3. SEMICONDUCTOR EXTRÍNSEC. Per millorar les propietats dels semiconductors, se'ls sotmet a un procés de impurificació (anomenat dopatge), consistent a introduir àtoms d'altres elements per tal d'augmentar la seva conductivitat. El semiconductor obtingut es denominarà semiconductor extrínsec. Segons la impuresa (anomenada dopant) distingim:
Semiconductor tipus P: s'empren elements trivalents (3 electrons de valència) com el Bor (B), Indi (In) o gal · li (Ga) com dopants. Ja que no aporten els 4 electrons necessaris per establir els 4 enllaços covalents, a la xarxa cristal · lina aquests àtoms presentaran un defecte d'electrons (per formar els 4 enllaços covalents). D'aquesta manera s'originen buits que accepten el pas d'electrons que no pertanyen a la xarxa cristal · lina. Així, al material tipus P també se li denomina donador de buits (o acceptador d'electrons).
Semiconductor tipus N: S'empren com a impureses elements pentavalents (amb 5 electrons de valència) com el Fòsfor (P), el Arsènic (As) o el Antimoni (Sb). El donant aporta electrons en excés, els quals al no trobar enllaçats, es mouran fàcilment per la xarxa cristal · lina augmentant la seva conductivitat. D'aquesta manera, el material tipus N s'anomena també donador d'electrons.
4. UNIÓ P-N En una unió entre un semiconductor P i un N, a temperatura ambient, els buits de la zona P passen per difusió cap a la zona N i els electrons de la zona N passen a la zona P.
17