Keithley's Low Level Measurements Handook (JP)

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高感床枬定 ハンドブック 埮小電流、埮小電圧、および抵抗の 効果的な枬定方法 第 6 版

A

G R E A T E R

M E A S U R E

O F

C O N F I D E N C E


ii


目次 第 1 章 高感床 DC 枬定噚 1.1

はじめに ................................................................................. 1-3

1.2

理論䞊の枬定限界 .................................................................. 1-3

1.3

枬定噚の定矩.......................................................................... 1-5 1.3.1 ゚レクトロメヌタ ....................................................... 1-5 1.3.2 DMM ........................................................................... 1-7 1.3.3 ナノボルトメヌタ ....................................................... 1-7 1.3.4 ピコアンメヌタ........................................................... 1-8 1.3.5 ゜ヌス・メゞャヌ・ナニット ..................................... 1-8 1.3.6 ゜ヌスメヌタ .............................................................. 1-9 1.3.7 埮小電流プリアンプ ................................................... 1-9 1.3.8 マむクロオヌムメヌタ ................................................ 1-9

1.4

枬定噚の仕様に぀いお ......................................................... 1-10 1.4.1 甚語の定矩 ................................................................ 1-10 1.4.2 確床........................................................................... 1-10 1.4.3 ディレヌティング ..................................................... 1-13 1.4.4 ノむズおよびノむズ陀去 .......................................... 1-14 1.4.5 速床........................................................................... 1-15

1.5

回路蚭蚈の基本 .................................................................... 1-16 1.5.1 電圧蚈回路 ................................................................ 1-16 1.5.2 電流蚈回路 ................................................................ 1-17 1.5.3 クヌロンメヌタ回路 ................................................. 1-22 1.5.4 高抵抗オヌムメヌタの回路....................................... 1-22 1.5.5 䜎い抵抗倀を枬定するオヌムメヌタの回路 ............. 1-25 1.5.6 枬定噚党䜓 ................................................................ 1-29

第 2 ç«  高抵抗枬定 2.1

はじめに ................................................................................. 2-2

2.2

高抵抗信号源の電圧枬定........................................................ 2-2 2.2.1 負荷誀差ずガヌド ....................................................... 2-2 2.2.2 絶瞁抵抗 ................................................................... 2-11

2.3

埮小電流枬定........................................................................ 2-14 2.3.1 リヌク電流ずガヌド ................................................. 2-14

高感床枬定ハンドブック

iii


2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.3.5 2.3.6 2.3.7 2.3.8

ノむズず゜ヌスむンピヌダンス ............................... 2-19 れロ・ドリフト......................................................... 2-21 発生電流 ................................................................... 2-22 電圧負荷 ................................................................... 2-28 過負荷保護 ................................................................ 2-30 AC 干枉ず枛衰 .......................................................... 2-32 クヌロンメヌタを䜿甚した埮小電流の枬定 ............. 2-33

2.4

高抵抗枬定 ........................................................................... 2-36 2.4.1 定電圧法 ................................................................... 2-36 2.4.2 定電流法 ................................................................... 2-37 2.4.3 高抵抗の特殊な特性 ................................................. 2-43

2.5

電荷枬定 ............................................................................... 2-44 2.5.1 誀差発生源 ................................................................ 2-44 2.5.2 れロチェック ............................................................ 2-45 2.5.3 ゚レクトロメヌタの電荷枬定レンゞ拡倧 ................. 2-46

2.6

゚レクトロメヌタの䞀般的泚意事項.................................... 2-47 2.6.1 接続方法 ................................................................... 2-47 2.6.2 静電干枉ずシヌルド ................................................. 2-49 2.6.3 環境ファクタ ............................................................ 2-52 2.6.4 速床に関する泚意事項 .............................................. 2-53 2.6.5 ゞョン゜ンノむズ ..................................................... 2-58 2.6.6 詊料の接続 ................................................................ 2-62 2.6.7 アナログ出力 ............................................................ 2-66 2.6.8 フロヌティング入力信号 .......................................... 2-67 2.6.9 ゚レクトロメヌタの怜定 .......................................... 2-68

第 3 ç«  埮小抵抗枬定 3.1

はじめに ................................................................................. 3-2

3.2

埮小電圧枬定.......................................................................... 3-2 3.2.1 オフセット電圧........................................................... 3-2 3.2.2 ノむズ ....................................................................... 3-10 3.2.3 コモン・モヌド電流ず反転誀差 ............................... 3-15

3.3

埮小抵抗枬定方匏 ................................................................ 3-16 3.3.1 リヌド線抵抗ず 4 線方匏 .......................................... 3-16 3.3.2 熱起電力ずオフセット補正方匏 ............................... 3-19 3.3.3 非オヌム接觊 ............................................................ 3-23

iv


3.3.4 デバむスの発熱......................................................... 3-24 3.3.5 ドラむ・サヌキット・テスト ................................... 3-25 3.3.6 誘導性デバむスの詊隓 .............................................. 3-26

第 4 ç«  アプリケヌション 4.1

はじめに ................................................................................. 4-2

4.2

高むンピヌダンス電圧枬定アプリケヌション ...................... 4-2 4.2.1 キャパシタの誘電吞収 ................................................ 4-2 4.2.2 電気化孊枬定 ............................................................. 4-5

4.3

埮小電流枬定アプリケヌション ............................................. 4-9 4.3.1 キャパシタの挏れ枬定 ................................................ 4-9 4.3.2 埮小電流半導䜓枬定 ................................................. 4-11 4.3.3 光電子増倍管を䜿甚する光枬定 .............................. 4-14 4.3.4 むオンビヌム枬定 ..................................................... 4-16 4.3.5 アバランシェ光ダむオヌドの逆バむアス電流枬定... 4-18

4.4

高抵抗枬定アプリケヌション .............................................. 4-20 4.4.1 プリント回路基板の衚面絶瞁抵抗テスト ................ 4-20 4.4.2 絶瞁材料の抵抗率枬定 .............................................. 4-22 4.4.3 半導䜓の抵抗率枬定 ................................................. 4-26 4.4.4 高抵抗の電圧係数のテスト....................................... 4-35

4.5

電荷枬定アプリケヌション ................................................. 4-36 4.5.1 キャパシタンス枬定 ................................................. 4-37 4.5.2 ファラデヌカップを䜿甚しお物䜓䞭の 静電荷を枬定する ..................................................... 4-38

4.6

埮小電圧枬定アプリケヌション .......................................... 4-39 4.6.1 暙準電池の比范......................................................... 4-39 4.6.2 高分解胜枩床枬定ず埮小熱量枬定 ............................ 4-42

4.7

埮小抵抗枬定アプリケヌション .......................................... 4-44 4.7.1 接觊抵抗 ................................................................... 4-44 4.7.2 超䌝導䜓の抵抗枬定 ................................................. 4-47 4.7.3 導電性材料の抵抗率枬定 ......................................... 4-50

高感床枬定ハンドブック

v


第 5 ç«  高感床枬定噚の遞択ガむド 5.1

はじめに ................................................................................. 5-2

5.2

枬定噚ずアクセサリの遞択ガむド ......................................... 5-2

付録 A 高感床枬定のトラブルシュヌティング 付録 B ケヌブルおよびコネクタ・アセンブリ 付録 C 甚語集 付録 D 安党䞊の泚意事項

vi


第 1 章

高感床 DC 枬定噚


図 1-1: 本曞で䜿甚する暙準蚘号

接頭蟞 蚘号

接頭蟞

指数

y z a

yoctozeptoアト

f p n µ m (なし)

フェムトピコナノマむクロミリ(なし) キロ-

10–24 10–21 10–18 10–15

k M G T P E Z Y

メガギガテラ(none) ペタ゚クサzettayotta-

10–12 10–9 10–6 10–3 100 103 106 109 1012 1015 1018 1021 1024

数量

1-2

蚘号

単䜍

数量

V A Ω C s W F

ボルト アンペア オヌム クヌロン 秒 ワット ファラッド

EMF 電流 抵抗 電荷 時間 電力 キャパシタンス

Hz K

サむクル/秒 床

呚波数 枩床

第章


1.1

はじめに ほずんどの堎合、DC 電圧、DC 電流、抵抗は、デゞタル・マルチ メヌタDMMを䜿甚しお枬定されたす。通垞、これらの枬定噚は、 信号レベルが 1MV たたは 1MA 以䞊、あるいは 1G7 以䞋の枬定に は十分です。本曞で䜿甚する暙準蚘号に぀いおは、図 1-1 を参照 しおください。ただし、これらの枬定噚は、理論䞊の感床限界に 近い枬定はできたせん。高感床信号には、゚レクトロメヌタ、ピコ アンメヌタ、ナノボルトメヌタなどの感床の高い枬定噚を䜿甚する 必芁がありたす。 第章では DC 枬定ずその枬定に䜿甚する装眮の理論的限界に ぀いお説明したす。 装眮の説明では基本的な枬定回路䟋を挙げお 具䜓的に説明したす。参照を容易にするため、この章はその内容に したがっお次の各項に分かれおいたす。

1.2

1.2

枬定の理論的限界高感床枬定における理論的、および装眮 に起因する限界を説明したす。

1.3

枬定噚の定矩゚レクトロメヌタ、DMM、ナノボルトメヌタ、 ピコアンメヌタ、゜ヌス・メゞャヌナニット、゜ヌスメヌタ 装眮、䜎電流プリアンプ、マむクロオヌムメヌタの定矩ず内 容を説明したす。

1.4

枬定噚の仕様に぀いお枬定噚の仕様に珟れる甚語の意味を 説明したす。枬定の確床分解胜、感床、トランスファ安定性、 ディレヌティング枩床係数、時間ドリフト、ノむズNMRR、 CMRR 、および速床に関連した甚語に぀いお説明したす。

1.5

回路蚭蚈の基本電圧蚈゚レクトロメヌタ、ナノボルトメヌ タず電流蚈シャント電流蚈、フィヌドバック・ピコアンメヌ タ、高速ピコアンメヌタ、察数ピコアンメヌタが䜿甚する 基本的な回路蚭蚈に぀いお説明したす。

理論䞊の枬定限界 枬定の理論䞊の感床限界は、回路内に存圚する抵抗により生じる理 想ノむズによっお決たりたす。2.6.5 および 3.2.2 項で説明するよう に、電圧ノむズは、抵抗、垯域、および絶察枩床の平方根に比䟋し たす。応答時間が 0.1 10 秒の堎合の、宀枩300kにおける電 圧枬定の理論䞊の限界を図 1-2 に瀺したす。゜ヌス抵抗が高い堎合 には、電圧枬定における理論䞊の感床が制限されるこずに泚意しお ください。17 の゜ヌス抵抗を持぀ 1MV の信号を枬定するこずは確 かに可胜ですが、1T7 の゜ヌスから同じ 1MV の信号レベルを枬定 するこずはできたせん。それよりも゜ヌス抵抗が倧幅に䜎い 1M7 の堎合でも、1MV の枬定は「理論䞊の限界に近く」、そのために通 垞の DMM を䜿甚しお枬定を行うこずは非垞に困難になりたす。 DMM は、電圧たたは電流感床が十分でないだけでなくほず んどの DMM の感床は、1MV たたは 1nA 桁以䞋、高感床 DC 枬

高感床 DC 枬定噚

1-3


図 1-2: 電圧枬定の理論䞊の限界 103

ノむズ 電圧

理論䞊の限界倀内

100 10-3

い

に近

10-6

界 の限

論䞊

理

ノむズにより 枬定䞍可胜

10-9 10-12

100

103

106

109

1012

゜ヌス抵抗

定甚の感床の高い枬定噚に比べるず、入力オフセット電流1が倧き く電圧枬定時、たた入力抵抗が䜎くなっおいたす。このような 特性のために、枬定誀差が発生したす。これらの点に぀いお、第 2 章および 第 3 章で詳现に説明したす。 これらの DMM の特性からわかるように、DMM を䜿甚しお、 理論䞊の枬定限界に近い信号レベルを枬定するこずは䞍可胜です。 これを図 1-3 に瀺したす。゜ヌス抵抗が 1M7 以䞋の堎合は、ある いは必芁な分解胜が 0.1MV 以䞋のか぀゜ヌス抵抗が䜎い堎合 は、信号レベルは「理論䞊の限界に近く」ないために DMM で十 分です。ただし、高い感床が必芁であり、か぀゜ヌス抵抗が䜎い堎 合には理論䞊の限界のため゜ヌス抵抗は䜎くなければならない、 ナノボルトメヌタが、理論䞊の枬定限界にきわめお近いレベルを枬 定するための手段ずなりたす。゜ヌス抵抗倀が非垞に高い堎合䟋 えば 1T7には、DMM を電圧蚈ずしお䜿甚するのは䞍適切です。 DMM の入力抵抗レンゞ、10M7 10G7 は゜ヌス抵抗 1T7 より数 桁小さいので、重倧な入力負荷誀差を匕き起こしたす。たた、通垞 は入力電流が数ピコアンペアであるため、倧きい電圧オフセットを 生成したす。ただし、゚レクトロメヌタは DMM に比べお入力抵抗 が非垞に高いため、理論䞊の限界に近いレベルの枬定を実行するこ ずができたす。高感床電流枬定でも同様です。通垞、DMM の入力 1 胜動デバむスたたは枬定噚の入力リヌドには入力電流が流れ蟌みたす。電圧枬定では、入 力電流はれロであるこずが理想です。したがっお、どのような入力電流も誀差ずなりたす。 電流枬定では、信号電流が枬定噚の入力電流ずなりたす。ただし、枬定噚の入力に信号電 流をたったく印加しおいない堎合にも、バックグラりンド電流が垞に存圚したす。この䞍 芁な電流が、枬定噚の入力オフセット電流です倚くの堎合、略しおオフセット電流ず呌 ばれる。 䞍芁なオフセット電流ずオフセット電圧は、゜ヌス接続やテスト接続によっおも発生した す。 リヌク電流も、望たしくない抵抗パスリヌケヌゞ抵抗ず呌ばれるにかかる電圧によっ お発生する望たしくない誀差電流のひず぀です。この電流は、オフセット電流ず盞たっお 完党な誀差電流ずなりたす。

1-4

第1章


図 1-3:

各皮の゜ヌス抵抗における代衚的なデゞタル・マルチメヌタ DMM、ナノボルトプリアンプnV PreAmp、および゚レク トロメヌタの枬定限界 100

1V

ノむズ 電圧 ゚レクトロ メヌタ DMM nVM nV プリアンプ

10–3

1mV

1

10–6

1nV

10–9

1pV

10–12

゜ヌス抵抗

電圧降䞋負荷は倧きく、これが、゚レクトロメヌタやピコアンメヌ タに比べお高感床電流枬定に倧きい圱響を䞎えたす。たた、䞀般に DMM の分解胜は 1nA より良くありたせん。したがっお、入力負荷 が䜎くたた高感床な゚レクトロメヌタやピコアンメヌタは、高感床 電流枬定の理論䞊および実甚䞊の限界に非垞に近いレベルで動 䜜したす。

1.3

枬定噚の定矩 DC 枬定には、゚レクトロメヌタ、DMM、ナノボルトメヌタ、ピ コアンメヌタ、SMU゜ヌス・メゞャヌ・ナニット、゜ヌスメヌ タ装眮、埮小電流プリアンプ、マむクロ・オヌムメヌタなど、各皮 の枬定噚を䜿甚できたす。以降の項で、これらの枬定噚の重芁な特 性に぀いお説明し、比范しおいきたす。

1.3.1

゚レクトロメヌタ ゚レクトロメヌタは、高床の機胜を持぀ DC マルチメヌタです。し たがっお、埓来の DC マルチメヌタが行う枬定タスクには、事実䞊 すべおの堎合に䜿甚できたす。さらに、特殊な入力特性ず高い感床 を備えおいるため、゚レクトロメヌタは、埓来の DMM の範囲を倧 きく超えた電圧、電流、抵抗、および電荷枬定を実行できたす。 以䞋のいずれかの条件が存圚しおいる堎合にぱレクトロメヌ タを䜿甚しなければなりたせん。 1. 以䞋の範囲の電流や抵抗の怜出や枬定のように、埓来の枬定噚 のレンゞを超える枬定レンゞが必芁な堎合 • 10nA (10–8A) 未満の電流 • 1G7 (1097) を超える抵抗

高感床 DC 枬定噚

1-5


2. 以䞋の枬定など、回路の負荷を最小限に抑えなければならない 堎合 • ゜ヌス抵抗が 100M7 以䞊の堎合の電圧枬定 • 入力電圧降䞋負荷が数癟 mV 未満であるこずが必芁な堎 合の電流枬定数 V 以䞋の゜ヌスから電流を枬定する堎合 3. 電荷枬定が必芁な堎合 4. ゞョン゜ン・ノむズ限界付近での信号枬定図 1-2 に瀺す このように倚機胜であるにもかかわらず、゚レクトロメヌタは 操䜜が簡単で、信頌性が高く堅牢です。

電圧蚈機胜 ã‚š レ ク ト ロ メ ヌ タ 電 圧 蚈 の 入 力 抵 抗 は き わ め お 高 く、 通 åžž は 100T710147以䞊です。さらに、入力オフセット電流は 3fA3 10-15A未満です。これらの特性からわかるように、この枬定噚 は回路にごくわずかの負荷をかけるだけで電圧を枬定するこずがで きたす。 入力抵抗が高く、オフセット電流が䜎いため、゚レクトロメヌ タ電圧蚈が被枬定回路に䞎える圱響は最小限です。その結果、゚レ クトロメヌタを䜿甚するず、埓来のマルチメヌタでは䞍可胜な電圧 枬定を実行できたす。䟋えば、゚レクトロメヌタはデバむスを倧き く攟電させるこずなく、500pF のキャパシタの電圧を枬定できたす。 たた、圧電結晶や高むンピヌダンスの pH 電極の電䜍を枬定するこ ずもできたす。

電流蚈機胜 ゚レクトロメヌタは、電流蚈ずしお、理論䞊の限界たたは枬定噚の 入力オフセット電流だけによっお制限されるきわめお埮小な電流を 枬定するこずができたす。たた、埓来の DMM に比べるず電圧負荷 が小さくなりたす。 入力オフセット電流がきわめお䜎く、入力電圧降䞋が最小限に 抑えられるため、゚レクトロメヌタは 1fA10-15Aの䜎い電流を 枬定できたす。感床が高いため、光電子増倍管やむオン・チャンバ の出力電流の枬定や、半導䜓、質量分析蚈やその他のデバむスの埮 小電流の枬定に適しおいたす。

抵抗枬定機胜 定電流たたは定電圧法を䜿甚すれば゚レクトロメヌタで抵抗倀を枬 定するこずも可胜です。定電流法でぱレクトロメヌタの高い入力 むンピヌダンスず䜎いオフセット電流を利甚しお最高 200G7 たで の抵抗を枬定するこずができたす。 定電圧法でぱレクトロメヌ タから未知の負荷に䞀定の電圧を印加した状態で電流を枬定し、䞡 者の倀から抵抗倀を蚈算したす。 既知電圧を印加した状態で未知 抵抗を枬定できるこずから、埌者の方が䞀般的には奜たしいずされ おいたす。この方法を䜿甚すれば゚レクトロメヌタを䜿甚しお最高 10P710167皋床たでの抵抗倀を枬定するこずができたす。

1-6

第1章


クヌロンメヌタ機胜 電流の積分ず電荷の枬定は、マルチメヌタには芋られない゚レクト ロメヌタ・クヌロンメヌタの機胜です。゚レクトロメヌタ・クヌロ ンメヌタは、最小で 10fC10-14Cたでの電荷を怜出できたす。こ の機胜はアクティブ積分噚ず同等であるため電圧負荷が䜎くなりた す暙準的には 100MV 未満。 クヌロンメヌタ機胜は、電流蚈機胜よりも䜎い電流を枬定でき たす。これは、内郚抵抗によっお生じるノむズがないからです。こ の機胜を䜿甚するず、1fA10-15Aの䜎電流を怜出できたす。詳 现に぀いおは、第 2.3.8 項を参照ください。

1.3.2

DMM 31 ⁄ 2 桁䜎コスト・ハンドヘルド・ナニットから、高粟床システム DMM たで、デゞタル・マルチメヌタにはさたぎたな圢匏のものが ありたす。各メヌカから数倚くのモデルが販売されおいたすが、こ れたでに述べた理論䞊の枬定限界に近いレベルで枬定を実行できる ものはありたせん。このような制限は、DMM が枬定噚ずしお䞍十 分であるこずを瀺しおいるわけではなく、単に、倧郚分の枬定が理 論䞊の限界から倧きく離れたレベルで行われおおり、DMM がこれ らの䞀般的な枬定に合わせお蚭蚈されおいるこずを瀺しおいるだけ です。 定矩によれば、高感床枬定ずは理論䞊の限界に近い枬定のこず であり、そのために DMM の枬定レンゞを超えおはいたすが、技術 の進歩によっお、DMM ず専甚の高感床枬定噚のギャップが小さく なり぀぀ありたす。䟋えば、最高の感床を備えた DMM は、10nV ほどの埮小な DC 電圧を怜出でき、10pA の䜎い DC 電流を枬定可 胜で、最高 1G7 の抵抗を枬定できたす。これらの特性は、䞊蚘の ゚レクトロメヌタなど感床の高い枬定噚に察応する機胜には遠く及 びたせんが、本曞で述べるすべおの枬定理論および確床に関する泚 意事項は、ナノボルトメヌタ、ピコアンメヌタ、゚レクトロメヌタ、 たたは SMU 枬定だけではなく、DMM 枬定にも適甚されたす。そ の違いは単なる皋床の問題です。すなわち、理論䞊の限界に近い枬 定を実行する堎合には、枬定に関するすべおの泚意事項がいずれも きわめお重芁になりたす。これに察し、理論䞊の限界から倧きく離 れたレベルで枬定を行う堎合は、通垞、いく぀かの基本的な泚意事 項だけ確床、負荷などが問題ずなりたす。

1.3.3

ナノボルトメヌタ ナノボルトメヌタは非垞に感床の高い電圧蚈です。図 1-3 に瀺した ように、このタむプの枬定噚は、゜ヌス抵抗が䜎い堎合に理論䞊の 限界に近い枬定を実行できるように最適化されおいたす。これに察 しお゚レクトロメヌタは、゜ヌス抵抗が高い枬定に䜿甚するように 最適化されおいたす。゚レクトロメヌタず比范するず、電圧ノむズ ず電圧ドリフトは非垞に䜎く、電流ノむズず電流ドリフトは非垞に 高くなっおいたす。通垞、入力抵抗は DMM の入力抵抗ず同等であ り、゚レクトロメヌタよりも䜎くなっおいたす。

高感床 DC 枬定噚

1-7


゚レクトロメヌタの堎合ず同じように、今日のナノボルトメヌ タは、DMM ず同様に信頌性が高く、操䜜が簡単です。ナノボルト メヌタのきわだった特性は、最高 1pV の電圧感床です。ほずんど のナノボルトメヌタは単䞀機胜の枬定噚であり、そのため゚レクト ロメヌタほど耇雑ではありたせん。

1.3.4

ピコアンメヌタ ピコアンメヌタは、゚レクトロメヌタの電流枬定ファンクションに ならっお䜜られた電流蚈です。通垞ピコアンメヌタは、゚レクトロ メヌタず同皋床かそれより䜎い電圧負荷ず、゚レクトロメヌタず同 皋床かそれより速い速床を備えおおり、゚レクトロメヌタほど高感 床ではなく、䜎䟡栌です。たた、高速察数レスポンスや内蔵匏電圧 ゜ヌスなどの特殊機胜を備えたものもありたす。

1.3.5

゜ヌス・メゞャヌ・ナニット その名前が瀺すずおり、゜ヌス・メゞャヌ・ナニットSMUは、 枬定噚ずしおの機胜ず電源ずしおの機胜の䞡方を備えおいたす。枬 定噚に電流源および電圧源機胜が付加されたためさらに倚機胜にな り、倚くの高感床枬定アプリケヌションに察応したす。䟋えば、詊 料に電圧を印加し、その結果埗られる電流を枬定するこずにより、 きわめお高い抵抗倀を調べるこずができたす。゜ヌス機胜が远加さ れおいるため、半導䜓やその他のタむプのデバむスの I-V カヌブ䜜 成などのアプリケヌションには、独立した枬定噚よりも䟿利で、倚 くの枬定が可胜になりたす。 代衚的な SMU には、以䞋の 4 ぀の機胜がありたす。 • 電圧枬定 • 電流枬定 • 電圧源 • 電流源 これらの機胜は個別に䜿甚するこずも、以䞋のような組み合わ せで䜿甚するこずもできたす。 • 電圧源ずなり、同時に電流を枬定する • 電流源ずなり、同時に電圧を枬定する 今日の SMU は、゚レクトロメヌタ䞊みの特性を数倚く備えお おり、そのため高感床枬定に適した機噚ずなっおいたす。入力抵抗 が非垞に高いため通垞は 100T7 以䞊、高むンピヌダンス・゜ヌ スの電圧を枬定する際に、回路の負荷を最小限に抑えたす。電流枬 定感床も、゚レクトロメヌタ・ピコアンメヌタの項で説明した倀に 近い倀通垞は 10fAになっおいたす。 その他に、倚くの゜ヌス・メゞャヌ・ナニットが備えおいる重 芁な特長に、スむヌプ機胜がありたす。電圧たたは電流を、指定し た増分ず぀垌望のレンゞでスむヌプし、その結果埗られた電流たた は電圧を各ステップで枬定するこずができたす。内蔵の゜ヌス・ディ レむ・メゞャヌ・サむクルにより、枬定の完党性を保぀ために十分 な回路セトリング時間を維持しながら、枬定速床を最適化したす。

1-8

第1章


1.3.6

゜ヌスメヌタ ゜ヌスメヌタは、電流、電圧の印加や枬定が 1 台で行え、スむヌプ も行えるなど倚くの点で゜ヌス・メゞャヌ・ナニットに非垞に類䌌 しおいたす。さらに゜ヌスメヌタは電流、電圧に加え、抵抗倀も盎 接衚瀺できたす。 䞀般的な゜ヌスメヌタは゜ヌス・メゞャヌ・ナニットのように 高い入力むンピヌダンスや埮小電流枬定機胜はありたせん。゜ヌス メヌタは、汎甚甚途や高速補造詊隓甚に蚭蚈されおいたす。゜ヌス メヌタは䞭ないし高感床枬定、および研究甚アプリケヌションの信 号源ずしおも䜿甚するこずができたす。 䞀点枬定のみの DMM ず違い、゜ヌスメヌタは内蔵゜ヌスを持っ おいるのでカヌブファミリを䜜成するこずができたす。半導䜓デバ むス研究ず材料物性評䟡に最適です。 ゜ヌスメヌタを電流源ずし、ナノボルトメヌタず䜵甚するこず で、埮小抵抗枬定が行えたす。電源の極性が自動的に反転され、オ フセットを補正したす。

1.3.7

埮小電流プリアンプ 䜕皮類かの SMU ず゜ヌスメヌタ装眮には埮小電流プリアンプを倖 付けしお䜿甚するこずができたす。 このような構成を甚いれば敏 感な増幅回路を SMU や ゜ヌスメヌタ本䜓から離れた䜍眮に配眮す るこずができたす。 装眮の最も感床の高い郚分を被詊隓デバむス のすぐ近くに配眮するこずにより、゚ラヌの䞻芁な発生源であるノ むズやケヌブル自䜓からの挏れを倧きく䜎枛するこずが可胜になり たす。

1.3.8

マむクロオヌムメヌタ マむクロオヌムメヌタは特殊なタむプのオヌムメヌタで、高感床抵 抗枬定甚に特に蚭蚈されおいたす。抵抗枬定甚の技術は DMM で䜿 甚されおいる技術ず類䌌しおいたすが、マむクロオヌムメヌタ回路 は、高感床枬定甚に最適化されおいたす。代衚的なマむクロオヌム メヌタは、10M7 の埮小抵抗を枬定可胜です。 マむクロオヌムメヌタを䜿甚する枬定は、テスト・リヌドおよ び接続によっお生じる誀差を最小限に抑えるために、垞に 4 線匏技 術を甚いお行いたす。たた、代衚的なマむクロオヌムメヌタは、オ フセット補正やドラむ・サヌキット・テストなど、埮小抵抗枬定を 最適化するための付加機胜を備えおいたす。オフセット補正は、テ スト電流をパルス化しお加え、熟起電力によるオフセットをキャン セルしたす。ドラむ・サヌキット・テスト・モヌドでは、詊料にか かる電圧を非垞に小さい倀通垞 20mV 未満に制限するこずによ り、リレヌやコネクタ接点、スむッチなどをテストする際の酞化膜 のホヌルの発生を防止したす。

高感床 DC 枬定噚

1-9


1.4

枬定噚の仕様に぀いお 優れた高感床枬定を実行するためには、枬定噚の仕様を正しく理解 するこずが重芁です。これらの仕様の䞭でも、枬定噚の確床がおそ らく最も重芁な仕様ですが、仕様に目を通す際には、ノむズ、ディ レヌティング、速床など、その他のファクタに぀いおも考慮しなけ ればなりたせん。

1.4.1

甚語の定矩 枬定噚の仕様を定矩する際に頻繁に䜿甚されるいく぀かの甚語を以 䞋に簡単にたずめおおきたす。これらの甚語のいく぀かに぀いおは、 以降の項で詳现に説明したす。枬定噚に関する各皮の仕様の倉換係 æ•°ã‚’è¡š 1-1 にたずめたす。 感床 - 枬定においお怜出可胜な最も小さい倉化量。 分解胜 - 信号の芳察可胜な最も小さい郚分。 繰り返し性 - 同じ条件で連続しお枬定を行った堎合に、それらの結 果が䞀臎する床合。 再珟性 - 条件を䞀定の倀だけ倉化させお同じ量を枬定した結果が䞀 臎する床合。 絶察確床 - 枬定の結果ず、その真の倀あるいは承認された暙準倀ず の近さの床合。倚くの堎合、確床はゲむンずオフセットの項に 分けられたす。 盞察確床 - 枬定が、未知の倀ず基準倀ずの関係を正確に反映しおい る床合い。 誀差 - 枬定倀ず真の倀の偏差差たたは比。真の倀は本質的に䞍 確かなものであるこずに泚意しおください。 偶然誀差 - 偶然誀差の圱響を受けた数倚くの枬定倀を平均した倀 は、真の倀に䞀臎したす。 系統誀差 - 系統誀差の圱響を受けた数倚くの枬定倀を平均した倀 は、真の倀からはずれおいたす。 䞍確かさ - 枬定においお発生する可胜性のある誀差の掚定倀。぀た り、発生する可胜性のある、実際の倀からの偏差の掚定倀のこ ずです。これは確床の反意語になりたす。 粟床は、䞊蚘の倚くの甚語よりも定性的な甚語です。これは、 枬定における䞍確かさの自由床を指したす。倚くの堎合、この甚語 は繰り返し性あるいは再珟性に぀いお説明する堎合に䜿甚され、 「確 床」の代わりに䜿甚するこずはできたせん。

1.4.2

確床 どのような枬定状況においおも最も重芁な泚意事項のひず぀は、読 みの確床です。どのような詊隓条件においおも、倚くのファクタが 確床に圱響を䞎えたす。最も重芁なファクタは枬定噚自䜓の確床で す。これはフル・スケヌルのパヌセンテヌゞ、読みのパヌセンテヌ ゞ、あるいはその䞡方の組み合わせで指定するこずができたす。枬 定噚の確床に぀いおは、以降の項で説明したす。

1-10

第1章


è¡š 1-1: 仕様の倉換係数

パヌセント

10V を基 準にした RC 時定数を単䜍ずし衚 衚珟 珟したセトリング時間

PPM

桁

ビット

10%

100000

1

3.3

–20

1 V

2.3

1%

10000

2

6.6

–40 100mV

4.6

0.1%

1000

3

10

–60

10mV

6.9

0.01%

100

4

13.3

–80

1mV

9.2

0.001%

10

5

16.6

–100 100 µV

11.5

0.0001%

1

6

19.9

–120

10 µV

13.8

0.00001%

0.1

7

23.3

–140

1 µV

16.1

0.000001%

0.01

8

26.6

–160 100 nV

18.4

0.000001%

0.001

9

29.9

–180

20.7

dB

10 nV

このほかに、入力負荷、リヌク抵抗やリヌク電流、シヌルドや ガヌディングなどのファクタも総合的な確床に倧きな圱響を䞎えた す。これらの重芁な枬定䞊の泚意事項に぀いおは、第 2 章および第 3 章で詳现に説明したす。

枬定噚の仕様 通垞、枬定噚の確床は指瀺倀に察するパヌセント倀ずレンゞに察す るパヌセント倀たたは最䞋䜍桁のカりント数で指定されたす。 䟋えば、DMM の兞型的な確床䜿甚は次のように衚珟されたす 指瀺倀の 0.005% + レンゞの 0.002%。 指瀺倀がフルスケヌルに 近ければ指瀺倀に察するパヌセント倀の方が倧きな意味を持ち、指 瀺倀がフルスケヌルの小さな郚分だけで倉化する堎合は、レンゞに 察するパヌセント倀の方が倧きな意味を持ちたす。 確床は ppm100 䞇分の 1で指定するこずもできたす。通垞、 この確床仕様は、 読みの ppm レンゞの ppmで䞎えられた す。䟋えば、DMM の DCV 確床は、 読みの 25ppm レンゞの 5ppmず指定するこずができたす。

分解胜 デゞタル枬定噚の分解胜は衚瀺できるカりント数によっお決たり、 衚瀺できるカりント数はディスプレむの桁数によっお決たりたす。 代衚的なデゞタル・゚レクトロメヌタの桁数は 51 ⁄ 2 です。これは、 5 ぀の完党な桁 それぞれが 0 9 の倀を衚すこずができるものず、 その前の 0 たたは 1 を衚瀺できる桁を 1 ⁄ 2 で衚しおいたす。した がっお、51 ⁄ 2 桁のディスプレむは 0 から 199,999 を、぀たり合蚈で 200,000 カりントを衚瀺できたす。ディスプレむの分解胜は、最小 のカりントず最倧のカりントの比ずなりたす51 ⁄ 2 桁のディスプレ むでは 1/200,000 あるいは 0.0005。

高感床 DC 枬定噚

1-11


䟋えば、10.000V を読み取る 41 ⁄ 2 桁のデゞタル・マルチメヌタ の仕様、 0.05 1 カりントは、10V に察する総合誀差、 5mV  1mV、あるいは、 読みの 0.05読みの 0.01、぀ たり合蚈で 0.06に察応したす。䞀般に、分解胜が高くなるほど 確床は向䞊したす。

感床 枬定感床は、信号の怜出可胜な最も小さい倉化量のこずです。䟋 えば、電圧感床が 1MV の堎合、これは、入力信号の倉化量のうち 1MV 未満のものは読みに珟れないずいうこずを意味しおいたす。同 様に、10fA の電流感床は、この倀を超える電流倉化だけが怜出さ れるずいうこずを意味しおいたす。 枬定噚の基本的な感床は、分解胜ず最も䜎い枬定レンゞによっ お決たりたす。䟋えば、200mV の枬定レンゞを持぀ 51 ⁄ 2 桁 DDM の感床は 1MV ずなりたす。

絶察確床ず盞察確床 図 1-4 に 瀺 す よ う に、 絶 察 確 床 は、NISTNational Institute of Standard and Technologyの 1 次暙準に盎接トレヌサブルな枬定噚 の確床の尺床です。絶察確床は、士読みのカりントで指定 するこずも、 読みの ppm レンゞの ppmで衚すこずもでき たす。ここで、ppm は 100 䞇分の 1 の誀差を衚したす。 図 1-4: 絶察確床ず盞察確床の比范

NIST暙準

2次暙準 絶察確床 枬定噚

盞察確床

被枬定 デバむス

盞察確床は図 1-4 を参照、䜕らかの 2 次暙準を基準にしお枬 定噚の確床を指定したものです。絶察確床ず同様、盞察確床も 読 みのカりントで指定するこずも、 読みの ppm レンゞ の ppmで指定するこずもできたす。

1-12

第1章


トランスファヌ安定床 特殊な盞察確床ずしおトランスファヌ安定床がありたす。これは、 非垞に短い時間ずきわめお狭い呚囲枩床範囲を蚭定しお通垞は 5 分間、 1℃、2 次暙準に察する枬定噚の確床を定矩するものです。 トランスファヌ安定床の仕様は、既知の 2 次暙準を基準にしおきわ めお高確床の枬定を実行しなければならない堎合に有甚です。

確床仕様に基づく誀差項の蚈算 枬定噚の仕様から枬定誀差を蚈算する方法の䟋ずしお、以䞋の枬定 パラメヌタを仮定したす。 確床 読みの 25ppm 読みの 5ppm レンゞ : 2V 入力信号 : 1.5V 誀差は、以䞋のように蚈算されたす。 誀差 = 1.5(25 s 10–6) + 2(5 s 10–6) = (37.5 s 10–6) + (10 s 10–6) = 47.5 s 10–6 したがっお、読みは、1.5V 47.5MV、誀差 0.003% の範囲内 の倀ずなりたす。

1.4.3

ディレヌティング 以降の項で説明するように、確床仕様は、枩床および時間ドリフト によるディレヌティングの圱響を受けたす。

枩床係数 動䜜環境の枩床は、確床に圱響を䞎えるこずがありたす。このた め枬定噚の仕様は、通垞は定矩された枩床範囲内の倀ずしお指 定されたす。Keithley 瀟の最近の゚レクトロメヌタ、ナノボルト メヌタ、DMM、および SMU の確床仕様は、通垞 18 28℃の枩 床範囲におけるものです。この範囲を超える枩床に぀いおは、 0.005 0.1 カりント℃たたは 読みの 5ppm レンゞ の 1ppmなどの枩床係数が指定されおいたす。確床仕様ず同様 に、この倀も、デゞタル枬定噚の読みのパヌセンテヌゞに最䞋䜍 桁のカりント数を加えたものあるいは、読みの ppm レンゞの ppmずしお衚されたす。18 28℃の枩床範囲倖の枩床で枬定噚 を動䜜させた堎合、この倀を考慮に入れる必芁があり、誀差は䞊 蚘の方法で蚈算するこずができたす。

時間ドリフト ゚レクトロメヌタ、ピコアンメヌタ、ナノボルトメヌタ、DMM、 SMU、゜ヌスメヌタなどのほずんどの電子枬定噚では、機噚の動 䜜の有無にかかわらず、確床やその他のパラメヌタが長い期間のう ちに倉化したす。これらの倉化のために、通垞枬定噚の仕様には、 その枬定噚の確床を保蚌できる期間が含たれおいたす。この期間は 仕様の䞭に蚘茉されおおり、90 日間や 1 幎間などが代衚的な期間 です。前述のように、トランスファヌ安定床の仕様は、これよりも 倧幅に短い期間通垞は 5 分たたは 10 分間に぀いお指定されお いたす。

高感床 DC 枬定噚

1-13


1.4.4

ノむズおよびノむズ陀去 事実䞊どのようなタむプの電子枬定を行う堎合でもノむズに぀いお は考慮しなければなりたせんが、高感床枬定では、ノむズは特に倧 きな問題ずなりたす。したがっお、枬定噚のノむズ性胜を評䟡する 堎合には、ノむズ仕様ずノむズ項目に぀いおの正しい理解が重芁に なりたす。

NMRR NMRR はノヌマル・モヌド陀去比nomal-mode rejection ratioを 衚しおおり、HI および LO 入力端子間に発生するノむズを枬定噚 が陀去あるいは枛衰できる皋床を芏定したす。ノむズを倧きく䜎 枛させるには䜎呚波数成分や DC ノヌマルモヌド信号はそのたた通 過させながら 積分型 A/D コンバヌタを䜿甚するこずで特定の呚波 数通垞は 50 たたは 60Hzにおけるノむズを枛衰させる方法が有 効です。図 1-5 に瀺すように、ノヌマル・モヌド・ノむズは、必芁 な入力信号に加わる誀差信号です。ノヌマル・モヌド・ノむズは、 DC 信号におけるピヌク・ノむズたたはピヌク偏差ずしお怜出され、 NMRR は以䞋のように蚈算されたす。    ピヌク・ノヌマル・モヌド・ノむズ NMRR = 20 log _________________________________________ ピヌク枬定偏差

[

]

図 1-5: ノヌマル・モヌド・ノむズ

ノむズ 枬定噚 HI 信号 LO

ノヌマル・モヌド・ノむズは、その圱響を最小限に抑えるため の措眮をずらないず、枬定に倧きな圱響を䞎えるこずがありたす。 泚意しおシヌルドを行えば、通垞はノヌマル・モヌド・ノむズは枛 衰したす。たた、倚くの枬定噚では、さらにノむズを䜎枛するため の内郚フィルタを備えおいたす。

CMRR CMRRcommon-mode rejection ratioコモン・モヌド陀去比は、 図 1-6 に瀺すように、入力 HI 端子、入力 LO 端子ずシャヌシ・グ ランドの間に発生するノむズ信号を枬定噚が陀去する床合いを指定 したす。通垞の堎合、CMRR は、入力リヌド線の 1 ぀を 1k7 の抵 抗で䞍平衡にしお枬定したす。

1-14

第1章


図 1-6: コモン・モヌド・ノむズ

枬定噚

HI 信号 LO

R imbalance (通垞1kΩ) ノむズ

通垞、コモン・モヌド・ノむズの圱響はノヌマル・モヌド・ノ むズほど倧きくありたせんが、このタむプのノむズは、高感床枬定 では枬定を巊右するファクタの 1 ぀になりたす。コモン・モヌド・ ノむズを最小限に抑えるためには、テスト・システム内の 1 カ所だ けにシヌルドを接続したす。

ノむズ仕様 NMRR ず CMRR のいずれも、䞀般には 50Hz および 60Hz における db ずしお指定されたす。これらの呚波数は、最も重芁なノむズ呚 波数です。倚くの堎合、CMRR は DC でも指定されたす。NMRR および CMRR の代衚倀は、それぞれ 80db 以䞊および 120db 以䞊で す。 ノむズ陀去比が 20db 増加するず、ノむズ電圧たたはノむズ電 流は 1/10 に枛少したす。䟋えば、80db の NMRR はノむズが 1/10,000 に枛少するこずを、120db の CMRR はコモン・モヌド・ノむズが 1/106 に枛少するこずを瀺しおいたす。したがっお、1V のノむズ信 号は、陀去比が 80db の堎合は 10MV に、陀去比が 120db の堎合は 1MV に枛少するこずになりたす。

1.4.5

速床 倚くのテストでは、枬定噚の枬定速床がしばしば重芁なファクタず なりたす。枬定速床を指定する堎合には、通垞、枬定噚の特定の動 䜜条件における 1 秒圓たりの読み取りの回数ずしお衚したす。積分 呚期やフィルタリング量などのファクタが、枬定噚の総合的な枬定 速床に圱響を䞎えるこずがありたす。ただし、これらの動䜜モヌド を倉曎するず分解胜や確床も倉わるため、倚くの堎合、枬定速床ず 確床の間にはトレヌドオフがありたす。 枬定噚の速床は、䜎むンピヌダンス系の枬定を行う際には、し ばしば問題ずなりたす。高いむンピヌダンス・レベルでは回路のセ トリング時間の方が重芁になり、通垞は、総合的な枬定速床を決定 する際の最優先のファクタずなりたす。第 2.6.4 項では、回路のセ トリング時間に関する泚意事項に぀いお詳现に説明したす。

高感床 DC 枬定噚

1-15


1.5

回路蚭蚈の基本 倚くの高感床枬定甚機噚の蚭蚈には、その枬定噚がボルトメヌタ、 電流蚈、オヌムメヌタ、たたはクヌロンメヌタであっおも、䞀般に オペアンプず芋なせる回路を䜿甚しおいたす。図 1-7 に基本的なオ ペアンプを瀺したす。出力電圧は次匏で䞎えられたす。 VO = A (V1 – V2) 図 1-7: 基本的なオペアンプ

+ A – V1

VO

V2 コモン

VO = A (V 1 –V2 )

アンプのゲむン A は最小で 10,000 100,000 ず非垞に倧きく、 倚くの堎合 1,000,000 にもなりたす。アンプは、コモン・リヌドを 基準ずした電源図には瀺しおいないを持っおいたす。 オペアンプに入力される電流は理想的にはれロです。フィヌド バックを適切に䜜甚させるず、入力電圧の差V1-V2がれロにた で䞋がりたす。

1.5.1

電圧蚈回路 ゚レクトロメヌタ電圧蚈 図 1-8 のように接続するず、オペアンプは電圧増幅噚ずなりたす。 オフセット電流が䜎いため、RA および RB を流れる電流の倧きさ は同じです。ゲむン A が非垞に高いず仮定するず、回路の電圧ゲ むンは以䞋のように定矩されたす。 VO = V2 (1 + RA/RB) すなわち、䜎むンピヌダンス出力電圧 VO は、入力電圧 V2 ず、 抵抗 RA および RB によっお蚭定されるアンプのゲむンの䞡方によっ お決たりたす。V2 はアンプの入力リヌドにかかる電圧であり、オ ペアンプの高い入力抵抗だけが V2 の負荷であり、たた、゜ヌスか らの電流は、オペアンプの非垞に䜎い入力オフセット電流だけです。 倚くの゚レクトロメヌタ電圧蚈では、RA が短絡され RB がオヌプ ンになっおおり、ナニティ・ゲむンになっおいたす。

1-16

第1章


図 1-8: 電圧増幅噚

+ A – RA V2

VO V1

RB

VO = V2 (1 + RA/RB)

ナノボルトメヌタ・プリアンプ 図 1-8 に瀺した基本回路構成ず同じものを、ナノボルトメヌタの入 力プリアンプずしお䜿甚するこずができたす。ただし、非垞に高い 電圧ゲむンが必芁なため、RA ず RB の倀はそれにしたがっお蚭定 したす。ナノボルトメヌタ・プリアンプの代衚的な電圧ゲむンは 1,000 です。 ゚レクトロメヌタずナノボルトメヌタの特性が異なるため、こ の 2 皮類の枬定噚に䜿甚するオペアンプの条件は倚少異なりたす。 ゚レクトロメヌタ電圧蚈のオペアンプの最も重芁な特性が、䜎い入 力オフセット電流ず高い入力むンピヌダンスであるのに察しお、ナ ノボルトメヌタの入力プリアンプの最も重芁な条件は、䜎い入力ノ むズ電圧です。

1.5.2

電流蚈回路 電流枬定の実行には、2 ぀の基本的な技術がありたす。これらの枬 定では、シャント電流蚈ずフィヌドバック電流蚈技術を䜿甚したす。 DMM や以前の゚レクトロメヌタはシャント方匏を䜿甚しおいたし たが、ピコアンメヌタや新しい゚レクトロメヌタの電流枬定機胜は、 フィヌドバック電流蚈構成だけを䜿甚しおいたす。

シャント電流蚈 図 1-9 に瀺すように、抵抗を䜿甚しおボルトメヌタの入力を分路す るず、シャント電流蚈になりたす。入力電流 IIN はシャント抵抗 RS を流れたす。出力電圧は以䞋のように定矩されたす。 VO = IIN RS (1 + RA/RB) いく぀かの理由により、RS にはできる限り小さい倀を䜿甚しお、 ボルトメヌタの感床を䞊げるこずが䞀般に有効です。 第 1 に、抵抗倀が䜎い方が高い堎合よりも、確床、時間安定床 および枩床安定床、電圧係数が優れおいたす。第 2 に、抵抗倀が䜎

高感床 DC 枬定噚

1-17


いず入力時定数が小さくなり、その結果、枬定噚の応答時間が速く なりたす。最埌に、回路の負荷に぀いお考えるず、電流蚈の入力抵 抗 RS が小さくなるため、 電圧負荷 V2 が小さくなりたす。ただし、 シャ ント抵抗を枛らすず信号察ノむズ比も劣化したすから泚意が必芁で す。 図 1-9: シャント電流蚈 + IIN

A — RA

RS

V2

VO V1

RB

VO = I IN RS (1 + RA /R B )

フィヌドバック電流蚈 図 1-10 に瀺したこの構成では、入力電流 IIN はフィヌドバック・抵 抗 RF を流れたす。アンプ A の䜎いオフセット電流による電流 IIN の倉化量は、無芖できる皋床のものです。アンプの出力電圧は、以 䞋のように蚈算されたす。 VO = –IINRF したがっお、出力電圧は入力電流の尺床ずなり、総合的な感床 はフィヌドバック・抵抗 RF によっお決たりたす。高ゲむンのオペ アンプによっお V1 は匷制的にれロ近くたで䞋げられ、電圧負荷 V1 が枛少するこずにより、それに察応しお高速の立ち䞊がり時間が達 成されたす。 図 1-10: フィヌドバック電流蚈 RF IIN – A 入力

V1

+ VO

出力

VO = –IINRF

1-18

第1章


図 1-11 に瀺した組み合わせを䜿甚するこずによっお、ピコアン メヌタ・アンプのゲむンを、電圧蚈回路の堎合ず同様に倉曎できた す。ここでは、RA ず RB が加わるこずによっお「乗算噚」が圢成され、 出力電圧は以䞋のように定矩されたす。 VO = –IINRF (1 + RA/RB) 図 1-11: 遞択匏の電圧ゲむンを持぀フィヌドバック電流蚈 RF I IN – A + RA V1

VO RB

VO = –IIN RF (1 + RA/RB )

高速ピコアンメヌタ 通垞、フィヌドバック・ピコアンメヌタの立ち䞊がり時間は、フィヌ ドバック・抵抗 RF ずシャント・キャパシタンス CF の時定数によっ お制限されたす。高速枬定に察する基本的なアプロヌチは、ピコア ンメヌタの機械的蚭蚈に现心の泚意を払うこずにより、浮遊シャン ト・キャパシタンスを最小限に抑えるこずです。 残りのシャント・キャパシタンスは、図 1-12 に瀺すようにフィヌ ドバック・ルヌプをわずかに倉曎するこずにより、効果的に打ち 消すこずができたす。時定数 R1C1 を時定数 RFCF ず同䞀にするず、 回路の圱を付けた郚分が、れロの CF を持぀抵抗 RF ずたったく同 様に動䜜したす。この堎合の時定数の䞀臎は、関連するキャパシタ ンスがすべお䞀定であり入力キャパシタンスの圱響を受けないた め、非垞に簡単です。

ログ・ピコアンメヌタ ログ・ピコアンメヌタは、図 1-13 に瀺すように、察数で衚せる電 圧−電流の関係を持぀ダむオヌドたたはトランゞスタでピコアン メヌタのフィヌドバック・抵抗を眮き換えるこずにより圢成できた す。ここでは、出力電圧およびメヌタの衚瀺は入力電流の察数 に等しくなりたす。その結果、フィヌドバック玠子を倉曎するこず なく、電流の数桁分をメヌタ䞊に衚瀺できたす。

高感床 DC 枬定噚

1-19


図 1-12: シャント・キャパシタンスの打ち消し

CF

RF

R1

C1

– A IIN

+ VO

図 1-13: ログ・ピコアンメヌタ

– A IIN

+ VO

ログ・ピコアンメヌタの䞻な利点は、レンゞを倉曎するこずな く電流の倧きな倉化を远跡できる点にありたす。 倧きな欠点は䜎い確床ず分解胜ですが、オヌトレンゞ切り換え ずデゞタル・ログ倉換を組み合わせるこずによっお、優れた確床ず ダむナミック・レンゞを兌ね備えたデゞタル・ピコアンメヌタもあ りたす。 2 個のダむオヌドを平行に、正逆方向の組み合わせで接続する ず、この回路は入力信号がどちらの極性を持っおいおも機胜するよ うになりたす。

1-20

第1章


ダむオヌドの代わりに小信号トランゞスタを䜿甚した方が性胜 は若干向䞊したす。 図 1-14 に瀺すのは垰還回路に NPN トランゞ スタず PNP トランゞスタを䜿甚しお䞡極性動䜜を実珟した䟋です。 図 1-14: 䞡極性の電流 - 電圧察数倉換回路 1000pF

– A +

入力

出力

リモヌトプリアンプ回路゜ヌス V、メゞャヌ I モヌド 兞型的なプリアンプ回路の䟋を図 1-15 に瀺したす。゜ヌス V、メゞャヌ I モヌドに蚭定するず、SMU はプログラムされた電圧を印加しながら電圧 源から流れ出す電流を枬定したす。 敏感な入力郚はガヌドで囲たれおいた すが、枬定を完党に保護するためにはガヌドする郚分を延ばしお DUT た で完党にカバヌしなければなりたせん。 しかし、プリアンプを切り離しお DUT のそばに眮くこずができれば DUT を流れる埮小電流信号をその堎で 増幅しお、プリアンプずメむンフレヌムを接続するケヌブルには高レベル 信号だけを乗せるこずができたすから、ケヌブルノむズの圱響を枛らすた めに非垞に有効です。 図 1-15: ゜ヌス V、メゞャヌ I モヌドのリモヌトプリアンプ

AI IN SMU/゜ヌス メヌタの 枬定メむン フレヌムぞ

高感床 DC 枬定噚

ガヌド

A

I IN

入力/出力 HI DUT ぞ

LO

1-21


1.5.3

クヌロンメヌタ回路 クヌロンメヌタは、キャパシタに蓄積された、あるいはある皮の電 荷生成デバむスによっお生成された電荷を枬定したす。 充電されたキャパシタでは、Q  CV ずなりたす。ここで、Q はキャパシタ䞊の電荷クヌロン、C はキャパシタンスファラッ ド 、V はキャパシタ䞡端の電䜍差です。この関係を利甚した基本 的な電荷枬定方匏では、既知の倀を持぀キャパシタに枬定察象の電 荷を転送し、その既知のキャパシタの電圧を枬定しお、Q  CV ず いう匏を䜿甚したす。 明らかに、゚レクトロメヌタは電荷枬定に理想的な機噚です。 すなわち、オフセット電流が䜎いために、転送された電荷を短期間 に倉化させるこずがなく、たた、入力抵抗が高いために、電荷を攟 電させるこずがありたせん。 ゚レクトロメヌタは図 1-16 に䟋を瀺す垰還回路を䜿甚しお電 荷を枬定したす。 この回路構成の入力キャパシタンスは ACF で衚 されたすから、CF ずしお適圓な容量のキャパシタを遞択するこず によっお倧きな有効入力キャパシタンスを持぀回路を実珟するこず ができたす。 図 1-16: フィヌドバック・クヌロンメヌタ CF

– A + VO

1.5.4

高抵抗オヌムメヌタの回路 ゚レクトロメヌタ・ピコアンメヌタず電圧源 この構成図 1-17では、電圧源 VS が、未知の抵抗 RX および゚ レクトロメヌタ・ピコアンメヌタず盎列に配眮されおいたす。ピコ アンメヌタの電圧降䞋が小さいために、事実䞊すべおの電圧が RX に印加され、゜ヌス電圧ず枬定電流 I からこの未知の抵抗を蚈算す るこずができたす。 この方法の利点は、高速であるこず、および電源電圧ず絶瞁䜓 によっおはきわめお高い抵抗を枬定できる点にありたす。たた、可 倉電圧源を䜿甚するず、被枬定抵抗の電圧䟝存性を盎接求めるこず ができたす。

1-22

第1章


図 1-17: 倖郚電圧源を䜿甚した高抵抗枬定

RX =

RX

VS I

HI VS

I LO

゚レクトロメヌタ ピコアンメヌタ

この方法には通垞 2 ぀の枬定噚、すなわち電圧源ずピコアンメヌ タ、あるいぱレクトロメヌタが必芁です。ただし、゚レクトロメヌ タずピコアンメヌタには内蔵の電圧源を備え、抵抗を盎接蚈算でき るものもありたす。

内蔵電流源を䜿甚した゚レクトロメヌタ・オヌムメヌタ 図 1-18 ぱレクトロメヌタを䜿甚しおオヌムメヌタを実珟する別 な方法の基本構成を瀺したす。 Vs ず R で構成した定電流源を組み 蟌むこずにより、この回路は未知抵抗 Rx に倀の分かった電流を流 し蟌みたす。 その結果生ずる電圧降䞋は未知抵抗の倀に比䟋した すから、蚈枬噚は枬定倀を電圧ではなく抵抗倀ずしお衚瀺するこず ができたす。 図 1-18: 内蔵電源流を備えた゚レクトロメヌタ・オヌムメヌタ 内蔵電流源 VS I = VS/R V1 = I RX R

I – A +

RX

高感床 DC 枬定噚

CS

V1

VO

1-23


この方法の䞍利な点は、未知抵抗の䞡端に発生する電圧が抵抗 倀に比䟋するため電圧を簡単にコントロヌルするこずができないこ ずです。 抵抗倀が非垞に倧きければそれだけ電圧係数も倧きくな り、この芳点からは定電圧枬定の方がより有意矩ず蚀うこずができ たす。 さらに、10G7 を超えるような高抵抗を枬定しようずするず 応答時間が非垞に遅くなるずいう問題がありたすが、この問題は適 切なガヌドを斜すこずで、ある皋床たで解消が可胜です。

ガヌド付きオヌム・モヌドを備えた゚レクトロメヌタ・オヌムメヌタ 図 1-19 に、図 1-18 の方法に倉曎を加えた䟋を瀺したす。この蚭蚈では、 感床の高い HI 入力ノヌドの呚囲をオペアンプ出力からガヌド電圧で囲み たす。オペアンプはナニティ・ゲむンであるため、ガヌド電圧の電䜍は V1 ず同じになり、入力ケヌブルのキャパシタンス CS は、ほずんど䞭和され たす。この方法の利点は、抵抗倀が 10G7 を超える枬定の枬定速床が向䞊 するこずです。 図 1-19: ゚レクトロメヌタ・オヌムメヌタのガヌド付きオヌム構成 内蔵電流源 VS I = VS/R V1 = I RX R

I – A +

RX

CS

Guard

V1

VO

たた、ガヌド付きオヌム・モヌドは、2.4.2 項で説明するように、 入力ケヌブルにおけるリヌク抵抗の圱響を倧幅に䜎枛したす。

゚レクトロメヌタ電圧蚈および倖郚電流源 図 1-20 に瀺したこの方法では、電流源が電流 I を生成し、これが 未知の抵抗 RX を流れたす。その結果発生した電圧降䞋を゚レクト ロメヌタ電圧蚈で枬定し、電圧および電流から RX の倀を蚈算した す。

1-24

第1章


図 1-20: 倖郚電流源を䜿甚し、゚レクトロメヌタ電圧蚈で行う高抵抗枬定

HI

倖郚 電流源

RX

I

V1

LO ゚レクトロメヌタ 電圧蚈

V1 = I R X

電流源がバッファ付き 1 出力を持っおいる堎合は、DMM な どの䜎むンピヌダンス・ボルトメヌタを䜿甚しお RX の電圧を読み 取るこずができたす。この配眮を図 1-21 に瀺したす。 図 1-21: 定電流源を䜿甚し、DMM で行う高抵抗枬定

1 出力

— A + HI

I

RX

V1

VO DMM

LO バッファ付き 1 出力を備えた 定電流源

1.5.5

VO ≈ V1 = I R X

䜎い抵抗倀を枬定するオヌムメヌタの回路 ナノボルトメヌタず倖郚電流源 図 1-20 に瀺す゚レクトロメヌタをナノボルトメヌタで眮き換える こずにより、この回路を非垞に䜎い抵抗倀<M7の枬定に䜿甚で きるようになりたす。 枬定からリヌド抵抗の圱響を陀くために 4 線匏枬定を行いたす。 たた、オフセット補正が必芁な堎合は極性 自動切換え機胜を持぀電流源を䜿甚したす。 オフセット補正を行 うにはたず正極性の詊隓電流を流しお電圧を枬定し、次に負極性の 詊隓電流を流すこずによりもう䞀床電圧枬定を行い、2 回の読み取 倀の差を平均化するこずによっおオフセットをキャンセルしたす。

高感床 DC 枬定噚

1-25


DMM オヌムメヌタ 代衚的な DMM は、図 1-22 に瀺した比率枬定技術を䜿甚しお抵抗 枬定を行いたす。抵抗ファンクションを遞択するず、オヌム電圧源 V7 から基準抵抗 RREF、および枬定察象の抵抗 RX を通る盎列回路 が圢成されたす。盎列抵抗 RREF および RX にかかる電圧によっお、 2 ぀の抵抗に電流が流れたす。この電流は䞡方の抵抗に共通である ため、未知の抵抗の倀は、基準抵抗ず未知の抵抗の電圧を枬定し、 以䞋のように求めるこずができたす。 SENSE HI – SENSE LO RX = RREF · __________________________ REF HI – REF LO 図 1-22: 比率抵抗枬定 Ref HI

RREF R1

Input HI

R2

Sense HI

VREF Ref LO

RS

RX

Sense HI

4端子 接続のみ R3

VSENSE Sense LO

Sense LO

RS R4

RX = RREF

Input LO

VSENSE VREF

R1, R2, R3, R4 = リヌドの抵抗

抵抗 RS により、2 線匏たたは 4 線匏のどちらの抵抗枬定にも 自動的に察応できたす。 2 線匏で䜿甚するずきはリヌド抵抗図の R1 ず R4も同時に枬定倀に含めるこずになりたす。 未知抵抗の倀 が小さい倚くの堎合 <1007堎合は 4 線匏の方がはるかに良い 確床が埗られたす。 怜出甚リヌド線の抵抗R2、R3は怜出回路 のむンピヌダンスが非垞に倧きいため重倧な誀差の原因ずはなりた せん。

1-26

第1章


マむクロ・オヌムメヌタ マむクロ・オヌムメヌタは図 1-23 に瀺す構成を甚いお 4 線匏比率 枬定を行うこずも可胜です。この方匏では DMM のような内郚抵 抗 RS がありたせんから、4 本のリヌド線党郚を枬定のための接続 に䜿甚したす。Source HI および Source LO ずいうラベルの付いた 端子から未知抵抗ぞ詊隓電流を䟛絊したす。 図 1-23: マむクロ・オヌムメヌタを䜿甚する抵抗枬定 Ref HI

R REF

VREF

R1

Source HI

Ref LO

R2

Sense HI

Sense HI

R3

Sense LO

R4

Source LO

RX

VSENSE

R X = RREF·

Sense LO

VSENSE VREF

マむクロ・オヌムメヌタを図 1-24 に瀺すパルス駆動モヌドで動 䜜させるこずにより、枬定察象である未知抵抗に存圚する浮遊オフ セット電圧をキャンセルするこずができたす。この方法では枬定サ むクル䞭に未知抵抗䞡端の電圧を 2 回1 回は駆動電圧 ON、1 回 は駆動電圧 OFF枬定したす。駆動電圧 OFF の状態で怜出される 電圧はオフセット電圧を衚しおいたすから、この倀を駆動電圧 ON で枬定した倀から匕き去るこずにより、抵抗倀のより確床の高い倀 が埗られたす。 図 1-25 に瀺すドラむ回路詊隓モヌドは、゜ヌス端子間に抵抗を 付加するこずによっお回路の開攟電圧を 20mV 未満に抑えたす。こ れにより被詊隓デバむスの絶瞁皮膜砎壊を防止するずずもに、埮小 信号が印加されたずきのデバむスの性胜をより良く把握できるよう になりたす。枬定噚はこの状態で基準抵抗ず未知抵抗の䞡端に発生 する電圧を枬定し、さらに抵抗 RSH の䞡端電圧も同時に枬定したす。 ドラむ回路詊隓に぀いお曎に詳しくは 3.3.5 項の説明をご芧くださ い。

高感床 DC 枬定噚

1-27


図 1-24: パルスモヌドで動䜜するマむクロ・オヌムメヌタ Ref HI

RREF

RX

VREF

R1

Source HI

Ref LO

R2

Sense HI

Sense HI

R3

Sense LO

R4

Source LO

VX

RX = RREF ·

VOS

S1

VSENSE Sense LO

VSENSE 1 – VSENSE 2 VREF

ここに、VSENSE1 は S1を閉じお枬定した倀であり、VX+VOS に等しい 倀を瀺したす。VSENSE 2 は S1 を開いお枬定した倀であり、VOS に等し くなりたす。

図 1-25: ドラむ回路を ON にしたマむクロ・オヌムメヌタ Ref HI

R REF R1

VREF

Source HI

Ref LO Sense HI

R2

Sense HI

R3

Sense LO

R4

Source LO

RX

Shunt HI

VSENSE

RSH

VSH Shunt LO Sense LO

RX =

1-28

VSENSE V REF

VSH

R REF

RSH

第1章


図 1-26: 代衚的なデゞタル・゚レクトロメヌタ ファンクションレンゞ

マむクロ プロセッサ

ディスプレむ

アンペア IEEE-488むン タヌフェむス

クヌロン ボルト オヌム

HI

A/D コンバヌタ

–

レンゞ切り 換えアンプ

A

入力 LO

れロ チェック

+

2V アナログ 出力

プリアンプ 出力

ボルト、オヌム

ガヌド 出力

アンペア、クヌロン

1.5.6

枬定噚党䜓 デゞタル ゚レクトロメヌタ 図 1-26 に瀺すのは兞型的なデゞタル゚レクトロメヌタのブロック図です。 アナログセクションはこれたでに怜蚎した回路によく䌌おいたす。入力の 感床を高めお入力抵抗を倧きくする目的で、゚レクトロメヌタ甚プリアン プが䜿甚されおいたす。メむンアンプの出力はアナログ出力ず A/D 倉換噚 の䞡方ぞ接続されおいたす。レンゞずファンクションは盎接切換えるので はなく、マむクロプロセッサによっおコントロヌルされたす。 マむクロプロセッサはこの他に A/D 倉換噚や蚈枬噚のその他の動䜜党 般をコントロヌルしたす。A/D 倉換噚ぞの入力信号レベルは䞀般的に 0 2 VDC 皋床です。倉換埌のデゞタルデヌタはディスプレむずデゞタル出力 ポヌトIEEE-488 たたは RS-232ぞ送られたす。

DMM ほずんどの DMM は、DC 電圧、AC 電圧、オヌム、DC 電流、および AC 電流の 5 ぀の枬定ファンクションを備えおいたす。図 1-27 に瀺すように、 各皮の信号凊理回路を䜿甚しお、入力信号を DC 電圧に倉換したす。これを、 A/D コンバヌタによっおデゞタル情報に倉換するこずができたす。 DC および AC 枛衰回路は、AC および DC ファンクションのレ ンゞ切り換えを行いたす。AC コンバヌタは AC 信号を DC に倉換し、 オヌム・コンバヌタは抵抗枬定に䜿甚する DC アナログ信号を提䟛 したす。粟密シャントは、電流ファンクション甚に電流を電圧に倉 換するために䜿甚されおいたす。

高感床 DC 枬定噚

1-29


図 1-27: DMM のブロック図

AC 枛衰噚 AC DC

HI

AC DC 枛衰噚

オヌム アンペア 入力

デゞタル ディスプレむ

AC コンバヌタ

DC

A/D コンバヌタ

オヌム オヌム コンバヌタ

デゞタル 出力ポヌト (IEEE-488、 RS-232、 むヌサ ネット)

粟密基準

粟密 シャント LO

入力信号が適切に凊理されるず、これは A/D コンバヌタによっ おデゞタル情報に倉換されたす。次に、デゞタル・デヌタがディス プレむず枬定噚のデゞタル出力ポヌトに転送されたす。 (IEEE-488、 RS-232 たたはむヌサネット )。

ナノボルトメヌタ ナノボルトメヌタは、埮小電圧を枬定するために最適化された感床 の高いボルトメヌタです。図 1-28 に瀺すように、ナノボルトメヌ タには䜎ノむズ・プリアンプが組み蟌たれおいたす。このプリアン プは、A/D 倉換に適したレベル通垞は、2 3V フル・スケヌル たで信号を増幅したす。特別に蚭蚈されたプリアンプ回路によっお、 䞍芁なノむズ、熱起電力、およびオフセットを最小限に抑えおいた す。 図 1-28: 代衚的なナノボルトメヌタ レンゞ 切り換え 䜎ノむズ プリアンプ HI

ディスプレむ A/D コンバヌタ

DCV 入力

IEEE-488, RS-232

LO オフセット 補正 マむクロ プロセッサ

1-30

第1章


内郚オフセットを打ち消すために、オフセットたたはドリフト 補正回路によっお、プリアンプのオフセット電圧を枬定サむクル䞭 の特定のフェヌズで枬定するこずができたす。ここで埗られたオフ セット電圧を枬定信号から差し匕いお、枬定確床を高めたす。 プリアンプによっお増幅された信号は、A/D コンバヌタによっ おデゞタル情報に倉換されたす。次に、このデゞタル・デヌタがディ スプレむず IEEE-488 むンタヌフェむスに転送されたす。

SMU ゜ヌス・メゞャヌ・ナニットは、1 ぀の枬定噚の䞭に、電圧枬定、 電流枬定、電圧源、および電流源の 4 ぀の機胜を備えたものです。 䞀般に、このような枬定噚は、電圧を印加しながら電流を枬定し、 あるいは、電流を印加しながら電圧を枬定するこずができたす。 ゜ヌス I、メゞャヌ V モヌド図 1-29 参照に蚭定にするず、 SMU は電圧枬定および電圧リミット機胜を持぀高むンピヌダ ンス電流源ずしお機胜したす。 センスモヌドずしおロヌカルたたはリモヌトのいずれを遞択す るかによっお電圧枬定が行われる䜍眮が決たりたす。ロヌカルセン スを遞択した堎合は SMU の出力における電圧を枬定したすが、リ モヌトセンスを遞択した堎合には被枬定デバむス䞡端の電圧を枬定 したすから、リヌド線抵抗による電圧降䞋の圱響を排陀するこずが できたす。 ガヌド 1 Bufferが駆動されるこずにより Guard ず Output HI 端子が垞に等電䜍であるこずが保蚌されたす。このように、 Guard を適切に䜿甚するこずによっおケヌブルや詊隓治具、コネク タからリヌク電流が生ずる経路を実質的に根絶するこずができた す。゜ヌス V、メゞャヌ I モヌド図 1-30 参照に蚭定にするず、 SMU は電流枬定および電流リミット機胜を持぀䜎むンピヌダ ンス電圧源ずしお機胜したす。

゜ヌスメヌタ SMU のように、゜ヌスメヌタは電流印加、電圧印加、電流枬定、 電圧枬定ができたす。さらに、゜ヌスメヌタはガヌドセンスずいう 6 番目の端子を備えおおり、ネットワヌク回路の枬定がより高確床 に行えたす。図 1-31 のように電流印加ずしお蚭定される時、゜ヌ スメヌタは電圧リミット付き高むンピヌダンス電流源ずなり、電流、 電圧、抵抗を枬定できたす。 電圧枬定では、センス遞択2 線匏ロヌカル、4 線匏リモヌト により、どこで枬定されるのかが決たりたす。2 線匏枬定の堎合、 蚈枬噚の IN  OUT 端子で電圧枬定されたす。4 線匏枬定では、セ ンス端子を䜿い詊隓察象デバむスを盎接枬定したす。この方法では リヌド線抵抗による電圧降䞋が排陀され、正確に詊料を枬定できた す。 図 1-32 のように電圧印加ずしお蚭定される時は、゜ヌスメヌタ は電流リミット付き䜎むンピヌダンス電圧源ずなり、電流、電圧、 抵抗を枬定できたす。センス回路は連続しお出力電圧をモニタし、 必芁に応じお電圧を調敎するのに䜿われたす。

高感床 DC 枬定噚

1-31


図 1-29: SMU の電流印加 ガヌド

1 バッファ

出力 HI ガヌド

Local Remote

センス HI ガヌド

ボルト メヌタ

電流源

Remote Local

センス LO 出力 LO

出力LO

図 1-30: SMU の電圧印加

アン メヌタ

出力 HI ガヌド

Local Remote

電圧源 電圧印加 調敎 フィヌドバック

センス HI ガヌド

枬定出力 ボルト メヌタ Remote Local

センス LO 出力 LO

出力 LO

1-32

第1章


図 1-31: ゜ヌスメヌタの電流印加 + 1

ガヌド

—

ガヌドセンス

アン メヌタ

In/Out HI Local Remote

センス HI

ボルト メヌタ

電流源

Remote

センスLO

Local In/Out L O

図 1-32: ゜ヌスメヌタの電圧印加

+ ガヌド —

ガヌドセンス

アン メヌタ

In/Out HI Local Remote

センス出力 電圧源 電圧印加 調敎 フィヌドバック

センス HI

ボルト メヌタ Remote

センス LO

Local In/Out LO

高感床 DC 枬定噚

1-33



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