Page 16

Ймовірність утворення нового шару до того, як сформований шар, який передує йому, дуже низька. Відбувається постійний відтік адсорбованих одиничних атомів на утворення та повне формування попереднього шару підкладки. Для формування нового стабільного поверхневого кластеру необхідна висока концентрація адсорбованих атомів. В чисельних експерементах ми спостерігали утворення кластерів, які з часом руйнувалися в адсорбовані атоми (наприклад, в шарі а, рисунок 2, момент часу t  104 ). Більш того, на рисунку 2 пустими ромбами над віссю часу зображено моменти, коли була утворена перетинка, яка з часом розпадалась. 2.2 Механізм кластеризації для формування контакту На грані типу (110) відбуваються інші процесси. Атоми суттєво легше можуть покидати шар підкладки та утворювати додатковий шар, який не буде вже суцільним, як у випадку нашарування. Також, якщо згадати енергетичний розподіл, описаний в теоретичній частині, то атоми, адсорбовані на Рисунок 3. Конфігурація атомів на меншій наночастинці (наночастинка B на рисунку 1b) у випадку орієнтації (110). Сірим кольором: шар 1', синім: шар f, жовтим: шар e, червоним: шар d. В момент часу t  1.5 103 сформовано перший контакт.

додаткових

шарів

значно

поверхні, мають в два рази більшу енергію зв‘язку, ніж для грані типу (111). Тому поверхнева дифузія та відрив для них відбувається

в

два

рази

повільніше

і

адсорбовані атоми легше формують нові кластери. швидший,

Такий адже

процесс

новий,

утворення

додатковий

може

утворюватись навіть на малих поверхневих кластерах, тобто новий кластер не чекає поки підкладка повністю заповнить шар на поверхні, як наслідок перетинка для обраних параметрів температури утворюється в 20-50 раз швидше, ніж для механізму нашарування. Більше того, перетинка дуже часто

16

Сборник материалов конференции  

Актуальні питання технічних і математичних наук у XXI столітті. Збірник матеріалів Міжнародної науково – практичної конференції (м.Київ, Укр...

Advertisement