеличения размера камеры позволяет устанавливать большее количество источников. Управление с ПК. Камера из алюминия или нержавеющей стали. Конструкция готова к интегрированию в перчаточный бокс. ПРОЦЕССЫ: • • • •

резистивное термическое испарение; магнетронное напыление; электронно-лучевое испарение; ионное ассистирование.

Размер подложек Размеры камеры Габариты размещения на полу

до 12’‘ (Ø 300 мм) 660(Ш) × 660(Г) × 500(В) мм 1 600 × 1 000 мм

Осаждение графена и углеродных нанотрубок LPCVD Осаждение графена, углеродных нанотрубок, 2D кристаллов. До 12 газовых линий с контролем массового расхода. Безопасная конструкция и дизайн с полностью закрытым кабинетом. Размер подложек Контроль температуры процесса Быстрый нагрев Быстрое охлаждение Диаметр кварцевой камеры Контроль давления

до 150 × 150 мм Tкомнатная – 1 100°C от Tкомнатная до 1 100°C за 10 мин от 1 100°C до 800°C за 2 мин Ø 50 – Ø 200 мм (размер по запросу) 0,1 – 500 Торр

Эмуляция космического пространства Технология моделирования космического пространства нацелена на создание в лаборатории условий космического пространства для проведения испытаний компонентов, которые в конечном итоге будут отправлены в космос. Контроль давления и температуры – два ключевых параметра требуемые для симуляции космического пространства. Для достижения этих условий компания Angstrom Engineering разработала камеру в которой можно достичь параметров вакуума космического пространства с помощью криогенных и турбомолекулярных насосов в сочетании с механическими форвакуумными насосами. Система контроля температуры включает комбинацию нагревателей и охладителей поверхности наряду с использованием солнечных селективных покрытий для поглощения избытка излучения и удаления его из системы. Диапазон температуры камеры зависит от метода нагрева и охлаждения (обычно в диапазоне от -60°C до +120°C).

10

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ

ANNEALSYS

ANNEALSYS (Франция) – компания разработчик и производитель высококачественных систем быстрого термического отжига (RTA), быстрого термического окисления (RTO), химического осаждения из газовой фазы (SprayCVD, MOCVD, LPCVD). Компания производит установки, как для исследований, так и для мелкосерийного производства.

Быстрые термические процессы (RTP) Быстрый термический отжиг (RTA), быстрое термическое окисление (RTO), диффузия, послеимплантационный отжиг, отжиг соединений полупроводников, кристаллизация, сгущение, сульфуризация, селенизация, нитридизация, силицидирование.

AS-Micro Бюджетная настольная RTP система для НИОКР. Система может быть сконфигурирована с двумя камерами для предотвращения перекрестного загрязнения. Размер подложек Размер камеры Кол-во ИК ламп/мощность Температурный диапазон Скорость нагрева пластин Ø 50 мм Скорость нагрева пластин Ø 76 мм Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса

до 3’‘ (Ø 76 мм) Ø 85 мм × 250 мм длиной 6 шт / 15 кВ Tкомнатная – 1 250°C до 250°C/сек до 200°C/сек атм. (н.у.) – 10-2 Торр (10-6 Торр) до 3 шт 700(Ш) × 700(Г) × 700(В) мм

Универсальная RTP система с технологией холодных стенок для лабораторных исследований и НИОКР.

AS-One 100 Размер подложек Размер камеры Кол-во ИК ламп/ мощность Температурный диапазон Скорость нагрева Вакуум Скорость охлаждения Газовые линии с РРГ Размер корпуса

AS-One 150

до 4’‘ (Ø 100 мм) до 6’‘( Ø 150 мм) Ø 130 мм × 25 мм Ø 200 мм × 25 мм 12 шт / 30 кВ 18 шт / 34 кВ Tкомнатная – 1 450°C Tкомнатная – 1 300°C до 200°C/сек до 150°C/сек атм. (н.у.) – 10-6 Торр до 100°C/сек до 5 шт 510(Ш) × 800(Г) × 1 425(В) мм

AS-Master Универсальная RTP система с возможностью проведения RTCVD процессов (poly-Si, SiO2, SiNx, …) для НИОКР и мелкосерийного производства. Ручная или кассетная загрузка пластин. Размер подложек Размер камеры Кол-во ИК ламп/мощность Температурный диапазон Скорость нагрева Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса с ручной загрузкой Размер корпуса с кассетной загрузкой

до 8’‘ (Ø 200 мм) Ø 300 мм × 30 мм высотой 20 – 32 шт / 75 – 102 кВ Tкомнатная – 1 450°C до 200°C/сек атм. (н.у.) – 10-7 Торр до 6 шт 1 100(Ш) × 1 550(Г) × 2 500(В) мм 1 100(Ш) × 2 170(Г) × 2 500(В) мм

11

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Химическое осаждение металлорганических соединений из газовой фазы (MOCVD) Осаждение полупроводников (SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN), нитридов и сплавов (GaN, AlN, GaAs, GaAsN, …), диэлектриков с высоким k (SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)), ферроэлектриков (SBT, SBTN, PLZT, PZT, …), сверхпроводников (YBCO, Bi-2223, Bi2212, Tl-1223, …) пьезоэлектриков ((Pb, Sr)(Zr, Ti)O3, модифицированный титанат свинца), термические покрытия, механические покрытия, буфферные слои.

MC050 Размер подложек Температурный диапазон Скорость нагрева Вакуум Газовые линии с РРГ Испарители Размер корпуса

до 2’‘ (Ø 50 мм) Tкомнатная – 1 200°C

MC100

MC200

до 4’‘ (Ø 100 мм)

до 8’‘ (Ø 200 мм) Tкомнатная – 850°C

до 200°C/сек атм. (н.у.) – 10-3 Торр (10-6 Торр опционально) до 8 шт до 4 шт 955(Ш) × 1 604(Г) × 1 100(Ш) × 1 450(Г) × 1 405(Ш) × 1 504(Г) × 1 812(В) мм 2 000(В) мм 2 200(В) мм

SprayCVD процессы SprayCVD-050 Осаждение солнечных элементов (SnO2, ZnO, TiO2, In2O3, …), электрооптических покрытий (NiO, Co3O4, …), электрохромовых покрытий (WO3, …), каталитических активных покрытий (NiCo2O4, …), полупроводников (Nb2O5, …), сверхпроводников (YBCO, …), твердооксидных топливных элементов (ZrO2, YSZ, GCO, …), изолирующих барьерных слоев (MgO, …). Размер подложек Температурный диапазон Скорость нагрева Вакуум Газовые линии с РРГ Размер корпуса

12

до 2’‘ (Ø 50 мм) Tкомнатная – 1 200°C до 50°C/сек атм. (н.у.) – 10-3 Торр (10-6 Торр опционально) до 3 шт 700(Ш) × 700(Г) × 700(В) мм +7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) – компания является неоспоримым и признанным мировым лидером в разработке систем безмасковой лазерной литографии с непосредственным формированием изображения.

Системы безмасковой лазерной литографии для лабораторных исследований, ниокр и мелкосерийного производства Формирование топологических структур на металлизированных пластинах при производстве фотошаблонов, интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также формирование микроструктур на пластинах кремния, стекле, пленках и других материалах с фоторезистивным покрытием при производстве МЭМС, биоМЭМС, интегрированной оптики и других приборов требующих высокой точности. µPG 101 Размер подложек Режим получения изображения Шаг адресной сетки, нм Минимальный размер элемента, мкм Скорость экспонирования, мм2/мин Неровность края, 3σ, нм Однородность минимального размера элемента, 3σ, нм Точность совмещения, 3σ, нм

I 40 0,9 5 120

до 6’’ × 6’’ II 100 2,5 35 200

III 200 5 90 400

200

400

800

200

400

800

DWL 66+ Размер подложек Режим получения изображения Шаг адресной сетки, нм Минимальный размер элемента, мкм Скорость экспонирования, мм2/мин Неровность края, 3σ, нм Однородность минимального размера элемента, 3σ, нм Точность совмещения, 3σ, нм

I 10 0,6 6 50

II 20 0,8 25 70

до 200 × 200 мм2 III 25 1 39 80

IV 100 4 500 160

V 200 7 1000 240

60

80

100

250

500

100

120

150

400

800

13

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Cистемы безмасковой лазерной литографии для серийного производства DWL 2000 / DWL 4000 Размер подложек Режим получения изображения Шаг адресной сетки, нм Минимальный размер элемента, мкм Скорость экспонирования, мм2/мин Неровность края, 3σ, нм Однородность минимального размера элемента, 3σ, нм Точность совмещения, 3σ, нм

I 5 0,5 29 40

до 400 × 400 мм2 II III 10 12,5 0,7 0,8 110 170 50 60

IV 25 1,3 340 80

60

80

90

120

40

60

80

100

I 12,5 0,75

до 400 × 400 мм2 II III 25 50 1 2

IV 100 4

300

1050

3450

10000

320

1200

4200

13500

40

50

70

150

65

75

110

300

250

300

400

500

VPG 200 / VPG 400 Размер подложек Режим получения изображения Шаг адресной сетки, нм Минимальный размер элемента, мкм Скорость экспонирования VPG 200, мм2/мин Скорость экспонирования VPG 400, мм2/мин Неровность края, 3σ, нм Однородность минимального размера элемента, 3σ, нм Точность совмещения, 3σ, нм

Специальные системы Системы произвольной формы Для литографической обработки непланарных поверхностей, таких, как линзы, компания Heidelberg Instruments, в сотрудничестве с институтом прикладной оптики и точного машиностроения Фраунгофера (IOF), разработала систему безмасковой литографии, которая может осуществлять запись на подложках свободной формы, с вогнутой и выпуклой поверхностями. Этот инструмент работает в шкале серого, и может записывать структуры до 1 мкм, что позволяет создавать сложные микро-оптические детали и гибриды, объединяющие в себе преломляющие и дифракционные элементы. Системы литографии в глубоком ультрафиолете В наших стандартных системах установлены лазерные источники в диапазоне от 355 нм до 532 нм, что позволяет экспонировать все стандартные УФ фоторезисты. Однако для особых задач требуются резисты, чувствительные к более короткой длине волны. В то же время, более короткая длина волны позволяет создавать элементы меньшего размера. Именно поэтому компания Heidelberg Instruments разработала системы литографии в глубоком ультрафиолете, с лазерным источником 244 нм, который позволяет записывать изолированные структуры до 200 нм, линии и расстояния с периодичностью 500 нм.

14

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Установки безмаскового совмещения и экспонирования MLA 100 Предназначена для решения задач, не требующих очень высокой производительности - лабораторные исследования, НИОКР, опытное производство и др. Высокая производительность, малая занимаемая площадь, низкая стоимость использования. Размер подложек Минимальный топологический размер, мкм Область экспонирования, мм2 Скорость экспонирования, мм2/мин Точность совмещения (50х50 мм2), 3σ, нм Время экспонирования области 100 х 100 мм2, мин

до 6” × 6” 1 100 х 100 50 1000 200

MLA 150 Новое поколение систем прямого экспонирования - установка объединяет в себе легкость использования и высокую точность совмещения и высокую производительность. Предназначена для решения задач, требующих высокой производительности в производстве, а также для задач исследования, НИОКР. Размер подложек Минимальный топологический размер, мкм Область экспонирования, мм2 Точность совмещения (100х100 мм2), 3σ, нм Время экспонирования области 100 х 100 мм2, мин Обратное совмещение (BSA) Возможность установки двух источников

до 9” × 9” 1 150 х 150 500 9 опция 375 нм и 405 нм

15

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ MIDAS SYSTEM Co., Ltd. (Корея) – компания один из мировых лидеров в производстве систем фотолитографии. Компания предлагает системы совмещения и экспонирования, а также центрифуги для нанесения и проявления фоторезиста.

Системы совмещения и экспонирования с ручным управлением MDA-400M и MDA-400M-6 Установка широко применяется в технологии изготовления МЭМС, LED, полупроводников и др. Идеальный и экономичный вариант для использования в лабораториях, научных центрах и для малых объемов производства. Ручное совмещение и автоматическое экспонирование. Размер подложек Размер маски Мощность УФ лампы Разрешение (фоторезист 1 мкм на Si подложке) Точность совмещения Однородность пучка излучения Размер однородного пучка излучения Длина волны излучения Интенсивность излучения (при 365 нм) Размер корпуса с антивибрационным столом

до 4’‘ (Ø 100 мм) и 6’‘ (Ø 150 мм) до 5’‘ × 5’‘ и до ‘‘7’‘ × 7’‘ 350 Вт 1 мкм < 1 мкм ≤ 3% 4,25’‘ × 4,25’‘, 6,25’‘ × 6,25’‘ 350 – 450 нм макс. 30 мВт/см2 1 080(Ш) × 1 060(Г) × 1 580(В) мм

Полуавтоматические системы совмещения и экспонирования Установки применяются в технологии изготовления МЭМС, оптоэлектроники, FPD панелей, ВЧ устройств, flip chip устройств, LED и в других технологиях требующих высокой точности совмещения. Моторизованное перемещение столика по оси Z и по углу θ при совмещении и фокусировке, автоматическое экспонирование.

MDA-600S Размер подложек Размер маски Мощность УФ лампы Разрешение (фоторезист 1 мкм на Si подложке) Точность совмещения Однородность пучка излучения Размер однородного пучка излучения Длина волны излучения Интенсивность излучения (при 365 нм) Размер корпуса

до 6’‘ (Ø 150 мм) до 7’‘ × 7’‘ 350 Вт 1 мкм < 1 мкм ≤ 5% 6,25’‘ × 6,25’‘ 350 – 450 нм макс. 25 мВт/см2 900(Ш) × 1 000(Г) × 1 600(В) мм

MDA-60MS Размер подложек Размер маски Мощность УФ лампы Разрешение (фоторезист 1 мкм на Si подложке) Точность совмещения Однородность пучка излучения Размер однородного пучка излучения Длина волны излучения Интенсивность излучения (при 365 нм) Размер корпуса

16

до 8’‘ (Ø 200 мм) до 9’‘ × 9’‘ 1 кВт 1 мкм < 1 мкм ≤ 5% 9,25’‘ × 9,25’‘ 350 – 450 нм макс. 25 мВт/см2 1 100(Ш) × 1 400(Г) × 1 600(В) мм +7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Автоматические системы совмещения и экспонирования MDA-40FA Новая модель, представляющая новое поколение полностью автоматических систем литографии. Идеальное решение для технологий требующих высокой точности совмещения. Полностью автоматическое совмещение и экспонирование. Размер подложек Размер маски Мощность УФ лампы Разрешение (фоторезист 1 мкм на Si подложке) Точность совмещения Однородность пучка излучения Размер однородного пучка излучения Длина волны излучения Интенсивность излучения (при 365 нм) Размер корпуса

до 6’‘ (Ø 150 мм) 7’‘ × 7’‘ 350 Вт 1 мкм < 1 мкм ≤ 3% 6,25’‘ × 6,25’‘ 350 – 450 нм макс. 25 мВт/см2 1 427(Ш) × 1 400(Г) × 2 267(В) мм

Центрифуги с ручным дозированием фоторезиста Нанесение фоторезиста, полиимидов, лаков, металлоорганики, легирующих примесей, большинства органических веществ и жидкостей. Подача химикатов осуществляется вручную с помощью мерного шприца.

SPIN-1200T Размер подложек Скорость вращения Ускорение Управление Размер чаши Размер корпуса

до 4’‘ (опционально до 6”) макс. 10 000 об/мин макс. 1 000 (об/мин)/cек 50 рецептов × 50 шагов 8’‘ (ацеталь) 230(Ш) × 340(Г) × 260(В) мм

SPIN-3000D

SPIN-3000A

до 6’‘ макс. 8 000 об/мин макс. 1 000 (об/мин)/cек 20 рецептов × 50 шагов 12’‘ (нержавеющая сталь) 390(Ш) × 570(Г) × 280(В) мм

до 8’‘ макс. 8 000 об/мин макс. 1 000 (об/мин)/cек 10 рецептов × 50 шагов 12’‘ (нержавеющая сталь) 390(Ш) × 570(Г) × 400(В) мм

Центрифуги с автоматическим дозированием фоторезиста/проявителя Центрифуга SPIN-4000A производства MIDAS SYSTEM (Корея) для нанесения/проявления фоторезиста или сушки с автоматическим дозированием фоторезиста или проявителя и программатором (touch screen дисплей) для управления процессом, создания рецептов.

SPIN-4000A Применение Размер подложек Скорость вращения Ускорение Управление Материал столика Размер корпуса

Нанесение фоторезиста / Проявление фоторезиста до 12’‘ (Ø 300 мм) макс. 5 000 об/мин Задается оператором 20 рецептов × 20 шагов Анодированный алюминий 650(Ш) × 945(Г) × 1200(В) мм

17

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ATV Technologie GmbH (Германия) – компания разработчик и производитель лабораторных настольных диффузионных печей групповой термической обработки пластин для производства полупроводниковых приборов и солнечных элементов.

T E C HNOL OG IE

G M B H

Microelectronic equipment • development, manufacturing and sales

Групповая термическая обработка пластин (многофункциональные диффузионные печи) Осаждение Si3N4, poly-Si, эпитаксия, термическое (сухое, мокрое) окисление SiO2, диффузия, процессы TEOS, POCl3, TCA, выращивание графитовых нанотрубок, осаждение молекулярных слоев, термический отжиг, отверждение полиимида, получение сплавов SiAu, SiAl, SiMo, прокаливание диэлектриков, пластин после ионной имплантации, нанесение контактов на пластины в среде азота/паров уксусной кислоты, металлизация без флюса, вжигание толстых пленок, спекание стекла.

PEO-601 Диаметр кварцевой камеры Максимальная загрузка круглых подложек Максимальная загрузка квадратных подложек Максимальная температура процесса Количество нагревательных элементов/мощность Вакуум Размер корпуса

Ø 112 мм 40 шт (Ø 100 мм) 40 шт (2’‘ × 2’‘), 10 шт (4’‘ × 4’‘) 1 100°C 6 шт / 1 кВт каждый 5 × 10-2 мбар 710(Ш) × 460(Г) × 650(В) мм

PEO-603 Диаметр кварцевой камеры Макс. загрузка круглых подложек Макс. загрузка квадратных подложек Макс. температура процесса Кол-во нагревательных элементов/мощность Вакуум Размер корпуса

Ø 230 мм 60 шт (Ø 200 мм) 400 шт (2’‘ × 2’‘), 120 шт (4’‘ × 4’‘) 1 100°C 12 шт / 1,6 кВт каждый 5 × 10-6 мбар 1 000(Ш) × 800(Г) × 710(В) мм

PEO-604 Диаметр кварцевой камеры Максимальная загрузка круглых подложек Максимальная загрузка квадратных подложек Максимальная температура процесса Количество нагревательных элементов/мощность Вакуум Размер корпуса

Ø 230 мм 60 шт (Ø 200 мм) 400 шт (2’‘ × 2’‘), 120 шт (4’‘ × 4’‘) 1 100°C (больше по запросу) 12 шт / 1,6 кВт каждый 5 × 10-6 мбар 800(Ш) × 1 400(Г) × 1 900(В) мм

PEO-612 Диаметр кварцевой камеры Макс. загрузка круглых подложек Максимальная загрузка квадратных подложек Максимальная температура процесса Количество нагревательных элементов/мощность Вакуум Размер корпуса

18

Ø 336 мм 60 шт (Ø 200 мм), 30 шт (Ø 300 мм) количество зависит от размера 1 100°C (больше по запросу) 24 шт / 1,6 кВт каждый 5 × 10-6 мбар 1 000(Ш) × 1 400(Г) × 1 900(В) мм

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ SVCS Process Innovation s.r.o. (Чехия) – компания является разработчиком и производителем термодиффузионного и газового оборудования, используемых в процессе производства полупроводниковых приборов, МЭМС и фотоэлектрических преобразователей.

Горизонтальные диффузионные печи Конструкция печей компании SVCS сочетает в себе различные варианты построения оборудования. В зависимости от нужд заказчика, это могут быть как системы максимальной производительности (SVFUR-FP), так и системы, обеспечивающие высокую гибкость технологических процессов при малых объемах производства, для использования в научных исследованиях и опытно-промышленном производстве (SVFUR-RD). Серия SVFUR представляет собой простые в обслуживании, безопасные и надежные технологические платформы. Диффузия (высокотемпературные процессы), легирование из твердых, жидких и газообразных источников (например: BBr3, B2H6, POCL3, PH3, BN), термические процессы (отжиг, вжигание и т.п.), влажное окисление, сухое окисление, HiPOx окисление при повышенном давлении, использование DCE (TCA) или HCl для всех процессов. Размер пластин Загрузка подложек Система нагрева Рабочая зона Температура процесса Равномерность температуры

6’‘ (Ø 150 мм), 8’‘ (Ø 200 мм), 12’‘ (Ø 300 мм), другие размеры по запросу FP: 100 шт и более, RD: 25 шт 3- или 5-зонная FP: до 1 067 мм, RD: от 300 мм 200°C – 1 300°C ± 0,5°С по длине

Горизонтальные lpcvd печи Нитрид кремния, низкотемпературный оксид (LTO), высокотемпературный оксид (HTO), TEOS, поликремний с наклонным и плоским температурным профилем, легированный поликремний, оксинитрид. Размер подложек Загрузка подложек Система нагрева Рабочая зона Температура процесса Равномерность температуры

6’‘ (Ø 150 мм), 8’‘ (Ø 200 мм), другие размеры по запросу FP: 100 шт и более, RD: 25 шт 3- или 5-зонная FP: до 1 067 мм, RD: от 300 мм 200°C – 1 200°C ± 0,5°С по длине

Горизонтальные pecvd печи Нитрид кремния (включая антиотражающее покрытие солнечных элементов), оксид кремния, оксинитрид. Размер подложек Загрузка подложек Система нагрева Рабочая зона Температура процесса Равномерность температуры

6’‘ (Ø 150 мм), 8’‘ (Ø 200 мм), другие размеры по запросу FP: 120 шт и более, RD: 25 шт 3- или 5-зонная FP: до 1 067 мм, RD: от 300 мм 200°C – 800°C ± 0,5°С по длине

19

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Lapmaster Wolters GmbH (бывш. PETER WOLTERS GmbH) (Германия) – компания производит и предлагает самый широкий диапазон станков для высокоточной обработки материалов шлифованием и полированием как для машиностроения, так и для полупроводниковой промышленности.

Станки односторонней шлифовки и полировки пластин 3R / 4R Серия однодисковых станков односторонней шлифовки и полировки пластин. Обработка средних и больших образцов в серийном производстве. Станки предлагаются с опциями: регулирование частоты вращения, пневматическая загрузочная система и охлаждение шлифовального диска.

3

3

381

610

181/146

286/248

0,75

2,2

3R-900 4R-900 3 4 914 420/368 365/306 5,5

0 – 80

0 – 60

0 – 40

0 – 31

3,5 620(Ш) × 800(Г) × 500(В)

15 950(Ш) × 1 230(Г) × 1 000(В)

15 1 400(Ш) × 1 600(Г) × 1 000(В)

50 1 750(Ш) × 1 750(Г) × 1 000(В)

Модель Количество обрабатывающих колец, шт Диаметр диска, мм Внешний/внутренний диаметр кольца, мм Мощность двигателя, кВт Скорость вращения диска, об/ мин Размер бака, л Размер корпуса, мм

3R-380

3R-600

3R-1200 4R-1200 3 4 1200 545/480 500/435 7,5

Станки двухсторонней шлифовки и полировки пластин AC microLine Серия станков высокоточной двухсторонней шлифовки и полировки пластин. Обработка образцов различной формы (круглые, прямоугольные или нестандартной формы). Обработка, как всей поверхности образца, так и отдельных сегментов или участков поверхности. Идеальное решение для обработки тонких и хрупких образцов, таких как стекло, полупроводниковые пластины: кремниевые пластины, пластины из структур AIIIBV (GaAs, GaN, …), пластины из сапфира, керамики и др. Модель AC 535 Модификация* F L, P Диаметры дисков, мм 640/534 Расстояние между внутренним и 150 внешним венцом, мм Максимальное рабочее давление, 500 / 800 даН Мощность привода верхнего и 5,5/9,5 3,5/3,5 нижнего диска, кВт Скорость вращения привода 175 /320 100 верхнего и нижнего диска, об/мин Мощность привода внутреннего 1,5 венца, кВт Скорость вращения внутреннего 100 венца, об/мин 1 900(Ш) × 2 100(Г) Размер корпуса, мм × 1 500(В) Максимальная высота образца, мм 50

AC 700 F L, P 720/740/760

AC 1000 F 1050

200/220/240

290

1000

1500

7,5

7,5

26

0-120

0 - 120

150

1,5

6

0-60

90

2 200(Ш) × 2 800(Г) × 2 500(В) 75

2 400(Ш) × 2 325(Г) × 3 355(В) 100

* F – тонкое шлифование, L – притирка/доводка, P – полирование

20

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Alpsitec (Франция) – является компанией разработчиком и производителем полупроводникового оборудования и технологий. Основной деятельностью является проектирование, производство и монтаж машин для химической механической планаризации кремниевых пластин. Машины хорошо известны и пользуются отличной репутацией у наших клиентов: университеты, научно-исследовательских институтов и промышленных потребителей.

Установка химико-механической полировки и планаризации

Е460 Е Установка разработана для полировки и планаризации пластин диаметром от 2” до 8”. Новая технология держателя позволяет обрабатывать образцы меньших размеров: 1”, 10х10 мм, ¼ пластины. Модель Е460 оптимально использовать для исследований и разработок, НИОКР, для малых производств, требующих гибкости оборудования. Дизайн установки позволяет быструю смену оснастки (≈2 мин). Опции: • • • • • •

до 4 линий подачи суспензии; столик с Ø615 мм; держатели для нескольких образцов; регулировка температуры; контроль окончанием процесса; обнаружение протекания.

Диаметр столика, мм Количество шагов в процессе, шт. Электропитание, В Мощность двигателя (голова/ столик), кВт Размер корпуса, мм

Ø460 или Ø480 10 и более 220-380 (3 фазы) 0,37/2,2 850 х 1353 х 2062

Установка химико-механической полировки и планаризации Е400 Е Установка разработана для полировки и планаризации пластин диаметром от 1” до 4”. Новая технология держателя позволяет обрабатывать образцы меньших размеров: 1”, 10х10 мм, ¼ пластины. Модель Е400 Е оптимально использовать для исследований и разработок, для исследования новых материалов. Дизайн установки позволяет быструю смену оснастки (≈2 мин). Опции: • • • •

до двух линий подачи суспензии; управление скоростью и направление головы и столика; задание области качания; держатели для различных типов и размеров пластин.

Диаметр столика, мм Количество шагов в процессе, шт. Электропитание, В Мощность двигателя (голова/ столик), кВт Размер корпуса, мм

До Ø400 10 220 (1 фаза) 0,37/2,2 850 х 920 х 740

21

ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ NANO-MASTER, Inc. (США) – компания предлагает системы по очистке пластин, фотошаблонов и больNANO-MASTER, Inc. ших подложек. Ультразвуковая очистка, химическая очистка, щеточная очистка и сушка в одном процессе.

Очистка пластин и фотошаблонов • Очистка подложек с нанесенными/ненанесенными элементами; • Очистка после травления и снятия фоторезиста; • Очистка после процесса подготовки к бондингу; • Очистка фотошаблонов с покрытием; • Очистка керамических подложек с отверстиями лазерного сверлильного устройства;

• • • • • • •

Очистка оптических линз; Очистка пластин Si, Ge, GaAs, InP; Очистка пластин после CMP; Очистка после полировки; Очистка X-ray, EUV фотошаблонов; Очистка дисплеев с ITO покрытием; Ультразвуковая очистка для процесса обратной литографии.

SWC-3000 Настольная установка. Ультразвуковая очистка без повреждений и сушка вращением c азотом. Микропроцессор для управления. ИК лампа. ОПЦИИ: очистка щеткой, очистка химикатами, N2 ионизатор. Обработка круглых пластин Обработка квадратных подложек Размер корпуса

до 12’‘ (Ø 300 мм) до 9’‘ × 9’‘ 476(Ш) × 572(Г) × 413(В) мм

SWC-4000 Напольная установка. Ультразвуковая очистка без повреждений, очистка щеткой, химическая очистка и сушка вращением. Микропроцессор для управления. Модуль распределения химикатов. Отдельный сток для кислот и растворителей. Нагретый азот. ОПЦИИ: • озоновая очистка; • очистка деионизованной водой под высоким давлением; • N2 ионизатор. Обработка круглых пластин Обработка квадратных подложек Размер корпуса

до 12’‘ (Ø 300 мм) до 9’‘ × 9’‘ 660(Ш) × 762(Г) × 1 321(В) мм

LSC-4000 • Очистка подложек с нанесенными/ненанесенными элементами; • Очистка заготовок фотошаблонов со слоем фоторезиста; • Очистка дисплеев с ITO покрытием;

• Очистка пластин после CMP; • Удаление/нанесение фоторезиста; • Снятие фоторезиста при процессе обратной (взрывной) литографии; • Травление Al, Au, Cr, Ti.

Напольная установка с большой климатической камерой и максимум с тремя рычагами. Например: ультразвуковая очистка без повреждений, очистка щеткой, очистка горячей деионизованной водой. Пользовательский интерфейс с сенсорным экраном. Ручная загрузка/выгрузка. Защитные блокировки и сигнализация. ОПЦИИ: озоновая очистка, очистка деионизованной водой под высоким давлением, piranha, роботизированная загрузка/выгрузка. Обработка круглых пластин Обработка квадратных подложек Размер корпуса

22

до 21’‘ до 15’‘ × 15’‘ 660(Ш) × 762(Г) × 1 651(В) мм +7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ SENTECH Instruments GmbH (Германия) – компания занимается разработкой и производством систем плазмохимического травления (RIE, ICP-RIE), плазмохимического осаждения диэлектриков (PECVD, ICP-PECVD), атомно-слоевого осаждения (ALD, PEALD), а также систем метрологии тонких пленок (лазерные эллипсометры, спектроскопические эллипсометры, сканирующие эллипсометры, рефлектометры).

Спектроскопические эллипсометры Измерение толщин и оптических показателей одно- и многослойных пленочных структур.

SENresearch 4.0

DUV-VIS NIR (CCD-array) NIR + FTIR

SER 800 SER 800 DUV SER 850 Z SER 850 DUV Z SER 850 SER 850 DUV

SENDURO Высокоточная и высокопроизводительная автоматическая система для измерения толщин одно- и многослойных плёнок на базе UV-VIS спектроскопического сканирующего эллипсометра с возможностью установки кассетной станции для загрузки пластин. Спектральный диапазон: 280 – 850 нм. Высокая скорость измерения образцов (вся процедура измерения может занимать не более 10 сек).

SENDIRA Высокоточная ИК-Фурье эллипсометрическая система со спектральным диапазоном 400 – 6 000 см-1 (1 700 – 25 000 нм) и моторизованным гониометром. Идеальная платформа для проведения эллипсометрических измерений в диапазоне средней ИК-области (MIR) с возможностью измерения при разных углах падения луча и позволяет использовать моторизованный столик для проведения измерений по всей поверхности образца в автоматическом режиме.

Лазерные эллипсометры и рефлектометры SE 500adv

SE 400adv

RM 1000

Комбинированный эллипсометр-рефлектометр 632,8 нм HeNe лазер. Диапазон измерений: 1 – 25 000 нм

632,8 нм HeNe лазер. Диапазон измерений: 1 – 6 000 нм

Спектральный диапазон: 430 – 930 нм RM 2000 Спектральный диапазон: 200 – 930 нм

23

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Sensofar-Tech, S.L. (Испания) – ведущая технологическая компания в области технологий оптической бесконтактной профилометрии, конфокальной микроскопии и метрологии поверхности. Компания разрабатывает и производит высокоточные оптические профилометры на базе методов интерферометрии и конфокальной микроскопии.

Оптический бесконтактный 3d профилометр S neox Высокоэффективный оптический 3D профилометр, который превосходит все существующие оптические профилометры, объединяя в одной сенсорной головке технологии конфокальной, интерферометрической профилометрии и технологию переменного фокуса без движущихся элементов в системе измерения. Прибор разработан для получения быстрых неинвазивных измерений микро и нано-геометрии поверхностей различных конфигураций.

LED источники света Увеличение Разрешение по вертикали Максимальный диапазон перемещения по вертикали Максимальный диапазон сканирования по вертикали Линейность по оси Z Разрешение по оси Z Высота образца Размер образца по осям XY Коэф. отражения образца

Шариковые выводы из припоя

красный (630 нм), зеленый (530 нм), голубой (460 нм), белый (550 нм) объективы светлого поля: ×2,5 – ×150, интерферометрические объективы: ×2,5 – ×100 конфокальная микроскопия: 1 – 300 нм, интерферометрическая: PSI/ePSI: 0,1 нм, VSI: 1 нм 40 мм с линейным столиком, 200 мкм с пьезо-столиком PSI: 20 мкм, ePSI: 100 мкм, VSI: 10 мм, конфокальная микроскопия: 37 мм < 0,5 мкм/мм с линейным столиком, < 30 нм/100 мкм (0,03%) с пьезо-столиком 2 нм с линейным столиком, 0,75 нм с пьезо-столиком стандартная: до 40 мм, регулируемая: 150 мм (больше по запросу) до 700 × 600 мм от 0,05% до 100%

Плоскопанельный дисплей

Обработка электронным лучом

Асферический оптический бесконтактный 3d профилометр Plu apex Оптический профилометр, способный измерять любые оптические поверхности – от асферических до плоских, а так же поверхности произвольной формы. Это особенно полезно при измерении оптики. Инновационная разработка компании Sensofar – технология конфокального отслеживания позволяет производить очень быстрые и точные измерения со скоростью до 1 мм/сек.

24

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ KLA-Tencor Corporation, США – Компания является ведущим производителем метрологического оборудования, для обеспечения полупроводниковых производств и смежных отраслей микроэлектроники. Компания KLA-Tencor предлагает широкий выбор профилометров, от настольных бюджетных, до профилометров производственного масштаба.

Стилусные профилометры Серия Alpha-Step

Серия Alpha-Step

Профилометры серии Alpha-Step обеспечивают субангстремное разрешение по высоте и усилие на стилус от 0,05 мг, что позволяет их использовать для мягких материалов и покрытий.

Профилометры P серии позволяют проводить полный спектр автоматизированных изделий:анализ высоты ступени, профиль поверхности, волнистость и шероховатость с возможностью работы в 2D и 3D режимах.

Установки декапсуляция моделей фирмы NSC (Nippon Scientific CO., Ltd.), Япония реализуют процессы декапсуляции пластиквых корпусов, декапсуляция методом плазменного травления и процесс лазерной декапсуляции (удаления слоя материала лазером в пластиковых или керамических (металло-керамических) корпусах или же вырезание металлической крышки металло-керамического корпуса).

Установка декапсуляции Установки декапсуляции от NSC способны вскрывать корпуса различных типов разными методами в зависимости от задачи: • декапсуляция пластиковых корпусов (Plastic Mold Decapsulation) • Декапсуляция плазменным травлении (Dry Etch Decapsulation) • Лазерная декапсуляция (Laser Decapsulation) Лазерная декапсуляция, например, применяется для: • Как подготовка для последующей химической или плазменной декапсуляции.

• Декапсуляция площадок корпуса (secondary-bond decapsulation).

• Предварительная декапсуляция для анализа обратной стороны корпуса.

• Выборочное вскрытие микросхемы.

25

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Nikon Instruments Inc. (Япония) – компания-производитель научного оптического оборудования (стереомикроскопы, металлографические микроскопы, инспекционные микроскопы, поляризационные микроскопы, измерительные микроскопы и видеоизмерительные системы, конфокальные измерительные микроскопы, профильные проекторы).

Промышленные микроскопы ECLIPSE LV100 / 150

ECLIPSE MA100 / 200

Промышленные микроскопы, которые отвечают современным исследовательским потребностям в области новых разработок, контроля качества и исследований в процессе производства.

Новые инвертированные металлографические микроскопы, предназначенные для наблюдений в отраженном свете.

Инспекционные микроскопы ECLIPSE L200 / 300 Инспекционные микроскопы для контроля качества интегральных схем в полупроводниковой промышленности и микроэлектронике. Системы микроскопии для контроля качества Ø 200 и 300 мм пластин и фотошаблонов, предназначенные для обнаружения дефектов в отраженном или проходящем свете. Самостоятельно или в комбинации с загрузчиком пластин микроскопы обеспечивают исключительную точность в процессе оптического контроля полупроводниковых пластин, фотошаблонов, сеток и прочих подложек.

Измерительные микроскопы MM серия Серия микроскопов, разработанная для промышленных измерений и анализа изображений. Микроскопы интегрируют важнейшие функции и дают полный цифровой контроль над максимальной точностью измерений для самых сложных промышленных задач. Применение: производство изделий из пластмассы, оптоэлектроника, телекоммуникации и электроника, микроэлектроника, МЭМС, неавтоматизированные исследования, оптические телескопические системы, антенны, анализ дефектов и причин разрушения, анализ поверхности, медицинские приборы.

Cnc видео измерительные системы NEXIV VMZ-R серия Идеальные универсальные трехмерные координатные системы измерения, которые позволяют выполнять разнообразные измерительные задачи. Применение: компоненты трансмиссии, металлургия, производство изделий из пластмассы, оптоэлектроника, микроэлектроника, жидкокристаллические дисплеи, МЭМС, антенны, автоматизированные измерения, металлургическая промышленность, исследование поверхностей, телекоммуникации и электроника, оптические телескопические системы, анализ дефектов и причин разрушения, анализ поверхности, медицинские приборы.

26

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ JEOL Ltd. (Япония) – компания мировой лидер в производстве и разработке сканирующих (растровых) электронных микроскопов (РЭМ), просвечивающих электронных микроскопов (ПЭМ), анализаторов поверхности (ОЖЭ микроанализаторы, фотоэлектронные спектрометры, электронно-зондовые микроанализаторы ЕРМА), систем с фокусированным ионным пучком, масс-спектрометров, спектрометров ядерного магнитного резонанса (ЯМР) и систем электронно-лучевой литографии.

Растровые электронные микроскопы Базовое оснащение растровых электронных микроскопов позволяет изучать морфологию поверхности образца, проводить измерения размеров, формы, ориентации и других параметров микро- и нанообъектов в диапазоне от нескольких сантиметров до долей нанометров с увеличением более 1 млн. крат. Дооснащение специализированными аналитическими приставками позволяет изучать элементный состав образцов, определять ориентацию кристаллов, строить карты распределения химических элементов по площади образов и др.

JCM-6000 NeoScope Настольный растровый электронный микроскоп с вольфрамовым источником электронов. Имея стоимость, сопоставимую со стоимостью хороших световых микроскопов, он обладает намного большей глубиной фокуса и несравнимо лучшим разрешением. Разрешение Увеличение (режим детектирования вторичных электронов) Увеличение (режим детектирования отраженных электронов) Ускоряющее напряжение Максимальный размер образца

30,0 нм (15 кВ) ×10 – ×60 000 ×10 – ×30 000 5/10/15 кВ Ø 70 × 50 мм высотой

JSM-IT300 Высокопроизводительный многофункциональный растровый электронный микроскоп с интуитивно понятной и простой в освоении системой сенсорного управления. Разрешение (режим высокого вакуума) Разрешение (режим низкого вакуума) Увеличение Ускоряющее напряжение Ток пучка Максимальный размер образца

3,0 нм (30 кВ), 15,0 нм (1 кВ) 4,0 нм (30 кВ) ×5 – ×300 000 0,3 – 30 кВ 1×10-6 – 1 мкА Ø 200 × 80 мм высотой

JSM-7100F Растровый электронный микроскоп с катодом Шоттки является оптимальным решением для работы с наноразмерными образцами. Микроскоп совмещает в себе высокую разрешающую способность необходимую для получения высокого разрешения при больших увеличениях при визуальном исследовании образцов и высокие токовые характеристики электронного пучка. Разрешение Увеличение Ускоряющее напряжение Ток пучка Максимальный размер образца

1,2 нм (30 кВ), 3,0 нм (1 кВ) ×10 – ×1 000 000 0,2 – 30 кВ 1×10-6 – 0,2 мкА (15 кВ) Ø 200 мм

27

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Oxford Instruments (Великобритания) – компания, ведущий производитель рентгенофлуоресцентных анализаторов для решения широкого спектра задач по неразрушающему определению химического состава и толщины многослойных покрытий в диапазоне от Al до U, в диапазоне концентраций от ppm до 100%.

Рентгенофлуоресцентные толщиномеры Серия Compact Рентгенофлуоресцентный толщиномер покрытий Compact разработан для рутинных анализов каждый день и предлагают лучшее соотношение цена/качество в данном классе оборудования. Модели Compact Eco и Compact Eco PIN- новая линейка рентгено-флуоресцентных толщиномеров гальванический покрытий для измерения толщины и химического состава позволяет решать широкий спектр задач пользователя. Быстрый, неразрушающий анализ толщины многослойных покрытий и определение химического состава без предварительной подготовки поверхности. Диапазон измеряемых элементов от Ti22 до U92. Модель MAXXI 5 Рентгенофлуоресцентные толщиномеры MAXXI 5 являются универсальными приборами и позволяют проводить высокоточные измерения в различных областях.

• Неразрушающий анализ толщины многослойных покрытий и определение химического состава без предварительной подготовки поверхности • Измерение толщины однослойных и многослойных покрытий (4 слоя покрытия + основание) • Анализ химического состава сплавов без ограничения по количеству элементов • Анализ покрытия в заданных точках поверхности с помощью набора коллиматоров и программируемого тока трубки с учетом размера коллиматора • Серийные измерения и автоматическая разбраковка: программируемое движение XYZ столика и измерительной головки • Анализ покрытий на образцах неровной формы (печатные платы, проволока и т.д.) Модель X-STRATA 920 Толщиномер покрытий X-STRATA 920 - это рентгенофлуоресцентная система с возможностью микрофокусировки для неразрушающего контроля, быстрых анализов примесных материалов, измерения толщин многослойных покрытий и элементного состава в широком спектре материалов, измеряемые элементы от Ti22 до U92.

• Неразрушающий анализ толщины многослойных покрытий и определение химического составабез предварительной подготовки поверхности • Послойное измерение толщины по 5 слоям (4 слоя покрытия + основание) • Одновременно анализ химического состава по 25 элементам • Анализ покрытия в заданных точках поверхности • Анализ маленьких образцов площадью от 150 мкм • Анализ покрытий на образцах неровной формы (печатные платы, проволока и т.д.)

• Обнаружение вредных примесей на уровне 10-3 – 10-4 % • Экспорт результатов в Excel, Программа для создания отчетов • Oxford Instruments самостоятельно изготавливает рентгеновскую трубку мощностью 50W (вольфрам) которая сочетает в себе высокую стабильность, более короткое время измерения, надежность и длительный срок жизни.

28

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Frontier Semiconductor, Inc. (США) – компания имеет более чем 25 летний опыт в разработке и производстве метрологического оборудования для измерения напряженности и прогиба пленок, толщины пластин, шероховатости, адгезии пленок и электрических характеристик.

Определение прогиба и напряженности пленок 128 серия Серия установок для измерения прогиба и напряженности пленок при комнатной температуре. Бесконтактный метод измерения напряженности по всей поверхности пластины широко применяется в технологии полупроводников и плоскопанельных дисплеев. Технология двойного переключения лазера. Размер пластин до Ø 200, 300, 450 мм. Поворотный столик. Возможность оснащения установки кассетной станцией.

900 серия Серия установок для измерения напряженности пленок в вакууме или газовой среде при температуре до 900°C. Размер пластин до Ø 300 мм. Системы с ручной или полностью автоматической кассетной загрузкой пластин.

Определение геометрии подложек 413 серия Серия установок для измерения толщины, Warp, TTV (Total Thickness Variation) и деформации подложек. Бесконтактная технология Echoprobe. Опция измерения шероховатости тонких пленок и поверхностей. Ручная или кассетная загрузка подложек. Ручной или автоматический метод измерения. Размер подложек до Ø 300 мм.

Определение адгезии пленки Aquaflex Установка определения адгезии тонких одно- и многослойных пленок на подложках. Адгезия определяется методом 4-х точечного изгиба, как на воздухе, так и в жидкости. Подходит для образцов с низкой адгезией. Опция мульти-камеры для быстрого анализа.

MELT Modified Edge Liftoff Test установка определения адгезии для образцов со средней адгезией. Подложка с пленкой покрывается специальным эпоксидным покрытием, которое обладает коэффициентом теплового расширения, отличающимся от коэффициента теплового расширения подложки. При охлаждении пленка снимается.

Определение поверхностного сопротивления и утечек 4pp Настольная установка 4-х точечного метода зондирования для измерения поверхностного сопротивления эпитаксиальных, металлических пленок и подложек. Возможность оснащения установки полностью автоматической кассетной станцией.

RsL Напольная производственная бесконтактная установка для измерения поверхностного сопротивления и утечек.

29

АНАЛИТИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ Компания MPI Corporation основана в июле 1995 года, в Тайване. Основное направление ее деятельности — реализация технологий микроконтактных измерений для микроэлектронной промышленности. Профилирующей продукцией компании являются зондовые платы, применяемые для тестирования полупроводниковых элементов и полуавтоматические зондовые станции.

Ручные измерительные зондовые станции MPI TS 150 Зондовая станция MPI TS 150 предназначена для точных и воспроизводимых измерений постоянных (DC/CV), высокочастотных (RF) сигналов и сигналов большой мощности (High Power). Станция имеет широкие возможности применения для таких нужд, как снятие характеристик и моделирование устройств, оценка надежности кристаллов на подложке, анализ дефектов технологии ИС, МЭМС и измерения высокой мощности. Особенности: • Платформа с пневматическим подшипником; • Уникальный механизм подъема платформы; • Регулировочная шкала по высоте; • Компактная и жесткая конструкция платформы; • Различные держатели для пластин; • Выбор различных микроскопов и типов перемещения микроскопов; • Откидывание микроскопа; • Антивибрационная платформа; • Светоизоляционный корпус.

TS150-THZ Зондовая станция TS150-THZ компании MPI предназначена для точных измерений в миллиметровом и терагерцовом диапазонах. Конструкции станции обеспечивает механическую стабильность. Ее работа осуществляется без подъема держателя на частотах, выше 220 ГГц. Она имеет уникальные функции подъема держателя и платформы, аналогично ручным зондовым станциям TS-150, разработанным компанией MPI.

Полуавтоматическая зондовая станция MPI TS2000-SE Полуавтоматическая зондовая измерительная станция MPI TS2000SE, 200 мм с системой защиты от ЭМИ и света ShieldEnvironment®, предназначена для проведения точных и надежных измерений на постоянном токе и постоянном напряжении, измерений на высокой частоте и высокой мощности, тренировки полупроводниковых устройств на пластине – испытания на термостойкость, на воздействие холода, продолжительные испытания. Особенности: • Функции и преимущества ShieldEnvironmentTM; • Автоматизированная загрузка одной полупроводниковой пластины; • Система Управления безопасностью тестирования (Safety Test ManagementTM); • Горячая/холодная перестановка полупроводниковых пластин при заданных температурах; • Среда вертикального управления (Vertical Controlled EnvironmentTM); • Виброизоляция и Терморегуляция.

30

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОИЗВОДСТВА

SYSTEMS

CS CLEAN SYSTEMS AG (Германия) – компания, имея более чем двадцатипятилетний опыт обслуживания индустрии полупроводников, является лидером в производстве систем нейтрализации отходящих газов и подачи жидких исходных реагентов.

Нейтрализация опасных технологических газов CLEANSORB серия Система нейтрализует опасные технологические газы методом химического преобразования (хемосорбции) в стабильные неорганические соли при температуре окружающей среды. Для ее функционирования не требуется внешний нагрев, увлажнение или другие специальные условия. Полностью пассивная система, всегда готовая к работе даже в случае пропадания электропитания или отказа других устройств. Доступен для заказа широкий диапазон размеров моделей CLEANSORB как для небольших по объему научно-исследовательских и конструкторских разработок, так и для производственных применений различного масштаба.

SAES Pure Gas (Италия) - является крупнейшим в мире поставщиком систем очистки и доочистки газа для широкого круга газов. Компания производит системы очистки газа для использования на ведущих полупроводниковых фабриках по всему миру. Очистители обеспечивают чистоту газа до единиц ppb для использования в производстве полупроводников, дисплей, LED и солнечных элементов. Очистка таких газов как: N2, H2, NH3, CDA (сухой чистый воздух), He, Ar, O2, CO2 и другие.

Установки очистки и доочистки процессных газов Установки очистки газов используют для различных процессов в полупроводниковой электронике. Для выращивания кристаллов, для фотолитографии, для выращивания эпитаксиальных слоёв, для процессов травления, для металлизации. Очистка позволяет избавиться от механических частиц, от различных примесей (CH 4,O2,H2, H 2O, CO, CO 2, N 2, кислоты…), увеличивает чистоту процессных газов. Специальные очистители, предназначенные для коррозионных газов, HCl, Cl2, BCl3, H2S, B2H6, CClH3, CO2, HBr, N2O, NF3, NO, SiCl4, SiF 4, BF 3… Они избавляют от металлических примесей и воды, до уровня <1 ppb. Каждый очиститель обладает фильтром 0,003 мкм на выходе.

31

ОБЕСПЕЧЕНИЕ ПРОИЗВОДСТВА ЗАО «НПК Медиана-Фильтр» – крупнейший российский производитель оборудования для промышленной водоподготовки и водоочистки. Компания проектирует и производит установки водоподготовки для энергетики, промышленности, микроэлектроники, фармацевтики, пищевых производств и медицинских целей, муниципального водоснабжения и индивидуальных потребителей, а также для очистки промышленных сточных вод и жидких радиоактивных отходов.

Установки водоподготовки (производство di воды) Конструкция оборудования с модульным принципом построения позволяет обеспечить выход по глубокообессоленной воде от 10 л/час до 1000 м3/час и выше (до 18,2 МОм х см). Применяемые технологии позволяют обеспечить непрерывное производство высокочистой воды со стабильным качеством. Наша фирма также предлагает лабораторные (настольного и напольного исполнения) установки для получения ультрачистой воды в условиях лабораториис производительностью 6, 12 и 24 л/час.

Проектирование и строительство высокотехнологических производств. Индивидуальных подход к созданию оптимальных условий микроклимата в чистых производственных помещениях.

Проектирование и строительство • Чистые производственные помещения • Обследование несущей способности строительных конструкций • Производство печатных плат • Вибродиагностика • Производства сборки и контроля печатных узлов • Все стадии проектных работ («ПП», «П», «Р», «РД») • Химико-гальванические производства

32

• П омощь в прохождении проектов в экспертизе • Мероприятия по защите от вибраций • Подбор технологического оборудования под Ваш технологический процесс • Микроэлектронные производства • Строительно-монтажные и пусконаладочные работы • Поставка одежды для электронных производств • Аттестация чистых производственных помещений

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

для заметок

33

для заметок

34

+7 (926) 134-6915 www.minateh.ru info@minateh.ru

ВАШ ПАРТНЕР ДЛЯ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧ ПРОИЗВОДСТВА И ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 105318, г. Москва, Ткацкая ул., д.5, стр.1 Тел.: +7 (495) 664-39-17, +7 (926) 134-69-15 E-mail: info@minateh.ru www.minateh.ru, www.minateh-spare.ru

ANNEALSYS T E C HNOL OG IE

G M B H

Microelectronic equipment • development, manufacturing and sales

NANO-MASTER, Inc.

SYSTEMS

35

ООО «МИНАТЕХ» Адрес: 105318, Россия, Москва, ул. Ткацкая, д.5с1 Раб тел.: +7(495) 664-39-17 Моб. тел.: +7(926) 134-69-15 Cайт: www.minateh.ru, www.minateh-spare.ru E-mail: info@minateh.ru