O futuro das memórias – consultamos a bola de cristal ou...?

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o futuro das memórias – consultamos a bola de cristal ou‌? RS Components

Se alguma das åreas de semicondutores pode ser considerada uma commodity, Ê a das memórias. Esta Ê, sem dúvida, a årea de maior protagonismo. O preço de venda ascendente ou descendente de qualquer dos chips DRAM mais procurados Ê, normalmente, considerado como referência da indústria de semicondutores a nível geral.

Mercados e Fabricantes Na vanguarda do negócio, o mercado de semicondutores vale atualmente cerca de 300 mil milhþes de dólares ao ano, dos quais grande parte correspondem aos chips de memória, cuja participação Ê muito volåtil de ano para ano. Os custos para um fabricante permanecer no mercado são elevados, as margens são cada vez mais reduzidas e os lucros apenas se obtêm nos melhores anos, a não ser que seja líder do mercado. A indústria tem um número cada vez mais reduzido de grandes players – que detêm mais de 5% do mercado perante qualquer situação – tendo-se observado, nos últimos anos, uma forte consolidação dos fabricantes de memórias. Aconteceu inicialmente com os chips DRAM e, mais recentemente, afetou os principais fabricantes de memórias não-volåteis (MNV), na grande maioria memórias Flash.

energÊtico. Os fabricantes de memórias têm sido alvo de inúmeras pressþes que conduziram à melhoria da sua arquitetura e à utilização de nós de processos mais pequenos, não deixando a memória de estar no ponto central do desenvolvimento do processo de silício. A necessidade económica de compactar a tecnologia fez com que os fabricantes DRAM começassem a produzir módulos de memória usando o processo de 30 nm e alguns fornecedores com amostras de dispositivos de 25 nm. Em relação às memórias NAND, o tipo de memórias Flash mais comum utilizado para o armazenamento em unidades de estado sólido, unidades Flash USB e cartþes de memória multimÊdia, os fabricantes líderes estão agora a iniciar a produção de memórias de 64 Gbit com processos de tecnologias variando entre 20 e 30 nm. A crescente importância das tecnologias de memórias 3D requer memórias com estruturas e arquiteturas inovadoras ao nível do processo de tecnologia – com as cÊlulas de memória DRAM desenvolvidas em estruturas 3D – e ao nível da estrutura do silício com o empilhamento de memórias DRAM com a tecnologia de ligação atravÊs da camada de silício (TSV) para satisfazer as exigências de alta densidade. O desenvolvimento avançado de memórias flash NAND 3D com estrutu-

ras de portas verticais que oferecem grande visto como uma perspetiva realista para os próximos anos. Outra questão da indústria passa pelo potencial do padrão de interligação de alto rendimento. No início de 2011, a JEDEC anunciou o padrão Universal Flash Storage (UFS), conce para o armazenamento de memória baseado em Flash tanto integrado como removível. Este standard tado para aplicaçþes móveis e sistemas de computação que requerem um elevado desempenho e um baixo consumo de energia.

Flash – Crescimento ou Substituição? Atualmente, o mercado de memórias flash estå em grande crescimento, em grande parte impulsionado pela crescente procura de memórias råpidas e de elevada potência para pequenos dispositivos móveis como tablets e smartphones. Segundo um estudo de 2010 da IHS iSuppli, a tecnologia líder de memórias para aplicaçþes móveis nos próximos anos seria a NAND Flash. Foi previsto um alcance de cerca da metade das receitas totais de memórias de 2011 em produtos móveis por parte

Processo, Arquitetura e Interligação senvolvimento de chips de memória passa por acompanhar o desempenho cada vez maior dos microprocessadores e conceber memórias mais råpidas com um menor consumo www.oelectricista.pt o electricista 40

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