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SIC SCHOTTKY DIODE 2016年 2 月

Sic的背景

Sic的市場 Sic的能力 Sic的型號

本期內容 

使用Sic Schottky

薄型化的次世代


Sic 的背景 曾經的“中流砥柱” 功率器件已日趨

其發展的材料極限,難以滿足當 今社會發展對於高頻、高溫、高 功率、高能效、耐惡劣環境以及 輕便小型化的新需求。 以

為代表的第三代半導體材料憑藉其

優異屬性,將成為突破口,正在迅速崛 起。

作為一種寬禁帶半導體材料,不但擊穿電場強度高、熱穩定性好,還具有載流子飽和漂移速度高、熱導率高等特

SI

點,可以用來製造各種耐高溫的高頻、高效大功率器件,應用於 器件難以勝任的場合。

3.3X

0.5X

GaN

SIC

SIC

10X

GaN

11X

0.01X

SIC

SI

GaN

SI

0.9X


Sic的類型

SIC in Real World

與應用

Sic Diode

5A/600V

Low Qrr,Trr

Lighting

高溫時.IR穩定

Solar

Switching Loss極低

UPS

高工作溫度可達250°C

PC Power

VRRM高,最高達3300V

Telecom

5A/650V 5A/1200V 6A/600V

6A/650V 6A/1200V 8A/600V 8A/650V 8A/1200V

Server

10A/600V 10A/650V

Motor Drivers

10A/1200V

Sic Mosfet

1200V

反向恢復時間快,幾乎為0

Solar

Rds (on):0.1Ω/0.07Ω

Switching Loss極低

UPS

高工作溫度可達250°C

Switching Loss極低

Laser oscillator

高工作溫度可達250°C

Inverters

高耐SURGE能力

Sic Module 1200V 120A/180A/300A

Industrial Drives

Railway Train

Why Sic -High conversion efficiency,over 98% is achieved with Sic Mosfet


Sic Diode在 Power的應用狀況

大功率PFC

由於反向恢復時間快,耐高溫等特性,可以用於大功率POWER線路上, 主要應用於PFC線路完成整流的作用.一般用於600W以上機種. 使用客戶

常用規格

台達

6A-10A/650V

光寶

6A-10A/650V

康舒

6A-10A/650V

全漢

6A-10A/650V

亞源

6A-10A/650V


對比

Temperature溫度-電性的殺手 Si SBD

傳統SI與SIC的不同

SiC SBD

Si SBD,Trr與Qrr隨溫度增加而急遽變大,高溫穩定性不

佳.且一般最高溫為150°C.175°C屬高階產品.就算如此,電 性依然受溫度左右. 反觀Sic SBD,其電性曲線不隨溫度而變化,高溫特性穩定


Trr vs. Qrr

從公式而知 Sic的損耗比Si要小,因為 1. Sic的Trr與Qrr小於Si

2. Sic的震盪幅度低於Si 3. 因為震盪幅度低,EMI優於Si


對比

Brand

5A/650V

10A/650V

ROHM

1.49W

1.62W

FutureWafer

1.53W

1.66W

Infineon

1.54W

1.67W


◆ Low Switching Losses◆Higher Switching Frequencies◆Temperature Independent Switching Behavior ◆Postive Temperature Coefficient ◆Zero Forward Recovery Voltage◆Zero Reverse Recovery Current

▄Stable temperature characteristics

Ultra-short reverse recover time enables high-speed switching.This minimizes the reverse recovery charge (Qrr),reducing switching loss significantly, contributing to end-product miniaturization.

SiC diodes exhibit stabler temperature characteristics compared with silicon-base devices,simplifying parallel connection(s) and preventing thermal runaway-unlikes Si FRDS.

▄Application ●Switching ●Motor

circuits

drive circuits

●PFC

(Power factor correction)


薄型化

DFN封裝結構實現薄型化的可能

Part No.

IF(A)

VRRM(V)

Package

FWSC05065

5

650

TO-220

FWSC05120

5

1200

TO-220

FWSC06065

6

650

TO-220

FWSC06120

6

1200

TO-220

FWSC08065

8

650

TO-220

FWSC08120

8

1200

TO-220

FWSC10065

10

650

TO-220

FWSC10120

10

1200

TO-220

FWSC06065D

6

650

P-PAK56

FWSC06120D

6

1200

P-PAK56

FWSC08065D

8

650

P-PAK56

FWSC08120D

8

1200

P-PAK56

FWSC10065D

10

650

P-PAK56

FWSC10120D

10

1200

P-PAK56


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987巷50弄2號 +886-3-3573583 martin@futurewafer.com.tw

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Sic Schottky  

Sic,寬禁帶半導體材料。

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