Ficha técnica n.º 17

ESPAÇO DE FORMAĂ‡ĂƒO

Ficha tĂŠcnica n.o 17 {¹ƚďŅ {ĂĽÄœĆťĹ…Ć‹Ĺ… paulo.peixoto@atec.pt ATEC – Academia de Formação

13. ANà LISE DAS CARATER�STICAS TÉCNICAS DE UM D�ODO Após a introdução aos semicondutores e ao estudo das caraterísticas fundamentais dos díodos de junção serå iniciada a anålise, na presente ǝGLE X³GRMGE HSW GMVGYMXSW GEVEXIV¸WXMGSW UYI MRXIKVEQ IWXI GSQTSnente eletrónico.

5EVE E GSVVIXE YXMPM^E¹­S HI UYEPUYIV GSQTSRIRXI IPIXVžRMGS WIVÂŤ fundamental analisar as suas caraterĂ­sticas tĂŠcnicas e os seus limites de funcionamento como, por exemplo, a corrente contĂ­nua direta QÂŤ\MQE SY E TSX´RGME HI HMWWMTE¹­S 5EVE IWXE ERÂŤPMWI SW JEFVMGERXIW JSVRIGIQ E JSPLE HI HEHSW HS GSQTSRIRXI GSRLIGMHE IQ MRKP´W TSV %¹ƒ¹Ć?„Ěüüƒ SRHI WI IWTIGMÇťGEQ HIXIVQMREHEW TVSTVMIHEHIW GSQTSVXEQIRXSW KVÂŤÇťGSW I XSHEW EW MRJSVQE¹ÀIW VIPIZERXIW ES JYRGMSREQIRto do componente eletrĂłnico.

IV EREPMWEHS HI WIKYMHE S H¸SHS VIXMǝGEHSV HE W³VMI 3 3 E 3 *\MWXIQ HMZIVWSW JEFVMGERXIW HIWXI GSQTSRIRXI YXMPM^EVIQSW E JSPLE HI HEHSW HS JEFVMGERXI ;8* ;SR 8ST *PIGXVSRMGW HMWTSR¸ZIP IQ [[[ [SRXST GSQ YTPSEHǝPIW WSVXCI\GIP THJ R THJ & +MKYVE VITVIWIRXE EW IWXMTYPE¹ÀIW Q\MQEW I GEVEXIV¸WXMGEW IP³XVMGEW HS H¸SHS VIXMǝGEHSV GSRWMHIVERHS YQE XIQTIVEXYVE EQFMIRXI HI s( .VIQSW EREPMWEV EW GEVEXIV¸WXMGEW QEMW MQTSVXERXIW RE WIPIção deste tipo de componente eletrónico, nomeadamente a tensão MRZIVWE E GSVVIRXI HMVIXE Q\MQE E UYIHE HI XIRW­S HMVIXE I E GSVVIRte direta måxima.

Tensão inversa de disrupção & JSPLE HI HEHSW VIJIVI WI E YQ H¸SHS VIXMǝGEHSV YWEHS REW JSRXIW HI EPMQIRXE¹­S GMVGYMXSW UYI GSRZIVXIQ XIRW­S EPXIVREHE IQ XIRW­S GSRX¸RYE I UYI WIV­S EREPMWEHEW IQ JYXYVEW ǝGLEW X³GRMGEW 8SQIQSW GSQS I\IQTPS S H¸SHS 3 Tabela 17. 8IRW­S MRZIVWE HI HMWVYT¹­S RYQ H¸SHS 3 Fonte da Figura: [[[ [SRXST GSQ

Figura 109. +SPLE HI HEHSW HS H¸SHS VIXMǝGEHSV 3 3 Fonte da Figura: [[[ [SRXST GSQ

CARATERĂ?STICA

SĂ?MBOLO

DĂ?ODO 1N4001

8IRW­S MRZIVWE HI TMGS VITIXMXMZS Peak Repetitive Reverse Voltage

V772

50 V

8IRW­S MRZIVWE HI TMGS STIVEXMZS Working Peak Reverse Voltage

VRWN

50 V

8IRW­S HI FPSUYIMS IQ GSVVIRXI GSRX¸RYE % Ć? ĎŇĂ?čĞĝÄ?Ć?šŇĎƒ¹Ä?ĂĽ

VR

50 V

&W GEVEXIV¸WXMGEW HI XIRW­S ETVIWIRXEHEW IWTIGMǝGEQ E HIWXVYM¹­S HS H¸SHS WSF HIXIVQMREHEW GSRHM¹ÀIW HI STIVE¹­S & GEVEXIV¸WXMGE QEMW VIPIZERXI ³ E XIRW­S HI HMWVYT¹­S HS H¸SHS UYI ³ HI : MRHITIRHIRXIQIRXI HI GSQS WI YXMPM^E *WXE HMWVYT¹­S SGSVVI TSVUYI RS H¸SHS WYVKI YQE EZEPERGLI UYERHS WYFMXEQIRXI ETEVIGI YQE KVERHI UYERtidade de portadores na camada de depleção.

3S 3 E XIRW­S MRZIVWE HI : VITVIWIRXE YQ R¸ZIP HIWXVYMHSV TEVE EW GEVEXIV¸WXMGEW HS H¸SHS UYI SW TVSNIXMWXEW IZMXEQ EXMRKMV IQ XSHEW EW GSRHM¹ÀIW HI STIVE¹­S TSV MWWS GSRWMHIVE YQ GIVXS JEXSV HI WIKYVER¹E 3­S I\MWXI GSRXYHS YQE VIKVE EFWSPYXE TEVE WI HIǝRMV IWXI ¸RHMGI HI WIKYVER¹E YQE ZI^ UYI S WIY ZEPSV HITIRHI HI QYMXSW JEXSVIW HS TVSNIXS 3YQ TVSNIXS GSRWIVZEHSV SRHI WI MQTÀI S PEHS segurança, usa-se um fator de nível 2, ou seja, nunca se permite atingir QEMW HI : RE XIRW­S MRZIVWE HI YQ 3 3YQ TVSNIXS QIRSW GSRWIVZEHSV TSHI WI GLIKEV E : RSW XIVQMREMW HS H¸SHS

Corrente direta mĂĄxima

Figura 110. *WXMTYPE¹ÀIW Q\MQEW I GEVEXIV¸WXMGEW IP³XVMGEW HS H¸SHS VIXMǝGEHSV 3 3 Fonte da Figura: [[[ [SRXST GSQ

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MANUTENĂ‡ĂƒO 141

A folha de dados indica o mesmo valor para a corrente direta måxima HE W³VMI 3 *WXI ZEPSV MRHMGE UYI SW H¸SHSW TSHIQ WYTSVXEV EX³ & RS WIRXMHS HMVIXS UYERHS YWEHS GSQS VIXMǝGEHSV 4 ZEPSV ETVIWIRtado corresponde a uma carga monofåsica resistiva ou indutiva com a JVIUY´RGME HI -^ & XIQTIVEXYVE EQFMIRXI GSRWMHIVEHE ³ HI s( Na Figura 111 podemos observar o efeito da temperatura ambiente na corrente direta do díodo.