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Dispositivos basados en circuitos que posibilitan el almacenamiento limitado de informaci贸n y su posterior recuperaci贸n . Est谩n formadas por matrices de elementos de almacenamiento que pueden se latches o condensadores

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• Memorias de acceso aleatorio(RANDOM ACCESS MEMORY)se denomina así por su velocidad, a diferencia de las ROM • Poseen la capacidad de lectura y escritura. • También se las conoce como memorias volátiles , debido a que pierden su datos cuando se encuentran sin energía. • Se clasifican en 2 sub categorías: la RAM estática (SRAM) y la RAM dinámica (DRAM) Prof. CASTRO QUISPE J.


Memoria de acceso aleatorio estática (STATIC RANDOM ACCESS MEMORY) , es capaz de mantener los datos mientras esté alimentada. Sus celdas están compuestas por flip flops o básicamente por 4 transistores mosfet ,aunque existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares. Prof. CASTRO QUISPE J.


Memoria de acceso aleatorio dinámica (DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY) El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la información almacenada en las celdas. Sus celdas están compuestas por condensadores

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• Memoria de solo lectura (READ ONLY MEMORY) Se caracterizan por ser memorias de lectura • También se las conoce como memorias NO volátiles , es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Prof. CASTRO QUISPE J.

M


Memoria ROM de Máscara, se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Un negativo fotográfico llamado mascara se usa para controlar las interconexiones eléctricas de la memoria Debido a que estas mascaras son costosas, este tipo de ROM solo es económico si usted necesita una gran cantidad de la misma ROM Prof. CASTRO QUISPE J.


Memoria de solo lectura programable ( PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY) La programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión Con un pulso de 10 a 30V se almacena un 0 lógico Prof. CASTRO QUISPE J.


Memoria ROM programable y borrable (Erasable Programable Read-Only Memory) La programación se efectúa aplicando en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, almacenando un 0 lógico El borrado de la memoria se realiza mediante la exposición del dispositivo a rayos ultravioleta Prof. CASTRO QUISPE J.


Memoria ROM programable y borrable eléctricamente(Electrical Erasable Programmable Read Only Memory ) Puede ser programado, borrado y reprogramado eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante rayos ultravioleta. El borrado de la memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar la carga eléctrica almacenada en ellas. Prof. CASTRO QUISPE J.


Similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente Son muy resistentes a golpes, pequeñas, livianas y sumamente silenciosas. Permiten un número limitado de veces que se escriben/borran, generalmente de 100 mil a un millón de veces Inicialmente almacenaban 8 MB, pero actualmente almacenan más de 64 GB, con una velocidad de hasta 20 MB/s.

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MEMORIAS  

MEMORIAS RAM MEMORIAS ROM

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