Eletrónica de potência – 2ª Parte

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Eletrónica de potência 2.ª Parte

IL

24V/25W L

A

S1

Manuel Costa ATEC – Academia de Formação

A S2

RV

IG A

Th1 G

24V U

10K V UG

6V

Figura 1. Esquema de funcionamento de um circuito baseado em SCR.

UREËWLFD

O SCR irá conduzir nas seguintes condições:  Após ligar S1 e S2, variando Rv até que IG atinja o valor mínimo de disparo indicado pelo fabricante;  Quanto maior for a tensão U aplicada ao SCR (UAK), menor poderá ser o valor de Ig a aplicar na gate;  Existe uma tensão máxima (VRO) para a qual não é necessário corrente de gate. Esta forma de condução do SCR não é aconselhável devido a um desgaste precoce do componente;  Existe uma corrente mínima entre ânodo e cátodo – corrente de retenção IL necessária para o SCR iniciar a condução;  Logo que o SCR começar a conduzir, a tensão aos seus terminais UAK baixa bruscamente, para valores da ordem de 0,5 V a 2 V, aumentando a corrente para o valor limitado à carga L;  Se baixarmos a tensão aplicada à carga (variando a tensão da fonte), a corrente IAK baixará progressivamente até um valor mínimo – corrente de manutenção IH – a partir do qual o SCR deixa de conduzir;

Quando se impede que o SCR conduza diz-se que ele está (ou fica) bloqueado. Caso contrário, diz-se que está em condução. Existem diferentes processos de bloquear um SCR ou impedir que ele conduza. Podemos impedir que o SCR inicie a condução das seguintes formas:  Não aplicando qualquer impulso na gate;  Não aplicando à gate o impulso mínimo indispensável (o qual é variável com a tensão UAK);  Aplicando à porta um impulso negativo, isto é, polarizando negativa a porta.

V K

),&+$ 35ò7,&$ GH (/(75ù1,&$

Os SCR funcionam com tensões que podem ir desde dezenas de volts aos milhares de volts, desde 1 A até 2500 A. Existe, devido a isso, uma necessidade de analisar corretamente as caraterísticas do SCR antes de o ligar num circuito elétrico, visto que a junção ânodo-cátodo comporta-se tal como um díodo, tendo um queda de tensão de 0,7 V. Os SCR têm diversas aplicações na eletrónica de potência, que vão desde o controle de cargas resistivas (de iluminação e aquecimento), controlo de cargas indutivas (motores CC) e nas mais diversas aplicações de circuitos de comutação (ON/OFF). Tendo em conta o circuito da Figura 1.

O SCR não conduz em sentido contrário e, além disso, suporta uma tensão máxima inversa UBR; Após iniciada a condução, o SCR mantém-se em condução se não houver qualquer alteração do circuito de carga. Nestas condições, podemos inclusivamente desligar a alimentação da porta (interruptor S2) que ele continuará a conduzir; isto é, o impulso de porta só é necessário para iniciar a condução, podendo posteriormente ser retirado, poupando-se a energia respetiva.

A corrente de gate é dada pela seguinte expressão: Igate =

Ug – 0,7 Rv

A tensão e a corrente na lâmpada são calculadas do seguinte modo: UL = U – UAK; IL =

UL RL

Nota: a tensão UAK é variável com a corrente IG.

Podemos bloquear um SCR que se encontra em condução, das seguintes formas:  Desligando a alimentação do circuito de carga;  Curto-circuito nos terminais A e K;  Aplicando aos terminais A e K uma tensão contrária (positivo ligado a K e negativo a A);  Baixando a tensão UAK progressivamente, até que a corrente de manutenção IH seja ultrapassada. Se a carga for alimentada em Corrente Alternada o seu funcionamento tem algumas diferenças. Visto que a Corrente é Alternada, ela passa periodicamente por zero. Ora, no instante em que a tensão U aplicada é zero, o SCR deixa de conduzir, sendo necessário a partir daí, aplicar um novo impulso na gate.

TRIAC Tal como o SCR, o TRIAC (Tríode Alternative Current) pertence à família dos tiristores. Sendo assim é constituído por 4 camadas PNPN ou NPNP, com dois ânodos (A1 e A2) e um gate (G). Ao contrário do SCR, o TRIAC conduz nos dois sentidos: de A1 para A2 e de A2 para A1, contudo, para que entre em condução é necessário um impulso na gate, que tanto poderá ser positivo como negativo. O TRIAC sairá de condução quando a tensão aos seus terminais (A1 e A2) for zero.


VDRM = 4500 V ITGOM = 4000 A ITSM

= 25 kA

VT0

= 2.10 V

rT

= 0.58 mΩ

GATE TURNOFF THYRISTOR 5SGA 40L4501

 

VDClin = 2800 V Gate VGT

Gate trigger voltage

1.2 V

VD = 24 V

IGT

Gate trigger current

4.0 A

RA = 0.1 Ω

TJ = 25 ºC

VGRM

Repetitive peak reverse voltage

17 V

IGRM

Repetitive peak reverse current

50 mA

VGR = VGRM

500 A/μs

f = 200 Hz

IT = 4000 A, TJ = 125 ºC

1000 A/μs

f = 1 Hz

IGM = 50 A, TJ = 125 ºC

 

Turn-on switching di/dtcrtt

Max. rate of rise of on-state current

diG/dt = 40 A/μs

td

Delay time

2.5 μs

VD = 0.5 VDRM

tr

Rise time

5.0 μs

IT = 4000 A

di/dt = 300 A/μs

ton(min)

Min. on-time

100 μs

IGM = 50 A

diG/dt = 40 A/μs

Eon

Turn-on energy per pulse

3.30 Ws

CS = 6 μF

RS = 5 Ω

VDM = VDRM

diG/dt = 40 A/μs

CS = 6 μF

LS ≤ 0.3 μH

Turn-off switching

ITGCM

Max. controllable turn-off current

4000 A

tS

Storage time

25.0 μs

VD = ½ VDRM

VDM = VDRM

tf

Fall time

3.0 μs

TJ = 125 ºC

diGQ/dt = 40 A/μs

toff(min)

Min. off-time

100 μs

ITGQ = ITGQM

Eoff

Turn-off energy per pulse

12.0 Ws

CS = 6 μF

IGQM

Peak turn-off gate current

1000 A

LS ≤ 0.3 μH

Figura 7. Exemplo de uma folha de caraterísticas de um GTO.

RS = 5 Ω

relativa a um impulso de curta duração. É utilizado no dimensionamento dos fusíveis de proteção; di/dt – taxa de crescimento máxima da corrente de ânodo; Vgrm – tensão inversa do pico de porta repetitiva: máxima tensão instantânea permissível aplicável à junção porta-cátodo; dv/dt – máxima taxa de crescimento da tensão direta de ânodo para cátodo; IH – corrente de manutenção: corrente do ânodo que mantém o GTO em condução mesmo na ausência de corrente de porta; IL – corrente de disparo: corrente de ânodo necessária para que o GTO entre em condução com o bloqueio da corrente de porta; tgt – tempo de disparo: tempo entre a aplicação da corrente de porta e a queda da tensão Vak; tgq – tempo de bloqueio: tempo entre a aplicação de uma corrente negativa de porta e a queda da corrente de ânodo (tgq = ts + tf ); ts – tempo de armazenamento.

Nota: No próximo artigo iremos começar a abordar a outra família de semicondutores de potência: os transístores de potência.

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